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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]人员闸门-CN200680022013.2有效
发明人：托马斯·加伦舒茨 -专利权人：托马斯·加伦舒茨
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： E06B11/08 文献下载
摘要：该人员闸门具有至少两个阻障件(12、14)，其中每个阻障件(12、14)都可以独立于相应其它的阻障件(14、12)在闭合的路径上在一在阻障位置将通道阻障的阻障状态和一将通道开放的开通状态之间运动。
人员闸门

[发明专利]包含阻障件抛光停止层的集成电路及其制造方法-CN201210202572.9有效
发明人： E·R·弗特奈尔;C·彼得斯;J·海因里希 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种包含阻障件抛光停止层的集成电路及其制造方法，其中，提供一种用来制作集成电路的方法的实施例，作为集成电路的实施例。在一实施例中，该方法包含在半导体装置上方沉积层间介电层、在该层间介电层上方沉积阻障件抛光终止层以及图案化至少该阻障件抛光终止层及该层间介电层，以在其中创造多个蚀刻特征。铜是镀覆在该阻障件抛光终止层上方并且进入该多个蚀刻特征中，以产生上覆该阻障件抛光终止层的铜过载，及在该层间介电层及阻障抛光终止层中产生多个导电互连特征。抛光该集成电路，以去除该铜过载，并暴露该阻障件抛光终止层。
包含阻障抛光停止集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110835536.5在审
发明人：吕增富 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：该半导体结构具有一基底、一绝缘区、一主动区、一栅极沟槽、一第一阻障层、一第一栅极材料、一第二阻障层、一第二栅极材料以及一栅极隔离材料。该基底包括一第一上表面。该绝缘区设置在该基底中。该第一阻障层设置在该栅极沟槽的一侧壁的一部分上。该第一栅极材料设置在该栅极沟槽中，其中该第一栅极材料包括一第一组件以及一第二组件，该第一组件被该第一阻障层所围绕，该第二组件从该第一组件朝向该第一上表面延伸。该第二阻障层设置在该第一阻障层与该第一栅极材料上。该第二栅极材料设置在该第二阻障层上。该栅极隔离材料设置在该第二栅极材料上。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]相变化记忆体的制造方法-CN201510990447.2在审
发明人：苏水金 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：相变化记忆体包含主动元件、下电极、阻障件、加热器、第一绝缘层、上电极以及环状相变化层。下电极耦接主动元件，阻障件位于下电极上方，而加热器嵌于阻障件中。第一绝缘层覆盖加热器与阻障件，而上电极位于第一绝缘层上方。环状相变化层围绕第一绝缘层与上电极，且环状相变化层接触加热器的至少一侧面。
相变记忆体制造方法

[发明专利]相变化记忆体-CN201711403141.8有效
发明人：苏水金 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：相变化记忆体包含主动元件、下电极、阻障件、加热器、第一绝缘层、上电极以及环状相变化层。下电极耦接主动元件，阻障件位于下电极上方，而加热器嵌于阻障件中。第一绝缘层覆盖加热器与阻障件，而上电极位于第一绝缘层上方。环状相变化层围绕第一绝缘层与上电极，且环状相变化层接触加热器的至少一侧面。
相变记忆体

[发明专利]半导体元件-CN202011509547.6在审
发明人：王匀远;萧至翔;倪懿池;吴志毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件包括基板、通道堆叠、源极/漏极接触件，及栅电极。通道堆叠在基板之上且包括2D通道层及阻障层。阻障层的能量带隙大于2D通道层的能量带隙。源极/漏极接触件与通道堆叠接触。栅电极在基板上方。
半导体元件

[发明专利]形成半导体元件的方法-CN202110509390.5在审
发明人：赖冠颖;谢昕佑;王长茂;邱崇益 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底，具有一第一元件区域和一第二元件区域；沉积一金属氮化物阻障层，覆盖所述第一元件区域和所述第二元件区域；沉积一钛层，在所述金属氮化物阻障层上；从所述第二元件区域中选择性地去除所述钛层，从而显露出所述第二元件区域中的所述金属氮化物阻障层；以及将所述第一元件区域中的所述钛层转变为一氮化钛层，其中，所述氮化钛层是所述第一元件区域中的一功函数层。
形成半导体元件方法

