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[发明专利]光电转换器件、感测装置及其制造方法-CN202310932483.8在审
发明人：刘德胜;吕晨晋;李佳鹏;莫良华 -专利权人：深圳阜时科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电转换器件、感测装置及其制造方法。该光电转换器件包括：衬底，具有P型掺杂区和N型掺杂区，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区接触形成的PN结在外部电场或外部偏置电压作用下能够发生雪崩倍增效应；阻挡结构，用于阻挡所述光电转换器件中因雪崩倍增效应产生的光子从所述光电转换器件的半导体表面向外逃逸至周边的其他光电转换器件。本申请提供的光电转换器件能够减少对周边其他器件造成的光学串扰，提高感测装置的感测精度。
光电转换器件装置及其制造方法

[发明专利]添加阻挡层的杂质吸收近红外探测器及其制备方法和应用-CN202310805948.3在审
发明人：俞亮;吴锂;戴希远;杨颜如;孙剑;陆明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体为一种添加阻挡层的杂质吸收近红外探测器及其制备方法和应用。本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、掺杂硅衬底（P型或N型、平面硅或黑硅）、阻挡层、背面电极。本发明利用在硅衬底中掺杂形成的体缺陷吸收近红外光并产生光生载流子，在负偏压或零偏压下形成光电流，探测近红外光，并利用阻挡层的宽带隙宽度抑制电子在掺杂硅衬底中的杂质能级传输，从而显著降低了探测器暗电流，实现了极低的暗电流与高探测度。
添加阻挡杂质吸收红外探测器及其制备方法应用

[发明专利]浅结深低能量电子探测器-CN202210412765.0在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;孟祥卫;罗浒;任嘉莹;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种浅结深低能量电子探测器，包括：硅衬底；第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，分别形成于硅衬底的第一面和第二面，以钝化硅衬底的第一面和第二面；P型非晶硅层和N型非晶硅层，分别形成于第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层上；保护环结构，自P型非晶硅层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型非晶硅层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型非晶硅层上。本发明通过非晶硅层并经热退火处理来实现对硅衬底表面缺陷的修复，钝化不饱和化学键，从而提高表面载流子寿命，可有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，提高对低能量电子的探测效率。
浅结深低能量电子探测器

[发明专利]超浅结深低能量电子探测器-CN202210411524.4在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;豆传国;任嘉莹;罗浒;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种超浅结深低能量电子探测器，电子探测器包括：硅衬底，其包含相对的第一面和第二面；超浅结深的P型掺杂层，通过在硅衬底表面形成硼单质层后进行热扩散的方式形成于硅衬底的第一面，P型掺杂层的厚度介于3～10nm之间；N型掺杂层，形成于硅衬底的第二面；保护环结构，自P型掺杂层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型掺杂层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型掺杂层上。本发明可以有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，有效提高对低能量电子的探测效率。
超浅结深低能量电子探测器

[发明专利]一种β-Ga2-CN202210866247.6有效
发明人：王相虎 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种β‑Ga2O3基紫外探测器及制备方法，紫外探测器由下至上包括依次层叠设置的衬底(1)、n+‑β‑Ga2O3:Sn导电层(2)、第一电极(3)、n‑β‑Ga2O3:Sn纳米棒陈列(7)、p‑GaN层(5)和第二电极(6)。所述p‑GaN层(5)填充并置于所述n‑β‑Ga2O3:Sn纳米棒陈列(7)之上。2.根据权利要求1所述的β‑Ga2O3基紫外探测器，其特征在于，所述第一电极(3)与p‑GaN层(5)之间设置有第一绝缘层(4)。本发明提高了β‑Ga2O3基异质结紫外光探测器光响应速度。
一种 ga base sub

