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[发明专利]一种二氧化钛光催化薄膜的制备方法-CN01112896.8无效
发明人：沈嘉年;宋江江;李凌峰 -专利权人：上海大学
申请日： 2001-05-17 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钛光催化薄膜的制备方法,特别是具有纳米晶结构的二氧化钛光催化薄膜制备方法。本发明是用工业纯钛板或钛箔置于电介质溶液中作为电解池的一个电极,用另一个钛板作对电极,进行电化学氧化处理即获得生长在钛基材上的非晶态二氧化钛薄膜,然后进行加热晶化处理,获得纳米晶结构的二氧化钛光催化薄膜
一种氧化光催化薄膜制备方法

[发明专利]一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法-CN202211646481.4在审
发明人：孙晓娟;吕炳辰;陈洋;张山丽;贲建伟;蒋科;黎大兵 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法，属于半导体技术领域。本发明的方法包括以下步骤：在非晶衬底上转移第一二维材料层并进行处理；在处理后的第一二维材料层上转移第二二维材料层并进行氢化钝化处理；通过范德华外延生长在第一二维材料层和第二二维材料层之间形成二维AlGaN本发明采用两层二维材料进一步缓解非晶衬底对外延层的影响，大幅降低应力与位错，提高晶体质量，为AlGaN基光电器件的大面积应用提供了帮助，具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔等优点。
一种衬底质量 algan 材料范德华外延方法

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201510051501.7有效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：位于第一半导体层上的绝缘层和位于绝缘层表面的第二半导体层；在第二半导体层上形成栅极结构，栅极结构包括覆盖部分第二半导体层的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；在栅极结构侧壁表面形成侧墙；在所述第二半导体层表面形成非晶硅层，非晶硅层覆盖侧墙且所述非晶硅层的表面与栅极结构的顶部表面齐平；对栅极结构两侧的非晶硅层进行金属横向诱导晶化处理，使非晶硅层转变为多晶硅层；回刻蚀所述多晶硅层，使多晶硅层的表面低于栅极结构的顶部表面；在栅极结构两侧多晶硅层内形成源漏极
晶体管及其形成方法

[发明专利]SOI晶圆的制造方法-CN201580047351.0有效
发明人：阿贺浩司;桑原登 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种SOI晶圆的制造方法具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理步骤。该SOI晶圆的制造方法包含：(A1)测定步骤，将形成有SOI层的SOI晶圆在薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；(A2)旋转步骤，基于借由在(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行薄膜化处理时的SOI晶圆的旋转位置，使SOI晶圆绕中心轴旋转而达到旋转位置；以及(A3)薄膜化步骤，将经(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。
绝缘体上硅晶圆制造方法

[发明专利]用于制备低膨胀透明微晶玻璃的组合物、低膨胀透明微晶玻璃及其制备方法和应用-CN202211274960.8在审
发明人：李青;李赫然;刘丹;胡恒广;闫冬成;张广涛;刘文渊;刘世康 -专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C03C10/12 文献下载
摘要：本发明涉及微晶玻璃技术领域，公开了用于制备低膨胀透明微晶玻璃的组合物、低膨胀透明微晶玻璃及其制备方法和应用，该方法包括：(1)将澄清剂和组合物中的各组分混合后进行熔融处理，得到熔融物料；(2)将所述熔融物料进行成型处理，得到第一固体物料，并将所述第一固体物料进行退火处理，得到基础玻璃；(3)将所述基础玻璃依次进行核化处理和晶化处理，得到晶化玻璃；(4)将所述晶化玻璃与钠盐进行第一强化处理，得到强化玻璃，并将所述强化玻璃与钾盐进行第二强化处理本发明提供的制备低膨胀透明微晶玻璃的方法，制备得到的低膨胀透明微晶玻璃具有晶粒大小均匀、透光率高、硬度高的特点。
用于制备膨胀透明玻璃组合及其方法应用

