专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果164个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射装置-CN201611032173.7有效
  • 赵鑫;任明冲;张林;谷士斌;赵冠超;杨荣;李立伟;孟原;郭铁 - 新奥光伏能源有限公司
  • 2016-11-22 - 2019-01-15 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射装置,包括:阴极背板,设置在阴极背板底面的底环结构,以及气体管路;其中,底环结构环内限定的区域为靶材放置区域;底环结构包括:固定于阴极背板底面的上环,以及固定于上环背离阴极背板一侧的底环;上环和底环之间形成有环状中空结构,环状中空结构面向靶材放置区域的一侧设置有气体通道;气体管路贯穿阴极背板和上环后与环状中空结构导通。由于气体管路贯穿阴极背板和上环后与环状中空结构导通,并且环状中空结构面向靶材放置区域的一侧设置有气体通道,从而促使气体能够通入环状中空结构内,并沿着气体通道通向靶材,因此,有效缩短了气体与靶材之间的距离,从而使得气体更容易被电离。
  • 一种磁控溅射阴极装置
  • [发明专利]一种硅异质结太阳能电池的制作方法-CN201410368289.2有效
  • 田小让;王进;谷士斌;张林;杨荣;李立伟;孟原;郭铁 - 新奥光伏能源有限公司
  • 2014-07-30 - 2018-10-23 - H01L31/20
  • 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的制作方法,采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层;采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层;采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理;其中,第二温度大于第一温度。由于采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式,通过测试数据可知,可以使硅异质结太阳能电池中的a‑Si:H/c‑Si界面获得较好的钝化效果,有利于获得较长的少子寿命,进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压,增强硅异质结太阳能电池的性能。
  • 一种硅异质结太阳能电池制作方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top