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[发明专利]SOI晶圆的制造方法-CN201880038871.9有效
发明人：阿贺浩司 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有对SOI晶圆实施牺牲氧化处理而对SOI层进行减厚调节的工序，其特征在于，实施牺牲氧化处理的SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布，通过使用立式热处理炉，组合非旋转氧化及旋转氧化进行牺牲氧化处理的热氧化，由此以抵消SOI层的单侧流动形状的膜厚分布的方式，在SOI层的表面形成具有单侧流动形状的膜厚分布的热氧化膜，去除该形成的热氧化膜，从而制造具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层的SOI晶圆。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其通过对具有单侧流动形状的SOI层膜厚分布的SOI晶圆实施牺牲氧化处理，使SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层。
soi 制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201610420475.5有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构；对所述栅极结构两侧的基底进行预非晶化处理，在所述栅极结构两侧的基底内形成非晶区；在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏掺杂区；在所述非晶区上形成应力盖帽层，对所述应力盖帽层以及非晶区进行退火处理，所述退火处理适于使所述非晶区在重新结晶的过程中形成位错，所述位错适于向所述栅极结构下方的沟道区提供拉应力。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种铁基非晶磁粉芯的制备方法-CN201610048165.5有效
发明人：虞璐;胡柳亮;孙钡钡;韩永锁;雷高峰;张念伟;严密 -专利权人：兆晶股份有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁基非晶磁粉芯的制备方法，包括如下步骤1)初级金属合金粉末的制备；2)强化型铁基混合粉末制备；3)加磁场；4)还原热处理；5)晶化处理；6)表面处理。本发明的铁基非晶磁粉芯用于大功率电源变压器，磁导率μ为28000～29000，损耗值P5/20K为12～14w/kg，剩磁比Br/Bs为0.13～0.17。
一种铁基非晶磁粉芯制备方法

[发明专利]铝或铝合金与非晶合金的复合体及其制备方法-CN201110229903.3无效
发明人：蒋焕梧;陈正士;林顺茂 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： B22D19/16 文献下载
摘要：本发明提供一种铝或铝合金与非晶合金的复合体，其包括铝或铝合金基体及注射结合于铝或铝合金基体表面的非晶合金体，该铝或铝合金基体通过阳极氧化处理使其由表面形成有若干纳米孔，所述非晶合金体结合于所述铝或铝合金基体形成有所述若干纳米孔的表面所述铝或铝合金基体与非晶合金体结合强度高。本发明还提供一种铝或铝合金与非晶合金的复合体的制备方法。
铝合金合金复合体及其制备方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板-CN201710267543.3有效
发明人：杨昕 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板，其中，所述低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：沉积多层具有不同膜质参数的非晶硅层；其中，所述膜质参数包括折射率参数和/或导热系数参数；对所述多层具有不同膜质参数的非晶硅层进行脱氢处理；以及对脱氢处理后的非晶硅层进行晶化处理，形成低温多晶硅薄膜。本发明实施例通过沉积多层具有不同膜质参数的非晶硅层，不同膜质参数的非晶硅折射率、导热系数不同，有利于在晶化过程中形成大尺寸晶粒，使得有源层低温多晶硅的晶界较少，可减小薄膜晶体管导通时的漏电流，提高薄膜晶体管的电性能
低温多晶薄膜及其制备方法薄膜晶体管显示面板

[发明专利]半导体装置的制造方法及所用设备-CN95104503.2无效
发明人：船井尚;牧田直树;高山彻 -专利权人：夏普公司;株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-03-28 - 公布日： 1998-12-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：具有绝缘表面的衬底中，其绝缘表面上淀积非晶半导体膜，用发射加热光射线的热源局部加热非晶半导体膜中的预定被加热部分，移动热源或衬底使被加部分移动加热。因而，非晶半导体膜被顺序热处理和多晶化。用加热光射线辐射用邻近被加热部分的已经多晶化部分作为籽晶进行顺序多晶化处理。因此可按被加热部分的移动方向控制晶粒生长方向一致。
半导体装置制造方法所用设备