[发明专利]一种钐铁钴磷非晶薄膜及其制备方法-CN202011155927.4在审
发明人：俞能君;李迎畅;杨婉琪;吴琼;泮敏翔;张朋越;葛洪良 -专利权人：中国计量大学;中国计量大学上虞高等研究院有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种钐铁钴磷非晶薄膜，包含的元素为Sm、Fe、Co、P，其中各个元素的重量百分数的比值为Sm：Fe：Co：P＝x：y：z：a，5.0≤x≤35.0，55.0≤y≤80.0，0≤z≤30.0，本发明还公开了一种钐铁钴磷非晶薄膜的制备方法，包括：(1)电极片活化处理；(2)电化学共沉积；(3)薄膜清洗。本发明能够实现Sm、Fe、Co三种元素的可控共沉积，薄膜元素分布均匀，而且本发明制备方法制得的非晶薄膜的饱和磁化强度较高，达到137emu/g。
一种钐铁钴磷非晶薄膜及其制备方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法-CN201510292728.0有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：在半导体衬底内形成第一沟槽；对第一沟槽侧部和底部的半导体衬底进行第一离子注入，在第一沟槽侧部和底部的半导体衬底内形成阻挡层；至少刻蚀去除第一沟槽底部的阻挡层，形成第二沟槽；对第二沟槽底部的半导体衬底进行非晶化处理，形成非晶化区；刻蚀去除所述非晶化区，形成第三沟槽；在第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中形成隔离层。
沟槽隔离结构及其形成方法

[发明专利]一种在非晶基带表面制备双轴织构NaCl薄膜的方法-CN201710156286.6有效
发明人：张亚辉;薛炎;陶伯万;熊杰;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明属于多晶薄膜领域，提供一种在非晶基带表面制备双轴织构NaCl薄膜的方法；首先Hastelloy合金基带进行溶液平坦化沉积得到表面沉积有非晶氧化钇的基带，然后采用离子束辅助沉积在基带表面制备得一层IBAD‑NaCl本发明在经过溶液平坦化处理得到的哈氏合金非晶层表面制备出具有双轴织构的NaCl薄膜，该方法制备得薄膜不仅具有优秀的面内外织构，质量已经非常接近单晶，而且工艺简单，无毒害，成本低廉，适合大规模工业化应用。
一种基带表面制备双轴织构 nacl 薄膜方法

[发明专利]一种OLED面板多晶硅制作方法-CN201010275417.0无效
发明人：李惠元;徐正勋;高昕伟 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在制作形成栅极绝缘层和栅极金属层前，包括如下步骤：(1)对玻璃基板进行清洗之后，通过等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在其上沉积氧化硅(SiOx)缓冲层；(2)利用低压化学气相沉积法(LPCVD)往玻璃基板上沉积一定厚度的非晶硅形成非晶硅层等步骤本发明的有益效果是：先完成非晶硅材料的有源层的结晶化处理后再进行后续的栅极绝缘层和栅极层工艺，因此在进行后续工艺时，有源层不会发生变形从而影响TFT的特性。
一种 oled 面板多晶制作方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制造方法-CN200310123443.1无效
发明人：张世昌;洪郁婷;江典声;李光振;林敬伟;蔡耀铭 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2003-12-29 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是关于一种低温多晶硅薄膜的制造方法，该方法是首先在基板上形成一非晶硅层，接着，对非晶硅层进行回火制程，使得非晶硅层转变为多晶硅层(多晶硅薄膜)，其中在回火的过程中，在多晶硅层的表面会形成数个突起物继之，对多晶硅层进行表面平坦化处理步骤。本发明可以解决现有技术中制得的多晶硅层其表面具有突起物而造成种种缺点，还可以有效的解决低温多晶硅薄膜表面存在突起物而影响后续所制作出的元件的作动问题。
低温多晶薄膜制造方法

[发明专利]一种Fe基非晶软磁复合粉芯的制备方法-CN201610799018.1有效
发明人：贺会军;赵新明;盛艳伟;张少明;胡强;朱捷;刘英杰;李宏华;赵文东 -专利权人：山东康普锡威新材料科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01F1/153 文献下载
摘要：本发明涉及一种Fe基非晶软磁复合粉芯的制备方法，属于粉末冶金及磁性材料技术领域。以质量百分比为95‑97％的快淬法FeSiB非晶粉末和气雾化FeSi3.5粉末中的至少一种，及质量百分比为3‑5％的羰基Fe粉和水雾化FeNi50粉末中的至少一种为组成软磁复合粉末的原料；粉末进行整形和退火处理，然后进行筛分处理；将原料粉末分别进行钝化处理，然后进行绝缘处理，按照重量比称量并均匀混合成复合粉末；将复合粉末进行压制成型，制得复合磁粉芯生坯，并进行退火处理，制得软磁复合粉芯。本发明制备的Fe基非晶软磁粉芯具有高饱和磁感应强度、低损耗和良好的温度稳定性的特性，可有效填补现有软磁复合材料性能的空白。
一种 fe 基非晶软磁复合制备方法