[发明专利]光检测元件-CN201810365156.8有效
发明人：能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及光检测元件。基于本申请的某实施方式的光检测元件具备：光电转换结构，其含有对于单晶硅显示吸收的波长区域中包含的第1波长的光具有比单晶硅高的吸收系数的第1材料，且通过吸收光子而生成正及负的电荷；和雪崩结构，其包含通过由上述光电转换结构注入选自由上述正及负的电荷组成的组中的至少一者而在内部产生雪崩增倍的单晶硅层。上述第1材料包含选自由有机半导体、半导体型碳纳米管及半导体量子点组成的组中的至少1者。
检测元件

[发明专利]硅基紫外/可见/近红外多波段光电探测器及其制备方法-CN202310837449.2在审
发明人：李炳生;王月飞;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基紫外/可见/近红外多波段光电探测器及其制备方法，包括硅衬底（10）、可见/红外光响应层（20）以及紫外光响应层（30），可见/红外光响应层（20），其制备在硅衬底（10）上方，可见/近红外光响应层（20）从下至上包括可见/近红外光吸收层（21）和第一重掺杂电极接触层（22），第一重掺杂电极接触层（22）制备于可见/近红外光吸收层（21）上方；紫外光响应层（30）制备于可见/近红外光响应层（20）的第一重掺杂电极接触层（22）上，该紫外光响应层（20）从下至上包括势垒层（31）、紫外光吸收层（32）和第二重掺杂电极接触层（33）。
紫外可见红外波段光电探测器及其制备方法

[发明专利]碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法-CN202310910581.1在审
发明人：何温;郝斐;喻松林;赵超;王鑫;杨海燕;柏伟;折伟林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法，碲镉汞半导体器件包括：衬底层、器件下层、过渡层和器件上层，器件下层生长于衬底层，过渡层生长于器件下层，器件上层生长于过渡层；其中，器件下层和器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值相同，过渡层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值大于器件下层、器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值。本发明可以在相邻的n层和过渡层i层、过渡层i层和p层间形成两个空间电荷区，增加了原来空间电荷区宽度，在光照条件下可以产生更多的电子‑空穴对，并在内建电场的作用下被电极有效的收集。同时，过渡层i层形成的势垒区可以有效减小暗电流，从而提高了器件性能。
碲镉汞平面 pn 红外探测器半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种高速锗硅光电探测器-CN202311116318.1在审
发明人：余宇;石洋;邹明洁;李祖航;张新亮 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速锗硅光电探测器。高速锗硅光电探测器包括：掺杂硅层、锗吸收区、掺杂锗层、接触电极和锗上电极；掺杂硅层与掺杂锗层的掺杂极性相反，掺杂硅层、锗吸收区和掺杂锗层依次连接成垂直PIN结；接触电极设置在掺杂硅层上，接触电极围绕在锗吸收区的三个侧面，锗上电极设置在掺杂锗层上；接触电极和锗上电极收集锗吸收区吸收光而产生的光生载流子，形成光电流；接触电极的各边与锗吸收区中对应的边之间的距离和锗吸收区的边长成反比。解决了通过降低电阻进而降低RC寄生效应，用以提升探测器带宽时，寄生电容和寄生电阻相互制约的技术问题。
一种高速光电探测器

[发明专利]一种1550nm光通信波段垂直堆垛波导光探测器-CN202310858554.4在审
发明人：王冰;贾一丁;黄国毅 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种1550nm光通信波段垂直堆垛波导光探测器，采用CMOS工艺，用SOI制作硅波导，在硅波导位置溅射一层Au纳米颗粒，将二维黑磷覆盖硅波导位置及其左侧区域，将SnSe制备在二维黑磷上面，以覆盖硅波导位置，将二维黑磷覆盖在SnSe及其右侧区域，制备两个位于硅波导两侧的Ti/Au电极，覆盖相应的二维黑磷，沉积一层SiO2薄膜覆盖下面的所有二维黑磷直到电极位置，在SiO2薄膜上放置石墨烯，在石墨烯上制备一个Ti/Au电极作为栅极，本发明的有益效果在于：在提升带宽与光通量的同时，更大程度增强光吸收并进一步提升内、外量子效率；兼具高探测性及高速响应性，再结合栅控作用，可大大降低背底噪音和暗电流，增大光通量；提升光吸收和转换效率，加强器件的光响应性。
一种 1550 nm 光通信波段垂直堆垛波导探测器

