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[发明专利]用于非晶合金干式变压器节能节材优化设计系统及方法-CN202011373438.6有效
发明人：刘道生;魏博凯;钟伟 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于非晶合金干式变压器节能节材优化设计系统及方法，系统包括非晶合金干式变压器优化设计系统主界面参数设定模块、非晶合金干式变压器优化设计系统产品运行参数输入模块、非晶合金干式变压器优化设计系统改进的NSGA‑II优化算法参数与优化变量参数上界与下界设定模块、非晶合金干式变压器优化设计系统改进的NSGA‑II算法优化处理模块及非晶合金干式变压器优化设计系统输出优化结果模块；方法包括：通过人工设计获取非晶合金干式变压器初始设计方案；与传统的变压器设计方法相比，该优化系统操作简单、自动化程度高与设计周期短，能有效的降低非晶合金干式变压器制造成本，显著改善其损耗性能，对非晶合金干式变压器的推广具有重要意义。
用于合金变压器节能优化设计系统方法

[发明专利]具有自支撑的非晶硅热成像探测器微结构的制作方法-CN200610104434.1无效
发明人：刘卫国;蔡长龙;刘欢;周顺 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明是采用非晶硅作为红外敏感材料制作非致冷焦平面红外热成像探测阵列悬空结构技术领域，提供一种在硅片上制作具有自支撑的非晶硅热成像探测器微结构的制作方法，首先采用在硅片上镀制一定厚度的PI胶作为制作非晶硅非致冷红外热成像探测器悬空微结构的牺牲层；采用PECVD的方法制作低应力、具有自支撑能力的非晶硅敏感薄膜；采用快速热处理对PI胶的固化和硬化处理；最后采用等离子体反应刻蚀去除牺牲层PI胶和剩余的光刻胶，获得悬空结构自支撑的非晶硅非致冷焦平面红外热成像探测阵列微结构用该方法制作的非晶硅非致冷焦平面红外热成像探测阵列解决了悬空结构性能良好，填充因子高，工艺简单、稳定、重复性好的问题，该方法适于实际工业生产应用。
具有支撑非晶硅热成像探测器微结构制作方法

[发明专利]一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器的制备方法-CN200910302491.4无效
发明人：刘明;王永;王琴;杨潇楠;龙世兵;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器的制备方法，所述方法包括在硅衬底上生长遂穿介质层，并在遂穿介质层上表面生长硅纳米晶；对硅纳米晶进行氮化处理，在氮化处理后的硅纳米晶表面淀积控制栅介质层本发明可用于非挥发性存储器的存储单元，具有电荷存储容量大，结构简单，可靠性高，与传统CMOS工艺兼容性好，易于批量生产。
一种基于氮化处理纳米晶浮栅存储器制备方法

[发明专利]一种SHJ太阳电池TCO薄膜表面处理方法-CN202010566394.2有效
发明人：石建华;孟凡英;韩安军;张丽平;刘正新;谢毅 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种SHJ太阳电池TCO薄膜表面处理方法，用于解决现有技术中TCO薄膜与低温银浆接触不好的问题，涉及太阳电池技术领域，包括以下步骤：(1)在硅片的上下表面沉积本征非晶硅或非晶硅氧薄膜；(2)在步骤(1)所得硅片的上下表面分别沉积P型掺杂非晶硅薄膜和N型掺杂非晶硅薄膜，或者在其上下表面沉积非晶硅氧薄膜；(3)将步骤(2)所得硅片的上下表面沉积TCO薄膜；(4)采用等离子体对TCO薄膜进行表面处理，包括粗糙化处理和改性处理；本发明能够使低温银浆与TCO薄膜表面的接触更好，浆料边缘延展量低，浆料体系中的有机物延展小，使SHJ太阳电池的转化效率有效提高，有利于提高规模化生产SHJ太阳电池的稳定性和产品良率
一种 shj 太阳电池 tco 薄膜表面处理方法

[发明专利]一种铁基非晶、纳米晶磁粉芯制备方法-CN200610124833.4无效
发明人：李长全 -专利权人：南昌大学
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01F1/20 文献下载
摘要：一种铁基非晶、纳米晶磁粉芯制备方法，其特征在于制备工艺步骤如下：(1)将成分为Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉的非晶带材在电炉中脆化处理后，在行星球磨机中球磨，取出后，经筛分得到不同颗粒度的磁粉，标为非晶粉；(2)将成分为Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉的非晶带材在真空炉中进行纳米晶化热处理后，在行星球磨机中球磨，对球磨罐抽真空，取出后，加入适量油酸搅拌均匀，待干后经筛分得到不同颗粒度的磁粉，标为纳米晶粉；(3)分别将非晶、纳米晶磁粉与聚乙烯醇水溶液充分混合后，在10MPa压力下压制成非晶、纳米晶磁粉芯，表面做喷漆处理，再进行性能检测，成品包装。
一种铁基非晶纳米晶磁粉芯制备方法

