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[发明专利]晶体管及其制备方法、有机电致发光装置及其制备方法-CN201410736177.8有效
发明人：卜维亮 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，所述的晶体管，包括基板，沿垂直基板方向，依次在基板上方形成的半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层和源/漏电极层，所述层间绝缘层包括非晶硅层。由于非晶硅层中含有丰富的氢原子，以非晶硅层作为氢源对半导体层进行氢化处理，驱动非晶硅层中的氢原子向半导体层中迁移，以填充半导体层中的缺陷态，能够有效提高半导体层的载流子迁移率，降低晶体管亚阈值摆幅，从而加强电压对电流的控制能力
晶体管及其制备方法有机电致发光装置

[实用新型]非晶带材的处理装置-CN202022727918.X有效
发明人：沈军;谢顺德;余得贵;魏宇 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C21D9/54 文献下载
摘要：本实用新型属于非晶合金带材、超声波技术领域，涉及一种非晶带材的处理装置。本实用新型解决上述问题的技术方案是：一种非晶带材的处理装置，包括放料装置和去应力装置；所述去应力装置包括超声滚轴和超声加载工作台；待处理的非晶带材放置在放料装置上，放料装置对待处理的非晶带材进行放料，待处理的非晶带材通过超声加载工作台，超声滚轴对待处理的非晶带材进行去应力处理。本实用新型提出一种非晶带材的处理装置，其可以在非晶带材不脆化的同时去除非晶带材应力，对非晶电机合金的商业化应用具有重大意义。
非晶带材处理装置

[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板-CN201911032325.7在审
发明人：李勃;汪建平;张明福;纪卢芳月;王冠贵;俞凤至 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上同层设置非晶硅层和金属氧化物层；采用部分结晶化工艺对非晶硅层进行结晶化处理形成低温多晶硅层；在低温多晶硅层和金属氧化层远离所述衬底基板的一侧分别设置第一源漏极层和第二源漏极层
阵列基板低温多晶硅衬底基板非晶硅层源漏极金属氧化物层结晶化处理结晶化工艺金属氧化层同层设置显示面板减薄制作

[发明专利]一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用-CN201910307074.2有效
发明人：覃东欢;郭秀珍;陈丙昌;容志滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用。所述方法包括：在CdTe纳米晶薄膜上沉积螯合剂溶液和涂覆CdCl2溶液，然后进行热处理，得到表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜。本发明提供的处理方法，通过螯合剂分子与金属离子的强结合作用，将金属离子包合到螯合剂内部；然后经过热处理，CdTe重结晶过程中会钝化纳米晶薄膜的缺陷空位等载流子复合中心，从而达到钝化CdTe纳米晶薄膜的活性本发明提供的表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜能够应用于组装具有倒装结构的CdTe纳米晶太阳能电池中。
一种表面钝化处理 cdte 纳米薄膜及其方法应用

[发明专利]钽非晶氧化物表面层的制备方法-CN00118582.9无效
发明人：张德元;陆德平;李放;彭文屹;曾卫军;许兰萍;张友亮 -专利权人：江西省科学院应用物理研究所
申请日： 2000-07-07 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽非晶氧化物表面层的制备方法，它是先将钽件在氢、氮低温等离子体中形成由钽的氮化物和氮在钽中的固溶体组成的表面层，再将该表面层在I A、II A族金属的硝酸熔盐中进行阳极化处理，就可得到表面粗糙度低、致密性高、硬度高、电阻率高、耐碱腐蚀性能好的氧化钽的非晶态表面层。本发明有机地将离子渗氮处理技术和阳极化处理技术组合在一起，可在钽喷丝头及其它场合使用。
钽非晶氧化物表面制备方法

[发明专利]一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法-CN200810222116.4有效
发明人：徐强;蔡明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法，对晶圆衬底依次进行稳定化处理、沉积处理、氢去除处理、净化处理和起片处理后，得到晶圆衬底上的薄膜，该方法还包括：在沉积处理和氢去除处理之间进行净化处理。本发明提供的方法在每次沉积晶圆的衬底上薄膜时，去除薄膜表面的氢含量，从而使得最终得到的晶圆衬底上薄膜的张应力增大。
一种等离子体增强化学沉积处理方法