[发明专利]一种硒化钨/碲化铋室温红外双波段探测器及其制备方法-CN202310818982.4在审
发明人：王东博;刘东昊;方铉;曹伽牧;刘思航;王金忠;曲平 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：一种硒化钨/碲化铋室温红外双波段探测器及其制备方法，属于红外成像探测技术领域，所述探测器包括衬底、WSe2/Bi2Te3异质结和铬金电极，衬底上磁控溅射沉积WSe2/Bi2Te3异质结，铬金电极设置在WSe2/Bi2Te3异质结上。本发明利用在衬底上用磁控溅射技术沉积的WSe2/Bi2Te3异质结薄膜材料，制备了红外双波段探测器，短波红外探测响应峰位于1μm处，长波红外探测响应峰位于12.5μm处，材料制备工艺简单，以较低成本、实现了室温红外短、长波双波段自供能探测。
一种硒化钨碲化铋室温红外波段探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于碲-二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法-CN202310831931.5在审
发明人：黄文;黄俊彦;汤俊;王毅;王世财;于梦雅;何宇豪;龚天巡;张晓升 -专利权人：电子科技大学;成都燎原星光电子有限责任公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碲‑二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法，包括两端电极和二维材料异质结层以及基底，所述两端电极为镍金电极，所述二维材料异质结层材料包括二硫化钼纳米片和二维碲纳米片，所述基底为有一层二氧化硅的硅基底，光电人工突触的制备方法，包括以下步骤：提供亚碲酸钠、PVP粉末、一水合肼、氨水为原材料，以一定配比溶解于去离子水中，通过水热法得到碲纳米片，将所述碲纳米片分散在溶剂中形成碲纳米片分散液，将所述碲纳米片滴铸在基底上；提供二硫化钼原料，使用机械剥离法得到二硫化钼纳米片，将所述二硫化钼纳米片转移到碲纳米片上得到异质结；在异质结两端溅射得到镍金电极，得到二维材料异质结光电突触。
一种基于二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法

[发明专利]一种背入射日盲紫外探测器及其制备方法-CN201810897294.0有效
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公布了一种背入射日盲紫外探测器及其制备方法，采用背入射结构，本发明的装置包括：衬底、缓冲层、应力释放层、n型欧姆接触层、n型过渡层、i型光吸收层、p型掺杂层、p型过渡层、p型欧姆接触层、保护层、n型电极、p型电极，本发明的目的是解决AlGaN基p‑i‑n结紫外探测器p型掺杂效率低、薄膜裂纹、外延结构有待优化、晶体质量不高等问题，本发明通过设置缓冲层、应力释放层、过渡层和优化制备方法来实现本发明目的，提高器件性能，提供一种暗电流低、量子效率更高、抑制比更好、探测率更高、性能更好的背入射日盲紫外探测器及其制备方法。
一种入射紫外探测器及其制备方法

[发明专利]制造至少一种拉伸应变的平面光电二极管的方法-CN202011051395.X有效
发明人：阿卜杜卡迪尔·阿利亚内;让-路易斯·乌夫里耶-比费 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造至少拉伸应变的平面光电二极管1的方法，包括：制造由半导体层53、55和抗反射层20形成的堆叠，该半导体层由第一材料制成；制造外围沟槽30，该外围沟槽通向抗反射层20的由第二材料制成的种子子层22；在外围沟槽30中外延由第二材料制成的外围部分31；以及返回至室温，然后由于两种材料之间的热膨胀系数的差异，检测部分10被拉伸应变。
制造至少一种拉伸应变平面光电二极管方法

[发明专利]铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法-CN201910242772.9有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法。所述铅掺杂型锗红外光电探测器包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、锗吸收层和上接触层；所述锗吸收层中掺杂有铅元素，以扩展锗红外光电探测器的探测范围。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收，提高了红外光电探测器的探测范围和探测灵敏度。
掺杂红外光电探测器及其形成方法

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