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[发明专利]一种冷喷涂技术制备耐蚀耐磨铝基非晶复合涂层的方法-CN201910812480.4在审
发明人：陈杰;马冰;贾利;崔烺;刘光;冯胜强;郑子云 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：一种冷喷涂技术制备耐蚀耐磨铝基非晶复合涂层的方法，其特征在于包括以下步骤：配料：按照质量百分比称取Al‑Ni‑RE非晶粉末50～90wt％、陶瓷增强相材料粉末50～10wt％，将上述两种粉末置于机械混料机中混合后制得喷涂粉末；预处理：对基材表面依次进行清洗和喷砂粗化处理；冷喷涂：将上述制备的喷涂粉末装入冷喷涂设备的送粉器中，再将预处理后的基材固定在喷涂夹具上，设定冷喷涂工艺参数后，用冷喷涂工艺在基材表面制备铝基非晶复合涂层本发明制备工艺简单合理，制备的铝基非晶复合涂层硬度高，涂层具有良好的抗蚀性，且耐磨性能大幅提高，是用于铝合金和镁合金材料表面耐腐蚀、耐磨损防护的理想选择。
复合涂层非晶制备预处理冷喷涂工艺基材表面喷涂粉末冷喷涂铝基发明制备工艺机械混料机冷喷涂设备镁合金材料质量百分比材料粉末粗化处理非晶粉末理想选择耐磨性能喷涂夹具陶瓷增强制备铝基抗蚀性耐腐蚀耐磨损送粉器铝合金称取基材耐磨耐蚀喷砂装入清洗防护

[发明专利]一种钨合金和不锈钢的低温扩散连接方法-CN202111301146.6有效
发明人：韩勇;孙怀 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种钨合金和不锈钢的低温扩散连接方法，包括以下步骤：中间过渡层设计、微晶/非晶中间过渡层粉末制备、母材表面纳米活化处理、中间层在母材待连接表面涂覆、装配与压力扩散连接。本发明母材经过超声喷丸表面活化处理，可以实现母材表面纳米化，从而大幅提高母材连接过程中的扩散活性；通过电弧熔炼‑超声气雾化法制备微晶/非晶Cu‑Sn‑Ti合金中间层有利于与母材合金化；能够在650‑900℃的较低温度下实现钨合金和不锈钢的扩散连接，避免了高温连接对不锈钢母材性能的损害以及后续的热处理工艺，提高了连接效率，降低了生产的成本。
一种合金不锈钢低温扩散连接方法

[发明专利]前期晶化处理制备泡沫镍的技术-CN03124796.2有效
发明人：汤义武;贺跃辉;陶维正;胡宗辉;肖腾彬;段志明;朱济群;周桂南;龙文贵;周小平 -专利权人：长沙力元新材料股份有限公司
申请日： 2003-09-05 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： C25D1/08 文献下载
摘要：一种前期晶化处理制备泡沫镍的技术，它是在现有电沉积法生产泡沫镍的基础上，于电镀步骤之后增加一道在氨分解气体气氛中的晶化处理工序，使电镀半成品以非晶态颗粒状沉积的镍发生晶化，得到抗氧化性能及力学性能良好的晶态镍，得到反应中间体泡沫状晶态镍致密材料，由此不仅可大大降低随后焚烧、还原处理的温度和时间，提高生产效率，节约能源，保护环境；同时还可有效避免生产过程中泡沫镍产生裂纹，有效改善泡沫镍的力学性能。
前期处理制备泡沫技术

[发明专利]一种活化过硫酸盐的水处理材料和处理水的方法-CN202211616983.2在审
发明人：吴东海;陆光华;刘建超;闫振华;王永花;郑西强 -专利权人：河海大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种活化过硫酸盐的水处理材料和处理水的方法，所述材料由基质和催化组分有机结合而成，其制备过程包括基质功能化预处理、催化成分原位生成、材料结构和晶型优化处理等步骤；所述材料基质为碳纳米管，催化组分为锰掺杂的铁基金属有机骨架衍生材料，材料结构和晶型优化处理为适宜温度的热处理；所述处理水的方法包括作为催化剂非均相活化过硫酸盐水处理和作为电极材料电活化过硫酸盐水处理。本发明公开的活化过硫酸盐水处理的材料和处理水的方法性能优良、处理高效，集成了吸附、催化、导电、磁性等多种作用，适用于水体净化处理。
一种活化硫酸盐水处理材料处理方法