[发明专利]一种表面改性的非晶合金的制备方法-CN201510324324.5有效
发明人：黄永江;程翔;范洪波;王亚明;刘静;孙剑飞 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：一种表面改性的非晶合金的制备方法，它属于材料表面改性领域，具体涉及一种表面改性的非晶合金的改性方法。本发明目的是要解决现有非晶合金的塑性应变非常低的问题。方法以非晶合金为阳极，以Ti合金为阴极，以非对称脉冲电源作为电源进行微弧氧化处理，即得到表面改性的非晶合金。本发明主要用于制备室温压缩塑性应变高的非晶合金。
一种表面改性合金及其制备方法

[发明专利]一种优化NAND flash双重曝光关键尺寸的方法-CN201910643540.4有效
发明人：何理;巨晓华;黄冠群 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种优化NAND flash双重曝光关键尺寸的方法，提供具有非晶硅层的衬底；在衬底上的非晶硅层上形成Core氧化层；对Core氧化层进行致密化处理；对Core氧化层进行刻蚀形成Core图形；量测Core图形底部和顶部的CD数值；提供同一刻蚀条件下无致密化处理的Core氧化层和致密化处理后的Core氧化层的刻蚀速率；根据Core图形底部、顶部的CD数值以及刻蚀速率计算需要致密化处理的Core氧化层的厚度，以此确定对Core氧化层进行致密化处理的时间。
一种优化 nand flash 双重曝光关键尺寸方法

[发明专利]一种涂覆有非晶合金涂层的往复泵柱塞及其加工工艺-CN202010735978.8在审
发明人：邢佑印;李明春;侯艳荣 -专利权人：山东金泰非晶科技有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C23C4/129 文献下载
摘要：本发明公开了一种涂覆有非晶合金涂层的往复泵柱塞及其加工工艺，包括不锈钢基的胚体柱塞，还包括依次涂覆在不锈钢基的胚体柱塞往复区域的打底涂层、非晶合金涂层、氨基硅烷偶联剂；所述打底涂层为Ni‑Al粉末；所述非晶合金涂层为铁基非晶合金涂层，通过基材设计、表面毛化处理、涂覆、后处理、封孔制备而得。本发明所述的往复泵柱塞及其加工工艺，通过使用非晶态结构的涂层，提高往复泵柱塞耐腐蚀、耐高温、抗磨减摩以及抗汽蚀等方面的性能。
一种涂覆有非晶合金涂层往复泵柱塞及其加工工艺

[发明专利]用于氧气还原催化的铂基非晶合金纳米线及其制备方法-CN202110792975.2有效
发明人：梁雄;刘泽航;阮文清;马将;张振轩;任帅;彭太江;石红雁 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氧气还原催化的铂基非晶合金纳米线及其制备方法，制备方法包括：S1、将铂、镍、铜和磷按质量比36:1:3:2混合并熔炼吸铸为非晶合金棒材；S2、将非晶合金棒材切割为非晶合金圆片；S3、将带有纳米级孔的AAO模板和非晶合金圆片叠置于在模具中，热压，获得非晶合金初品；S4、冷却后取出并进行表面防氧化处理；S5、将非晶合金初品浸入质量分数为15%的氢氧化钠溶液中，清除表明残留的AAO模板，得到带有纳米线的铂基非晶合金；S6、将铂基非晶合金置于乙醇溶液中，超声处理以将纳米线分离出来，收集纳米线。本发明的用于氧气还原催化的铂基非晶合金纳米线，还原催化性能稳定，工艺要求简单、制备时间短、可重复性强、方便收集，适合大规模生产。
用于氧气还原催化铂基非晶合金纳米及其制备方法