[发明专利]具有阻障层的半导体元件及其制备方法-CN202210137001.5在审
发明人：谢明宏 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供一种具有氟化铝阻障层的半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一电路层，设置在该基底上；一垫层，设置在该电路层中且包含铝及铜；一第一阻障层，设置在该电层上并包含氟化铝；以及一第一连接件，设置在该第一阻障层上。
具有阻障半导体元件及其制备方法

[发明专利]自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法-CN201310455370.X在审
发明人：童津泓 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法。铜区域在介电层中形成。包含有自组装单层的扩散阻障件沉积在铜区域上方。覆盖层沉积在自组装单层上方。
组装单层原位沉积作为铜助粘剂扩散阻障方法

[发明专利]自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法-CN201910627579.7在审
发明人：童津泓 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法。铜区域在介电层中形成。包含有自组装单层的扩散阻障件沉积在铜区域上方。覆盖层沉积在自组装单层上方。
自组装单层阻障件沉积气相沉积覆盖层铜区域助粘剂扩散介电层

[发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202110358809.1在审
发明人：林昌杰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：该半导体元件包括一基底；一鳍件，位在该基底上；一栅极结构，位在该鳍件上；一对源极/漏极区，位在该鳍件的两侧上；以及一磁性存储结构，位在该漏极区上并邻近该栅极结构；其中，该存储结构包含一下铁磁层、一通道阻障层以及一下铁磁层，该下铁磁层位在该漏极区上且具有可变磁极、该通道阻障层位在该下铁磁层上，该上铁磁层位在该通道阻障层上且具有固定磁极。
半导体元件及其制备方法

[发明专利]低阻抗交叉点架构-CN202080078630.4有效
发明人： R·维尼加拉;P·M·弗兰;J·贾巴拉杰·约翰利·穆图拉伊;E·S·埃格;K·L·拜克;T·阮;D·魏曼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：制造系统可在包含电极材料的图案化层及存储器材料的图案化层的分层组合件上沉积热阻障材料，之后沉积第一导电材料的第一层。所述制造系统可蚀刻所述分层组合件的第一区域以在所述第一导电材料的所述第一层、所述热阻障材料、所述存储器材料的所述图案化层及电极材料的所述图案化层中形成间隙。所述制造系统可在所述间隙中沉积第二导电材料以形成导电通路，其中所述导电通路延伸到所述热阻障材料上方的所述分层组合件内的高度。
阻抗交叉点架构

[发明专利]存储器装置-CN202210197132.2在审
发明人：黄彦霖;宋明远;李乾铭;林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁性穿隧接面与自旋轨道扭矩层堆叠于基底之上，且包括合成自由层、阻障层和参考层。合成自由层包括合成反铁磁结构、第一间隔件层和自由层，其中合成反铁磁结构设置在自旋轨道扭矩层和自由层之间。阻障层设置在合成自由层旁。参考层设置在阻障层旁。
存储器装置

[发明专利]插塞结构之电容器组障-CN03809450.9无效
发明人： G·A·贝特;N·纳格尔;孟邦基 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种被改良的阻障层系被揭示，用于减少插塞结构之电容器中之插塞的氧化。该阻障层系被形成于氧化钛之非传导性黏着层上。该阻障层系包括第一及第二阻障层，其中该第二阻障层覆盖该第一阻障层之上表面及侧壁。在一实施例中，该第一阻障层包含铱而该第二阻障层包含x氧化铱(IrOx)。电容器系被形成于该阻障层上。
结构电容器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710325044.5有效
发明人：李岱萤;吴昭谊;林榆瑄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该存储结构包括一存储元件、一第一阻障层、和一第二阻障层。存储元件包括氧氮化钛。第一阻障层包括硅和氧化硅之中至少一者。第一阻障层设置在存储元件上。第二阻障层包括钛和氧化钛之中至少一者。第二阻障层设置在第一阻障层上。
半导体结构及其形成方法

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