[发明专利]定子铁芯的制作方法及电机-CN201910983185.5有效
发明人：王佳皓 -专利权人：王佳皓
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H02K15/02 文献下载
摘要：该方法包括：对非晶带材进行叠装设置，得到一段包括有本体和多个凸起部的铁芯结构，卷绕所述铁芯结构，得到呈环形结构的半成品定子铁芯，在预设温度下对所述半成品定子铁芯进行热处理，以降低所述半成品定子铁芯的应力，对热处理后的所述半成品定子铁芯进行固化处理，对固化处理后的所述半成品定子铁芯的每个凸起部进行镗磨，得到成品定子铁芯。本申请中，由于通过非晶带材进行叠装设置制作定子铁芯，从而提高了材料的利用率。另外，对非晶带材进行叠装设置可以直接得到一段包括有本体和多个凸起部的铁芯结构，从而简化了定子铁芯的制作工艺，提高了定子铁芯的制作效率。
定子制作方法电机

[发明专利]低温多晶硅的制作方法及使用该方法的TFT基板的制作方法与TFT基板结构-CN201410329164.9在审
发明人：张晓星 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅的制作方法及使用该方法的TFT基板的制作方法与TFT基板结构，该低温多晶硅的制作方法包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)；步骤2、在基板(1)上沉积形成缓冲层(2)；步骤3、对缓冲层(2)进行图案化处理，形成具有不同厚度的凸起部(21)与凹陷部(23)；步骤4、在具有凸起部(21)与凹陷部(23)的缓冲层(2)上沉积形成非晶硅层(3)；步骤5、对非晶硅层(3)进行准分子激光退火预处理；步骤6、对非晶硅层(3)进行准分子激光退火制程，使用激光束对非晶硅层(3)整面进行扫描，使非晶硅层(3)熔融并重结晶形成多晶硅层(4)。该方法能够对非晶硅层重结晶时的结晶位置和结晶方向进行有效控制。
低温多晶制作方法使用方法 tft 板结

[发明专利]低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板-CN201910995575.4在审
发明人：聂晓辉 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的低温多晶硅基板的制作方法，先在衬底基板上依次沉积形成缓冲层和非晶硅层，在非晶硅层和缓冲层上图案化形成多条沟槽，该多条沟槽将所述非晶硅层分隔成多个相互独立的单元格，然后再对所述非晶硅层进行退火处理以结晶形成多晶硅层，最后对该多晶硅层进行图案化处理，每一单元格对应形成一个有源层图案；本发明通过在非晶硅层和缓冲层上设置沟槽，在非晶硅层退火结晶形成多晶硅层的过程中为晶粒横向生长提供空间，从而能够降低多晶硅层的薄膜应力，
低温多晶硅基板制作方法

[发明专利]一种铁基非晶纳米晶软磁合金材料及其制备方法-CN201210423159.5无效
发明人：陆伟 -专利权人：苏州朗拓新材料有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁基非晶纳米晶软磁合金材料，其特征在于，所述铁基非晶纳米晶软磁合金材料由铁、硼铁、硅铁、铜、铌铁以及钴金属组成，其中各个组分的配比可表示为（Fe1-XCoX）76.5Cu1Nb2Si11.5B9本发明所述铁基非晶纳米晶软磁合金材料的制备方法包括原材料配料、合金熔炼、急冷制带以及纳米晶晶化处理。其优点是：本发明工艺简单、成本较低，容易批量生产；本发明材料具有良好高频磁性能。
一种铁基非晶纳米晶软磁合金材料及其制备方法