[发明专利]一种新型PERC电池及其制作方法-CN202010620151.2在审
发明人：许亚军;魏青竹;倪志春;沈鸿烈;杨智;钱洪强;张树德;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;南京航空航天大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了新型PERC电池制作方法，包括获得正面具有N型掺杂层的硅衬底；在硅衬底的正面形成氧化硅层；在氧化硅层背离硅衬底的表面形成非晶硅层；对非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对非晶硅层进行掺杂，然后通入保护性气体对掺杂进行推进，再次通入扩散源对非晶硅层进行掺杂；在多晶硅层背离氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对多晶硅层和氧化硅层进行回刻处理；在硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在硅衬底的正面形成第二钝化膜；对第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电池，提升电池效率。
一种新型 perc 电池及其制作方法

[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法-CN201911361094.4有效
发明人：龙芬 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，对于所述制作方法，首先形成源极和漏极，再以源极和漏极边缘作为掩膜对半导体层进行图案化处理以形成非晶硅岛，可使得非晶硅岛的边缘与源极的边缘及漏极的边缘切齐，完全去除了裸露在金属层外的半导体层，可有效降低TFT器件光电敏感性，缩小了非晶硅岛面积，进而缩小了TFT器件尺寸，有利于节省版图，同时可简化工序。
tft 阵列及其制作方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法-CN201510442609.9有效
发明人：赵雁飞;李建文;魏博 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提出了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，在图案化的非晶硅上形成厚度为激光波长1/4奇数倍的栅绝缘层，以作为保温层，由于栅绝缘层的厚度为激光波长1/4的奇数倍，因此，激光能够最大程度的透过栅绝缘层，到达图案化的非晶硅，以对图案化的非晶硅进行良好的结晶化处理，获得较大的晶粒，由于栅绝缘层表面均匀，因此透过的激光也较为均匀照射在图案化的非晶硅上，从而形成具有均匀晶粒的多晶硅。
低温多晶薄膜晶体管阵列及其制作方法

[发明专利]低温多晶硅层及制备方法、显示基板和显示装置-CN201710258068.3在审
发明人：张慧娟;李栋;李小龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种制备低温多晶硅层的方法，包括提供衬底基板，衬底基板包括驱动薄膜晶体管区域和非驱动薄膜晶体管区域；在衬底基板上沉积非晶硅层；并且利用激光束照射非晶硅层，使非晶硅层结晶形成多晶硅层，其中激光束照射驱动薄膜晶体管区域中的非晶硅层时的扫描参数不同于照射非驱动薄膜晶体管区域中的非晶硅层时的扫描参数通过差异化处理驱动薄膜晶体管区域和非驱动薄膜晶体管区域，在不显著影响设备产能的情况下，驱动薄膜晶体管区域的非晶硅层在晶化过程中形成较大晶粒尺寸，载流子迁移率提高，并且后续形成的驱动薄膜晶体管的电气性能改善
低温多晶制备方法显示显示装置

[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法-CN201710010535.0有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管及其形成方法，形成方法包括：在隔离层上以及鳍部侧壁上形成保护层；在保护层上形成非晶硅层，且位于隔离层上的非晶硅层厚度大于位于鳍部侧壁上的非晶硅层厚度；刻蚀去除位于鳍部侧壁上的非晶硅层以及位于隔离层上的部分厚度的非晶硅层；刻蚀去除暴露出的保护层，在鳍部与非晶硅层交界处形成预开口；刻蚀预开口露出的保护层以及隔离层，在鳍部与非晶硅层交界处形成开口，且开口尺寸大于预开口尺寸；对非晶硅层以及开口露出的鳍部进行氧化处理，将非晶硅层转化为氧化硅层
场效应及其形成方法

[发明专利]一种用于Pb-C电池的泡沫碳载钯纳米晶消氢催化剂及其制备方法-CN201310308749.8有效
发明人：王殿龙;李忠宏;朱俊生 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B01J23/42 文献下载
摘要：一种用于Pb-C电池的泡沫碳载钯纳米晶消氢催化剂及其制备方法，它涉及制备非晶态泡沫碳和在非晶态的泡沫碳上化学沉积钯纳米晶的方法。本发明是要解决现有铅酸电池的消氢催化剂由于钯珠颗粒较大、比表面积较小从而导致催化活性和催化效率低，不适用于析氢量较多的铅酸电池的问题，本发明方法为：一、海绵的前处理；二、制备耐硫酸溶液腐蚀的非晶态泡沫碳；三、制备粗化后的非晶态泡沫碳；四、制备活化后的非晶态泡沫碳；五、制备敏化处理后的非晶态泡沫碳；六、制备非晶态泡沫碳载钯纳米晶消氢催化剂，即完成。本发明的催化剂具有纳米晶结构，比表面积大，耐硫酸溶液腐蚀，催化活性高。本发明应用Pb-C电池领域。
一种用于 pb 电池泡沫碳载钯纳米晶消氢催化剂及其制备方法