[发明专利]一种高性能铁基非晶纳米晶合金热处理工艺-CN202011041506.9在审
发明人：杨益 -专利权人：南通巨升非晶科技股份有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C21D6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能铁基非晶纳米晶合金热处理工艺，涉及铁基非晶纳米晶合金加工技术领域，包括以下步骤：(1)、放料设置；(2)、一次热处理；(3)、控温处理；(4)、二次热处理；(5)、冷却成型。该高性能铁基非晶纳米晶合金热处理工艺，通过一次热处理和二次热处理的方式，可以提高铁基非晶纳米晶合金的性能的热处理工艺，有利于提高铁基非晶纳米晶合金处理后的硬度和磁性能指标；通过加压纵向应力的方式能够提高铁基非晶纳米晶合金处理后的硬度，利用一次热处理的高温热处理能够去除铁基非晶纳米晶合金的横向应力，进行二次磁场热处理时，施加横向磁场，使得加热炉能够进入两个异名磁极之间，从而实现加磁热处理。
一种性能铁基非晶纳米合金热处理工艺

[发明专利]非晶碳膜的处理方法以及使用其的半导体器件的制造方法-CN200980102550.1无效
发明人：石川拓;松冈孝明 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：提供一种非晶碳膜的处理方法，其中，所述非晶碳膜被形成在衬底上，并在被干蚀刻后实施了湿式洗涤处理，所述非晶碳膜的处理方法包括以下步骤：准备具有经湿式洗涤处理后的非晶碳膜的衬底；以及在向经湿式洗涤处理后的非晶碳膜上形成上层之前，进行非晶碳膜的表面改性处理。
非晶碳膜处理方法以及使用半导体器件制造

[发明专利]一种C-SiCN复合材料-CN201611045673.4在审
发明人：刘芳 -专利权人：刘芳
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：一种C‑SiCN复合材料，通过有机聚合物热解法制得的非晶SiCN陶瓷具有优良的物理、力学性能，如热膨胀系数低、硬度高、抗蠕变及抗氧化性能优异。预稳定化热处理C/SiCN(HTCS)与未热处理C/SiCN(NHTCS)在疲劳后的质量、显微结构和电阻变化是不同的。对于NHTCS试样，非晶SiCN基体的晶化造成大量气体挥发，质量损失明显；显微组织结构变化表现为基体脱落、纤维拔出、纤维断裂、裂纹扩展直至失效；电阻变化率先降后升，变化规律与材料的组织结构变化密切相关。对于预稳定化处理的HTCS试样，其质量变化、电阻变化的程度相对较小，体现出较好的预稳定化效果。
电阻变化热处理复合材料稳定化非晶组织结构变化抗氧化性能热膨胀系数稳定化处理有机聚合物变化规律结构变化力学性能裂纹扩展纤维断裂显微结构显微组织质量变化质量损失抗蠕变拔出挥发晶化热解陶瓷疲劳纤维表现

[发明专利]一种非晶正极材料及其制备方法和应用-CN202310495888.X在审
发明人：孔凡厚;张春晓;史德青;李淑丽;张乾亮;蒋秀燕;王丛丛;李琳;刘洪瑞;李绘文;王乐涵;杨飞翔 -专利权人：山东石油化工学院
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶正极材料及其制备方法和应用，非晶正极材料包括活性物质玻璃粉末；所述活性物质玻璃粉末的制备原料包括玻璃网络形成物TeO2和Li晶化处理，得到晶化玻璃块体，研磨，得到活性物质玻璃粉末。该非晶正极材料组装的锂离子电池具有比容量大、电压高、首圈损失率小的优点。
一种正极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种方石英及其制备方法-CN202310847744.6在审
发明人：孙红娟;游敦翰;刘波;彭同江 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种方石英及其制备方法，所述制备方法包括步骤：对废弃石英玻璃进行预处理，得到80～200目的粗制石英玻璃砂；对粗制石英玻璃砂进行碱浸处理，得到精制石英玻璃砂；对所述精制石英玻璃砂进行高温晶化处理，以使得非晶相的熔融石英完全转化为晶相，得到粗制方石英砂；以及对粗制方石英砂进行酸浸处理，得到精制方石英。本发明的方法具有晶相转化高、环境污染小、成品质量高的优点，同时利用废弃石英玻璃做原料，缓解了废弃石英玻璃对环境污染和空间的压力，有利于节约资源。
一种石英及其制备方法