[发明专利]一种铁基非晶纳米晶软磁合金及其制备方法-CN201410813224.4有效
发明人：郭海;朱昭峰;陈雨峰 -专利权人：江苏奥玛德新材料科技有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01F1/147 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁基非晶纳米晶软磁合金及其制备方法。首先配比母合金原料其中各化学成分的质量百分比分别为Si7~10%、B1.8~2.2%、Cu1~1.5%、Nb4~6%、余量为Fe；将母合金原料反复熔炼并浇注成合金锭；将合金锭破碎并重新熔炼，并用炼钢造渣剂覆盖；采用单辊急冷制带法制备非晶薄带；将得到的非晶薄带放入真空退火炉中进行等温退火晶化处理；然后随炉冷却至室温，得到铁基非晶纳米晶软磁合金。本发明所使用的原料为低成本的工业原料，配合本发明的制备方法，使得本发明的铁基非晶纳米晶软磁合金具有低成本，高磁导率的特性。
一种铁基非晶纳米晶软磁合金及其制备方法

[发明专利]高耐腐蚀性构件及其制造方法-CN200780048449.3无效
发明人：齐藤利幸;铃木雅裕;桥富弘幸 -专利权人：株式会社捷太格特;株式会社CNK
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明的高耐腐蚀性构件，具备：不锈钢制的基材、在基材的表面的至少一部分被覆的中间层、和在中间层的表面的至少一部分被覆的非晶碳膜，至少在基材的表面的温度为450℃以下的低温下形成中间层和非晶碳膜而成。此外，本发明的高耐腐蚀性构件，具备：表层部进行了氮化处理的不锈钢制的基材、和在基材的表层部的表面的至少一部分被覆的非晶碳膜，其通过至少在基材的表面的温度为450℃以下的低温下进行氮化处理和非晶碳膜的形成而成
腐蚀性构件及其制造方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN201510776429.4在审
发明人：田小让;侯洪涛;赵冠超;谷士斌;张林;杨荣;李立伟;孟原;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：硅异质结太阳能电池的制作方法包括：对硅片进行去损伤层、制绒和清洗；将完成上述步骤的硅片进行硫化处理；在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层，在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层；在第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极，在第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极。
一种硅异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]用于金属锂带表面非晶化处理的方法及其产品和应用-CN202110712980.8在审
发明人：孔德钰;郇庆娜;孙兆勇;陈强;牟瀚波 -专利权人：天津中能锂业有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C22F3/00 文献下载
摘要：本发明提供用于金属锂带表面非晶化处理的方法及其产品和应用，该方法包括：采用选自热辐照、热传导和热对流中的至少一种以在175℃至1200℃的温度下将金属锂带表面熔融；和以50℃/s至1000℃/s的降温速率对表面熔融的所述金属锂带进行快速冷却至所得到的具有表面非晶化层的金属锂带可以用作电池体系的金属锂负极，由于其表面锂原子完全无序排列，使得金属锂沉积时没有趋向性，因此当用于电池体系时，金属锂会均匀沉积，基本上没有锂枝晶产生，进而提高金属锂负极的循环寿命此外，在本发明的金属锂带表面非晶化处理过程后，锂带表面粗糙度降低，且未引入杂质化学基团和杂原子，使得所得金属锂带的表面物理或化学状态一致性提高。
用于金属表面非晶化处理方法及其产品应用

[发明专利]一种淀粉基吸附载体材料的制备方法-CN200910194346.9无效
发明人：张本山;赵永青;陈福泉;陈翠兰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： B01J20/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种淀粉基吸附载体材料的制备方法，对淀粉进行酶解处理和非晶化处理后，制得颗粒结构松散、具有很多孔洞和吸附能力强的非晶淀粉吸附材料，本发明方法生产设备简单，条件易操作和控制，易于工业化，特别是其产品具有独特的颗粒结构和良好的吸附性能
一种淀粉吸附载体材料制备方法

[发明专利]一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法-CN201710346423.2有效
发明人：陈东明;孙剑飞;王桂强;吴志颖 -专利权人：渤海大学
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C25F3/16 文献下载
摘要：一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻抗效应的调制方法，该方法是对熔体抽拉非晶微丝进行电解抛光，工艺参数为：阴极电流密度为100A/dm2～150A/dm2，电解抛光时间为360s～600s，电解液温度为45℃，对处理后的非晶微丝进行磁阻抗输出稳定性测试。该方法工艺简单，成本低，可操作性强，效率高等优点，可明显改善熔体抽拉非晶微丝的巨磁阻抗特性，它解决了现有调制工艺复杂产品阻抗值小的特点，并实现了对丝材的表面圆化处理，改善了熔体抽拉非晶微丝的截面圆整度与表面粗糙度
一种改善熔体抽拉非晶微丝巨磁阻效应调制方法

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