专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种特殊钢材加工用表面化处装置-CN202122008982.7有效
  • 陈尚 - 青岛尚隆特殊钢有限公司
  • 2021-08-25 - 2022-03-08 - C21D1/09
  • 本实用新型公开了一种特殊钢材加工用表面化处装置,包括箱体、回形板和齿条,所述箱体内设有隔板,隔板上设有放置台,所述放置台下端贯穿隔板,且放置台下端设有转杆,转杆上设有齿轮,齿轮后端啮合齿条。本实用新型使用时,将特殊钢材放在放置台上,启动驱动机构带动滑块和激光发射器绕回形滑道运动,从而对特殊钢材表面进行化处,同时启动电动伸缩杆二带动回形板和激光发射器向下运动,从而便于对特殊钢材表面全方位进行化处,再启动电动伸缩杆一带动齿条左右运动,齿条带动齿轮、转杆和放置台进行旋转,从而带动特殊钢材进行旋转,进一步提高特殊钢材表面进行化处的效率。
  • 一种特殊钢材工用表面非晶化处理装置
  • [发明专利]一种钝化接触太阳能电池的制备方法-CN202010554934.5有效
  • 陈嘉;马丽敏;吴伟梁;陈程;刘志锋;林建伟 - 泰州中来光电科技有限公司
  • 2020-06-17 - 2021-11-30 - H01L31/20
  • 该制备方法包括:对晶体硅基体进行预处理,以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面硅层;对晶体硅基体的正面硅层用激光器进行图形化扫描,使得被激光器扫描区域的正面硅层完成化,形成正面掺杂多晶硅层;其中,激光器的功率为20~38W;清洗晶体硅基体,以去除未被激光器扫描区域的正面硅层和正面隧穿氧化层;在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面硅层,并对背面硅层进行掺杂,使背面硅层完成化,形成背面掺杂多晶硅层;对晶体硅基体的双面进行钝化处;对晶体硅基体的双面进行金属化处
  • 一种钝化接触太阳能电池制备方法
  • [发明专利]一种一体成型电感及其制备方法-CN202310268796.8在审
  • 余红雅;罗盼;刘仲武;袁涵;王策 - 华南理工大学
  • 2023-03-20 - 2023-06-09 - H01F41/02
  • 本发明公开了一种一体成型电感及其制备方法,包括如下步骤:(1)将两种以上粒径配比的商用雾化磁粉进行磷化处,得到磷化磁粉;(2)将树脂和硅烷偶联剂溶于有机溶剂,并加入磷化磁粉进行包覆造粒,搅拌直至有机溶剂挥发完全,真空干燥,过40‑120目筛网,得到磁粉颗粒;(3)将磁粉颗粒在温度100‑180℃、压强100‑700Mpa下压制成型,保压时间1~10s,然后升温至树脂固化温度同时保压进行固化处,获得一体成型电感。该方法能够在较低的压制压力下获得高致密度、低损耗和高机械强度的一体成型电感,同时能够有效防止一体成型电感侧边出现裂纹。有效简化制备工艺。
  • 一种一体成型电感及其制备方法
  • [发明专利]一种合金的表面处理方法-CN201410254545.5无效
  • 李奉珪 - 东莞台一盈拓科技股份有限公司
  • 2014-06-10 - 2014-08-20 - C23C28/00
  • 本发明涉及合金技术领域,特别是涉及一种合金的表面处理方法,它包括以下步骤:步骤一、冷喷涂:在合金的表面通过冷喷涂的方法喷涂一层铝金属层或铝合金层,得到半成品;步骤二,阳极化处:以步骤一得到的半成品中的铝金属层或铝合金层进行阳极化处利用本发明的一种合金的表面处理方法,所处理合金产品能够与铝合金产品在外观上完美配合,达到了工业设计的外观要求。而且,该表面处理方法与PVD技术相比,在具有成本低的优点的基础上,能够很好地达到外观要求,大大提高了合金的广泛应用。
  • 一种合金表面处理方法
  • [发明专利]一种纳米稀土永磁的深冷处理方法-CN03156140.3无效
  • 孙光飞;陈菊芳;强文江 - 北京科技大学
  • 2003-09-01 - 2004-04-07 - H01F1/057
  • 本发明提供了一种深冷处理纳米稀土永磁的制备方法,处理的合金系列包括:单相R2Fe14B基系列,Fe3B/R2FeSUB>B基系列,R2Fe14B/α-Fe基系列以及Sm2Fe17Nx/α-Fe基系列纳米稀土永磁合金制备工艺包括:单相和双相或复相稀土永磁合金熔炼;合金经过熔体快淬法制得晶态和纳米晶态或和纳米混合的淬态合金;合金的化处;合金的深冷处理。深冷处理温度为-199~-135℃,保温时间为1~20小时,降升温速率在10~100℃/分钟范围内进行;深冷处理可在淬态合金化处后或淬态合金化处前进行,也可以在淬态合金化处前后分别进行。
  • 一种纳米稀土永磁冷处理方法

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