[发明专利]钝化接触电池及其制备方法-CN201811313140.9有效
发明人：杨亚娣;蔡文浩;麻增智;顾文操;钱小立;盛健 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该钝化接触电池的制备方法包括以下步骤：在N型硅片的正面形成P+层；去除背面的背结，之后在背面依次形成隧穿氧化层、非晶硅层以及N+层；增加背面掩膜的厚度，之后依次去除正面磷硅玻璃、正面非晶硅层、背面掩膜与正面硼硅玻璃；在正面生长氧化铝，之后在正面和背面形成氮化硅膜；以及印刷银电极，烧结之后得到钝化接触电池。上述钝化接触电池的制备方法，通过对背面掩膜高温氧化处理，增加背面掩膜的厚度，耐氢氧化四甲基铵溶液腐蚀能力增强，完全去除硅片正面非晶硅层的同时，较好的保护硅片背面的非晶硅层。解决了在制备钝化接触电池过程中非晶硅绕镀的难题，使得接触钝化电池更易于实现量产。
钝化接触电池及其制备方法

[发明专利]微晶玻璃晶化装置及方法-CN201811429170.6有效
发明人：陈雪梅;王乃帅;冯劲 -专利权人：成都光明光电股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本发明属于玻璃晶化技术领域，具体公开了一种能够降低晶化处理过程中玻璃破裂可能性的微晶玻璃晶化装置，以及采用上述微晶玻璃晶化装置对玻璃进行晶化处理的微晶玻璃晶化方法。该微晶玻璃晶化装置，包括晶化炉和设置在晶化炉内的晶化支架，所述晶化支架包括支撑板；所述支撑板上设有放置凹槽，所述放置凹槽内设置有防裂垫层，所述防裂垫层的厚度与放置凹槽的深度之比为1:1～2。通过在放置凹槽内设置防裂垫层，并使防裂垫层的厚度与放置凹槽的深度之比为1:1～2，既利于将玻璃放置到防裂垫层上对其进行晶化处理，又可以避免因玻璃体积收缩与支撑板之间产生较大刚性应力导致其破裂，降低了晶化处理过程中玻璃破裂的可能性
玻璃化装方法

[发明专利]一种铜基非晶合金在线连续半固态处理设备及其处理方法-CN201711371797.6有效
发明人：何宇;李学斌;赵德胜;杨玉军;孟宪浩;寇宗乾;沈华;路超;吴静;花思明;于婷 -专利权人：中铁建电气化局集团康远新材料有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C22C1/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜基非晶合金在线连续半固态处理设备及其处理方法：所述设备包括氧化铝耐高温陶瓷铜基非晶合金半固态处理装置、外部冷却循环装置、石墨吸管。所述方法包括：步骤一、将铜基非晶合金在熔炼炉中进行熔炼，并保温一段时间；步骤二、将液态铜基非晶合金保温一段时间后，通过所述石墨吸管，利用虹吸原理将液态铜基非晶合金引入到所述铜基非晶合金半固态处理装置内；步骤三、利用所述氧化铝耐高温陶瓷铜基非晶合金半固态处理装置对铜基非晶合金进行半固态处理。本发明能够改善铜基非晶合金中合金元素的偏聚现象，并且在铜基非晶合金不发生晶化转变的条件下，提升了铜基非晶合金性能的均匀性，同时它能够实现对铜基非晶合金连续且均匀的在线半固态处理，并满足大规模工业化生产。
一种铜基非晶合金在线连续固态处理设备及其方法

[发明专利]一种表面改性的非晶零价铁、其制备方法和应用-CN201710632305.8有效
发明人：胡敬平;闵涛;王安琪;楚鑫鹏;黎建峰;武龙胜;侯慧杰;刘冰川;杨家宽;张诚;柳林;赵晓娜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明属于高级氧化法处理有机废水的技术领域，具体地，涉及一种表面改性的非晶零价铁、其制备方法和应用于有机废水的高效处理技术，其目的在于通过结合使用熔融甩带法和高能球磨法，并在球磨体系中引入聚电解质从而制备出一种表面改性的非晶零价铁，保证了其在高级氧化系统中处理有机废水时较好的化学活性的同时，并提高零价铁颗粒在水体中的分散性和迁移能力，由此解决现有技术的零价铁材料用于高级氧化处理废水时易团聚、化学活性低、成本高等技术问题。
一种表面改性非晶零价铁制备方法应用