[发明专利]一种利用功率超声对合金表面进行非晶化处理的方法-CN200810123219.5有效
发明人：陈刚;赵玉涛;程晓农 -专利权人：江苏大学
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： C22F3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用功率超声对合金表面进行非晶化处理的方法。所说的处理的方法是：在液体介质中，采用功率超声在液体介质中的空化作用，产生局部高温、高压，对具有一定非晶形成能力的合金的表面进行处理，使合金表面形成非晶化层；其中所说的液体介质，是在室温下有良好的流动性，挥发性低，不易被氧化或不容易着火的液体；其中所说的具有一定的非晶形成能力，是指在冷却速率为10⁴K/s时能够形成完全非晶。本发明的方法具有较强的适应性；可以有效避免局部出现过烧的现象，能防止合金元素的烧损；表面粗糙度一致性好，可以减少后续处理的工作量；具有处理过程简单，操作方便等优点。
一种利用功率超声合金表面进行非晶化处理方法

[发明专利]一种铁基纳米晶磁粉芯的制备方法-CN201610312056.X在审
发明人：郭海;常春涛;董亚强;门贺;霍利山 -专利权人：宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01F1/153 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁基纳米晶磁粉芯的制备方法，包括如下步骤：对具有高非晶形成能力的FeSiBPNbCu合金，采用气雾化法制备铁基非晶合金粉末；对所述的铁基非晶粉末进行筛分和配比；采用钝化剂、绝缘剂、粘结剂对所述粉末进行钝化和绝缘包覆处理；然后进行压制成型并进行晶化处理。本发明采用气雾化法制备铁基非晶合金粉末，制备的粉末具有球形度高、氧含量低的特点，易于绝缘包覆，可解决传统纳米晶磁粉芯所用粉末采用带材破碎法存在的粉末具有尖锐的棱角，难以绝缘的问题，从而降低磁粉芯的损耗。
一种纳米晶磁粉芯制备方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN201510670975.X有效
发明人：郭远;邓思 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法，包括：在玻璃基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行结晶化处理、和图案化处理，以形成多晶硅图形；对所述多晶硅图形进行导电掺杂；利用栅电极光罩形成栅电极和
阵列及其制作方法

[发明专利]一种用于不锈钢的非晶化MOFs防腐薄膜及其制备方法-CN202111540415.4有效
发明人：李健;张宇昊;崔洪芝;宋晓杰;王全志;魏娜;练晓娟;王硕;朱秀花 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于不锈钢的非晶化金属有机框架材料(metal‑organic frameworks，简称MOFs)防腐薄膜及其制备方法，其包括步骤：(1)通过打磨及抛光使不锈钢基体表面呈镜面；(2)在不锈钢基体表面采用磁控溅射方法镀一层铝膜；(3)采用溶剂热法在镀有铝膜的不锈钢基体上制备MOFs薄膜；(4)通过热处理方法将MOFs薄膜非晶化。通过本发明的制备方法所制备的MOFs薄膜膜层生长均匀致密，与不锈钢基体的结合力强，且通过热处理非晶化处理后，MOFs薄膜孔隙率降低，提高不锈钢材料的耐蚀性。
一种用于不锈钢非晶化 mofs 防腐薄膜及其制备方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置-CN201510095020.6有效
发明人：牛亚男;刘超;贺增胜;陈蕾;张玉军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置，由于非晶硅薄膜上覆盖有氧化硅薄膜，利用氧化硅薄膜作为保温层，使非晶硅薄膜的温度可以得到保持，有利于非晶硅的晶化。由于预设区域是要形成低温多晶硅薄膜的区域，因此位于预设区域内的氧化硅薄膜的厚度较厚，以较好的保持晶化处理时预设区域内的非晶薄膜的温度，从而保证预设区域内形成的多晶硅的晶粒尺寸较大；并且，在除了预设区域之外其它区域内的氧化硅薄膜的厚度较薄，可以避免其它区域内的非晶硅薄膜的温度的温度急剧下降、造成预设区域边界处晶化环境不稳定，从而影响预设区域边界处形成的多晶硅的晶粒尺寸的均匀性。
低温多晶薄膜制备方法薄膜晶体管显示装置

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