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[发明专利]电源键合引线焊点的可靠性检测方法-CN201410072811.2有效
发明人：章晓文;何小琦;恩云飞 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：一种电源键合引线焊点的可靠性检测方法，包括：建立键合引线焊点可靠性的测试装置，所述测试装置置于温循箱内，包括：键合引线、过渡片、粘接层和陶瓷基板，各键合引线键合设置在过渡片上，各条键合引线串联，串联后的键合引线一端连接电源的第一接线柱，另一端连接电源的第二接线柱，所述过渡片的粘接面粘接在粘接层上，所述粘接层设置在陶瓷基板上，键合引线为与电源键合引线相同类型的键合引线；通过所述测试装置获取键合引线焊点初始阻值和当前阻值，并根据初始阻值、当前阻值和预设倍数值判断键合引线焊点是否失效，当键合引线焊点失效时获取温度循环次数；根据温度循环次数判断电源键合引线焊点的可靠性。
电源引线可靠性检测方法

[发明专利]Mini LED/Micro LED灯珠的键合工艺和装置-CN202211152326.7在审
发明人：黄良斌;耿婷;黄良辉;王文磊 -专利权人：领先光学技术（江苏）有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini LED/Micro LED灯珠的键合工艺和装置，属于显示器制造领域，所述工艺包括：检测第一键合层的完整性；在第一键合层和第二键合层连接处制造物理黏附层，并对第二键合层进行固定；分别以第一键合层和第二键合层相对应的一个基准位置作为原点建立两个平面坐标系；获取第一键合层的区域特征值和第二键合层的区域特征值；判断所述第一键合层的区域特征值是否匀称的覆盖在第二键合层的区域特征值上；利用压合模具对所述第一键合层和第二键合层进行物理键合本发明通过获取第一键合层和第二键合层的进行数学模型化，预先进行模拟键合，保证了第一键合层和第二键合层之间的位置准确性，降低了因为尺寸原因或错位安装，而导致的返工。
mini led micro 工艺装置

[发明专利]三维存储器及其检测方法-CN202110748364.8有效
发明人：杨荟;汤强;史维华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：该三维存储器包括：存储阵列芯片，包括第一键合面；外围电路芯片，包括第二键合面，其中，存储阵列芯片在第一键合面处与外围电路芯片在第二键合面处键合连接；受检电路，包括位于存储阵列芯片中的第一导电层和位于外围电路芯片中的第二导电层，其中，第一导电层包括暴露于第一键合面的第一键合触点，第二导电层包括暴露于第二键合面的第二键合触点，第一导电层和第二导电层通过第一键合触点和第二键合触点键合连接后形成受检电路；以及检测模块，位于外围电路芯片和/或存储阵列芯片中，并与受检电路的第一端连接，用于检测受检电路的开路或者短路情况。
三维存储器及其检测方法

[实用新型]一种采用应力改善结构的键合装置-CN202320708811.1有效
发明人：刘畅畅;李军帅;孔玮 -专利权人：西湖烟山科技（杭州）有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体制造领域，尤其是一种采用应力改善结构的键合装置，针对现有的键合装置在使用过程中，加热板和压头表面的不均匀和表面清洁不到位，导致键合片容易出现损坏的问题，现提出如下方案，其包括外壳，所述外壳连接有加热底座，加热底座上连接有第三缓冲材料，第三缓冲材料连接有第四缓冲材料，外壳连接有压力头，压力头连接有第一缓冲材料，第一缓冲材料连接有第二缓冲材料，本实用新型能够在施加压力时，缓冲材料起到缓冲键合样品作用，保证键合样品处于等静压状态下，进一步提高键合样品每一处的受力均匀，防止键合样品破损，提高键合样品的良率，保证键合界面质量。
一种采用应力改善结构装置

