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[发明专利]包括邻接氧化物材料的电子装置及相关方法和系统-CN202180054141.X在审
发明人： S·索尔斯;R·J·希尔;G·S·桑胡;金柄徹;F·H·法布勒盖特;C·M·卡尔森;M·E·科乌通斯基;S·J·特拉普 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：一种电子装置包括单元区，所述单元区包括交替介电材料与导电材料的堆叠。柱区邻近于所述单元区，且包括邻近于邻接氧化物材料且邻近于隧道区的存储节点段。所述存储节点段由所述隧道区的竖直部分分离。高k介电材料邻近于所述单元区的所述导电材料且邻近于所述柱区的所述邻接氧化物材料。与形成电子装置的方法及相关系统一样，公开了额外电子装置。
包括邻接氧化物材料电子装置相关方法系统

[发明专利]微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法-CN202110912453.1在审
发明人： J·D·霍普金斯;J·D·格林利;F·H·法布勒盖特;J·A·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请涉及微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法。所述微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；及导电轨，其横向邻近于所述堆叠结构的所述导电结构。所述导电轨包括不同于所述堆叠结构的所述导电结构的材料组成的材料组成。
微电子装置以及相关存储器电子系统方法

[发明专利]具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件及其形成方法-CN202010809570.0在审
发明人：金柄徹;F·H·法布勒盖特;R·J·希尔;S·索尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请案涉及具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件，以及形成集成组合件的方法。所述导电层级包含控制栅极区域及接近于所述控制栅极区域的第二区域。高k介电结构直接抵靠所述控制栅极区域，且完全横跨所述绝缘层级延伸。电荷阻挡材料邻近于所述高k介电结构。电荷存储材料邻近于所述电荷阻挡材料。所述电荷存储材料经配置为区段，所述区段彼此上下垂直地堆叠，且其彼此垂直地间隔开。栅极介电材料邻近于所述电荷存储材料。沟道材料沿着所述堆叠垂直延伸，且邻近于所述栅极介电材料。
具有垂直间隔沟道材料区段集成组合及其形成方法

[发明专利]存储器阵列及形成集成组件的方法-CN202010391450.3在审
发明人： S·索尔斯;金柄徹;R·J·希尔;F·H·法布勒盖特;G·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请涉及存储器阵列及形成集成组件的方法。一些实施例包含具有交替的绝缘层级和字线层级的垂直堆叠的存储器阵列。沟道材料沿所述堆叠垂直延伸。所述沟道材料包含半导体组合物并且具有与第二区段交替的第一区段。所述第一区段与所述字线层级相邻，并且所述第二区段与所述绝缘层级相邻。所述第一区段具有第一掺杂剂分布，并且所述第二区段具有与所述第一掺杂剂分布不同的第二掺杂剂分布。一些实施例包含形成集成组件的方法。
存储器阵列形成集成组件方法

[发明专利]存储器阵列及形成集成组合件的方法-CN202010222585.7在审
发明人：金柄徹;F·H·法布勒盖特;R·J·希尔;P·纳拉亚南;S·索尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器阵列及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有交替绝缘层与字线层的垂直堆叠的存储器阵列。所述字线层具有控制栅极区内的导电端子端。所述控制栅极区通过包含第一绝缘材料的第一绝缘区彼此垂直间隔。电荷存储材料从所述导电端子端横向向外，且经配置为片段。所述电荷存储材料的所述片段经布置在彼此顶部上且通过包含第二绝缘材料的第二绝缘区彼此垂直间隔。所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料不同的介电常数。电荷穿隧材料沿所述堆叠垂直延伸，且邻近电荷俘获材料的所述片段。通道材料沿所述堆叠垂直延伸，且邻近所述电荷穿隧材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
存储器阵列形成集成组合方法

[发明专利]涉及在衬底材料上形成锗原子层的方法、设备和系统-CN201911348438.8在审
发明人： F·H·法布勒盖特;P·A·帕杜阿诺;G·S·桑胡;J·A·斯迈思三世;M·N·洛克莱 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述涉及在衬底材料上形成锗Ge原子层的方法、设备和系统。实例方法包含：将还原剂引入到半导体处理腔室中，所述半导体处理腔室容纳具有高纵横比的衬底材料；以及将锗脒基前体引入到所述半导体处理腔室中。所述实例方法进一步包含由于所述还原剂与所述锗脒基前体的反应而在所述衬底材料上形成锗原子层。
涉及衬底材料形成原子方法设备系统