[发明专利]非晶电机定子及转子的制造方法-CN201310676351.X无效
发明人：陶民 -专利权人：陶民
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H02K15/02 文献下载
摘要：一种非晶电机定子及转子的制造方法，其包括如下步骤：步骤一，通过覆盖抗蚀刻油墨或塑胶薄膜在非晶带材上，形成若干个所需大小的电机定子及转子形状；步骤二，将覆盖好的非晶带材放入腐蚀溶液进行蚀刻，形成所需大小的电机定子及转子形状的若干单一片材；步骤三，将蚀刻好的单一片材进行清洗后，叠加成所需厚度的电机定子及转子；步骤四，将叠加好的非晶定子及转子放入中温炉内，进行退火处理；步骤五，将退火后的非晶定子及转子浸入环氧树脂胶，进行固化处理。本发明提供了一种由上述方法，使非晶带材在电机领域得到实际应用，解决了非晶带材应用在电机定子及转子制造过程中难以量产的技术问题。
电机定子转子制造方法

[发明专利]块状非晶合金叠片元件的制作方法-CN201810940661.0有效
发明人：章波 -专利权人：佛山市中研非晶科技股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种块状非晶合金叠片元件的制作方法，包括以下步骤：S1、设置有裁料盘，所述裁料盘设置有多个置料通槽，所述置料通槽设置有进料端及出料端；S2、将多条相同规格的非晶合金带材堆叠成具有预设厚度的带材组，所述带材组经所述进料端伸入所述置料通槽内并由所述出料端伸出；S3、将所述带材组伸出至所述置料通槽外部的外延部分进行剪裁并整理，得到非晶合金叠片组；S4、对所述非晶合金叠片组进行退火处理及真空浸漆处理，得到复合叠片组；S5、对所述复合叠片组进行烘干固化处理，得到块状非晶合金叠片元件。该块状非晶合金叠片元件的制作方法有效提高所述块状非晶合金叠片元件制作的效率。
块状合金元件制作方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜-CN201810697432.0在审
发明人：高超飞;葛晶涛;刘旭亮;沈文涛;张明照 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供的多晶硅薄膜的制备方法包括：在衬底上形成非晶硅薄膜；采用第一溶液对非晶硅薄膜进行处理，第一溶液中溶有镍盐和臭氧；及对经过第一溶液处理的非晶硅薄膜进行晶化处理以形成多晶硅薄膜。
多晶硅薄膜非晶硅薄膜制备薄膜晶体管多晶硅晶粒电学性能晶化处理溶液处理制备过程不均匀衬底镍盐臭氧

[发明专利]一种提升非晶涂层耐蚀性的方法及应用-CN201911113958.0有效
发明人：周正;余文锦;贺定勇;谈震;郭星晔;吴旭;王国红;王曾洁;邵蔚;崔丽 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C23C4/129 文献下载
摘要：本发明涉及非晶涂层技术领域，具体公开了一种提升非晶涂层耐蚀性的方法及应用。该提升非晶涂层耐蚀性的方法通过预极化处理非晶涂层来形成钝化膜，所述非晶涂层由热喷涂方式制备得到，所述非晶涂层的孔隙率低于0.6％。本发明在不采用外加封孔材料的基础上，采用强制预极化的方法，来强制加快钝化膜的进一步钝化，改善了非晶涂层弱结合界面、缺陷处及其附近钝化膜薄弱且不均匀的问题，促进了这些位置处钝化膜的生成及均匀化，减少了容易优先腐蚀的薄弱位置，实现了提高非晶涂层长期耐蚀性的目的。
一种提升涂层耐蚀性方法应用

[发明专利]一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法-CN202210055354.0在审
发明人：许建平;陈晶;王佳杰 -专利权人：黑龙江工程学院;黑龙江省海振科技有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明是解决现有磁控溅射技术制备AlMgB14涂层以非晶态为主的问题。本发明专利基于高频感应的集肤效应加热沉积AlMgB14涂层，实现快速高温晶化处理。4个高频感应线圈均匀分在真空室内，通过启动高频感应线圈的数量和设置功率，调控AlMgB14非晶组分与晶体组分比例，制备非晶、非晶/晶体、晶体的3层结构AlMgB14涂层。沉积AlMgB14涂层具有晶体结构，硬度高于非晶结构涂层。
一种可控晶体结构 almgb14 涂层及其制备方法