[发明专利]一种用于增加微波器件匹配电路中的键合线电感连接模型-CN201410738965.0在审
发明人：多新中;陈强;任春岭;张复才;沈美根 -专利权人：江苏博普电子科技有限责任公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01P5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于增加微波器件匹配电路中的键合线电感连接模型，用于连接两个待连接体，其特征是，包括垫片和两条键合线；所述垫片上设置有金属部件；每条所述键合线连接所述金属部件和一个待连接体。本发明所达到的有益效果：在单层电容（或芯片或器件引脚）之间，插入一垫片，并且按照下图的要求打键合线。这样，在实现同一电感值的情况下，两根键合线的长度均比原先方案中的键合线长度短。从而在需要长键合线的微波匹配网络设计中，降低了键合线工艺难度，增加了工艺可靠性，提高了键合线。
一种用于增加微波器件匹配电路中的键合线电感连接模型

[实用新型]一种用于增加微波器件匹配电路中的键合线电感连接模型-CN201420762204.4有效
发明人：多新中;陈强;任春岭;张复才;沈美根 -专利权人：江苏博普电子科技有限责任公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01P5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于增加微波器件匹配电路中的键合线电感连接模型，用于连接两个待连接体，其特征是，包括垫片和两条键合线；所述垫片上设置有金属部件；每条所述键合线连接所述金属部件和一个待连接体。本实用新型所达到的有益效果：在单层电容（或芯片或器件引脚）之间，插入一垫片，并且按照下图的要求打键合线。这样，在实现同一电感值的情况下，两根键合线的长度均比原先方案中的键合线长度短。从而在需要长键合线的微波匹配网络设计中，降低了键合线工艺难度，增加了工艺可靠性，提高了键合线。
一种用于增加微波器件匹配电路中的键合线电感连接模型

[实用新型]FBAR滤波器-CN201921406463.2有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本实用新型提供一种FBAR滤波器，FBAR滤波器包括：键合衬底，键合衬底一侧设置有与第一键合层键合连接的第二键合层，支撑层设置在第一键合层远离第二键合层的一侧；第一电极，第一电极设置在支撑层远离第一键合层的一侧，支撑层空腔贯穿支撑层、第二键合层且两端分别接触第一电极、键合衬底；压电薄膜，压电薄膜设置在第一电极远离支撑层一侧，电极上引结构贯穿压电薄膜与第一电极连接，顶电极设置在压电薄膜远离第一电极一侧，与电极上引结构部分连接；第一通孔，第一通孔贯穿键合衬底与支撑层空腔连接。本实用新型无需设置牺牲层，保留了压电薄膜的完整性，并且这种在键合衬底上开孔的结构设计，结构稳定，不易塌陷，可以很好的改善压电薄膜的品质。
fbar 滤波器

[发明专利]一种LED器件及其引线键合方法-CN201811180957.3在审
发明人：阮承海;柯常明;黄锐琦;李志才;万垂铭;顾汉玉;侯宇 -专利权人：广东晶科电子股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED器件，包括：载体、位于载体上的LED芯片、以及连接LED芯片与所述载体的引线；LED芯片的电极与引线的一端键合连接，形成第一键合点；载体与引线的另一端键合连接，形成第二键合点；在第一键合点上层叠有第一焊球，使得第一键合点和第一焊球共同构成第一焊点；引线自第一焊点牵引至第二键合点且形成一个折点，折点处的夹角为直角或钝角，使得折点与LED芯片顶面之间的距离小于90μm。本发明的LED器件可有效增加第一键合点的强度，且实现引线键合走线的超低线弧。本发明还提供一种LED器件的引线键合方法。
键合点引线键合折点焊点键合连接焊球夹角为电极顶面钝角线弧走线牵引上层

[发明专利]一种微同轴键合接口-CN201911416253.6有效
发明人：周彪;王建;许向前;要志宏;史光华;孔令甲;常青松;袁彪;赵正桥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种微同轴键合接口，属于芯片连接结构技术领域，包括外导体、内导体、绝缘板以及支撑体；其中，外导体设有通腔；内导体悬空设置在通腔内，内导体的一端用于与键合芯片通过键合线键合；绝缘板设于通腔内且与内导体的键合端搭接，一端伸出通腔且伸出端与外导体的侧壁固定连接；支撑体设于通腔内且位于绝缘板的正下方，支撑体的顶端支撑于绝缘板的底面。本发明提供的一种微同轴键合接口，绝缘板的正下方设有支撑体，在内导体上进行键合操作时，能够避免因键合下压而造成内导体向下弯折或下坠的问题，确保键合点的结合强度高，从而保证键合质量，确保键合接口的信号传输稳定可靠
一种同轴接口