[发明专利]一种高强高导非均匀晶粒结构氧化铝弥散强化铜的制备方法-CN202211517395.3在审
发明人：李亮;常国;李响;张伟;董龙龙 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B22F1/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强高导非均匀晶粒结构氧化铝弥散强化铜的制备方法，该方法包括：一、电解铜粉与乙醇形变片化处理；二、高温氧化处理；三、低速干磨破碎处理；四、大球料比球磨活化和细化；五、小球料比球磨活化；六、热处理；七、还原处理；八、室温预压破碎排气后进行放电等离子烧结。本发明通过大球料比球磨活化和细化、小球料比球磨活化的两级球磨混合，构建多尺度分布的粉末，经烧结后形成非均匀晶粒结构氧化铝弥散强化铜，利用铜的纳米晶和超细晶及氧化铝纳米颗粒分布富集区强化材料，利用铜的大晶粒和氧化铝纳米颗粒分布匮乏区降低了电子散射效应
一种高强高导非均匀晶粒结构氧化铝弥散强化制备方法

[发明专利]表面沉积钙磷陶瓷的镍钛管状骨内固定器及其制备方法-CN200410013921.8无效
发明人：储成林;林萍华;浦跃朴;薛小燕;沈刚 -专利权人：东南大学;扬州市亚华生物科技发展有限公司
申请日： 2004-01-16 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： A61B17/58 文献下载
摘要：表面沉积钙磷陶瓷的镍钛管状骨内固定器涉及一种表面具有良好生物相容性的钙磷生物陶瓷涂层的镍钛记忆合金管状骨内固定器及其制备方法，其金属基体表面有一层生物相容性良好的钙磷生物陶瓷涂层，该钙磷生物陶瓷涂层具有双层结构，由与镍钛管状骨内固定器表面接触的磷酸钙非晶底层和类骨磷灰石晶相表面层组成，磷酸钙非晶底层厚度为1－10μm；类骨磷灰石晶相表面层厚度为10－100μm。制备方法为：1)首先用镍钛记忆合金加工好管状骨内固定器；2)将镍钛记忆合金管状骨内固定器进行表面活化处理，然后通过两步仿生沉积处理，在管状骨内固定器表面获得由磷酸钙非晶底层和类骨磷灰石晶相表面层依次组成的钙磷生物陶瓷层
表面沉积陶瓷管状固定器及其制备方法

[发明专利]表面沉积钙磷生物陶瓷的牙齿矫形丝及其制备方法-CN200410013923.7无效
发明人：储成林;林萍华;浦跃朴;薛小燕;沈刚 -专利权人：东南大学;扬州市亚华生物科技发展有限公司
申请日： 2004-01-16 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： A61C7/12 文献下载
摘要：特别是涉及一种表面具有良好生物相容性的钙磷生物陶瓷涂层的牙齿矫形丝及其制备方法，在牙齿矫形丝的金属基体表面有一层生物相容性良好的钙磷生物陶瓷涂层，所述的钙磷生物陶瓷涂层具有双层结构，即由与牙齿矫形丝金属基体接触的磷酸钙非晶底层和类骨磷灰石晶相表面层组成，磷酸钙非晶底层厚度为1－10μm；类骨磷灰石晶相表面层厚度为10－50μm。制备的方法为：首先用镍钛记忆合金或不锈钢材料加工好牙齿矫形丝；将牙齿矫形丝进行表面活化处理，然后通过两步仿生沉积处理，在牙齿矫形丝表面获得由磷酸钙非晶底层和类骨磷灰石晶相表面层依次组成的钙磷生物陶瓷层。
表面沉积生物陶瓷牙齿矫形及其制备方法

[发明专利]一种镁合金增强化学转化膜的制备方法-CN201610630219.9有效
发明人：赵明;王学良;陈睿;王宇 -专利权人：北方工业大学
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C23C22/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种镁合金增强化学转化膜的制备方法，该制备方法包括：Fe₃O₄@NdFeB核壳结构颗粒的制备；Fe₃O₄@NdFeB核壳结构表面非晶SiO₂外壳的制备；镁合金的化学转化处理；Fe₃O₄@NdFeB@非晶SiO₂结构纳米颗粒在转化膜裂纹区可控生长。按本发明描述方法制备的镁合金Fe₃O₄@NdFeB@非晶SiO₂结构颗粒增强化学转化膜结构特征在于：Fe₃O₄@NdFeB@非晶SiO₂结构纳米颗粒在转化膜微裂纹区域生长不仅堵塞了转化膜裂纹区，而且形成转化膜的增强骨架，有效提高了镁合金转化膜的耐蚀性能和耐磨性能。
一种镁合金增强化学转化制备方法