[发明专利]一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法-CN202110579209.8在审
发明人：张景文;时明月;刘静楠;王燕;张恒清;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法，通过在键合真空腔内设置射频电极和气源，采用移动承载台，在移动承载台上设置有键合承载台，键合承载台上设置有两个对称设置的样品承载台，样品承载台与键合承载台通过移动转台连接，移动转台能够在键合承载台上滑动，样品承载台与移动转台转动连接，样品承载台上端用于固定预键合晶圆，键合真空腔能够在键合真空腔和退火真空腔之间移动，形成相对固定的能够在独立空间内进行低温处理和退火处理的空间，能够实现在低温环境下进行，退火真空腔内的退火加热装置气体沉积原子层来避免不易键合界面的晶格失配，最后经过热退火处理装置对晶圆进行热退火，从而获得高质量的键合界面和键合强度。
一种原子离子清洁活化低温装置方法

[实用新型]晶圆键合装置-CN201922172247.2有效
发明人：欧欣;李忠旭;赵晓蒙;陈阳;黄凯 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆键合装置，包括：用于键合晶圆的键合腔；用于对键合后的所述晶圆进行逐级冷却的多个串联设置的温度缓冲腔；用于传送所述晶圆的多个晶圆传送模块，其设置于所述键合腔与所述温度缓冲腔之间以及多个串联设置的所述温度缓冲腔中相邻的所述温度缓冲腔之间本实用新型通过设置多个串联连接键合腔的温度缓冲腔，使键合后的晶圆在多个温度缓冲腔中逐级冷却，减少了对所述键合腔的占用时间，从而提升了键合腔的使用效率；同时，温度缓冲腔的设置还可以减小键合晶圆传递时的热冲击，使键合晶圆的热应力逐步释放，优化键合晶圆的整体形貌参数，避免了直接将高温键合晶圆从键合装置中取出而导致的键合晶圆解键合或碎裂问题。
晶圆键合装置

[发明专利]RF放大器封装-CN202111443631.7在审
发明人：约瑟夫斯·H·B·范德赞登;丹尼尔·玛森 -专利权人：安普林荷兰有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：根据本发明，RF功率FET包括布置在栅极键合条和第一漏极键合条之间的第二漏极键合条，第一漏极键合条连接到RF放大器封装的输出端。漏极指状物从第二漏极键合条朝向栅极键合条延伸，且漏极指状物朝向第一漏极键合条延伸。第二漏极键合条使用键合线连接到隔直电容器。这些键合线形成电感，该电感与RF功率FET的输出电容在RF放大器封装的工作频率处或RF放大器封装的工作频率附近进行谐振。通过在栅极键合条和第一漏极键合条之间布置第二漏极键合条，RF放大器封装可以以更高的频率工作。
rf 放大器封装

[实用新型]一种晶体键合夹具-CN201820865517.0有效
发明人：田鹏;高占成 -专利权人：北京椿树电子材料有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体键合夹具，包括支撑板和顶板，所述支撑板和顶板之间通过液压气缸连接，所述支撑板表面设有第一键合框和第二键合框，所述第一键合框和第二键合框内壁两侧均设有固定块，所述第一键合框内固定块的上方设有第一承压板，所述第二键合框内固定块的上方设有第二承压板，所述第一承压板和第二承压板底面与支撑板之间设有液压伸缩缸，第一承压板和第二承压板表面两端均设有立板，所述立板远离滑块一侧设有夹紧板，顶板底面设有第一键合压板和第二键合压板，第一键合压板和第二键合压板均通过支撑杆与顶板底面连接，本实用新型，晶体摆放、取拿方便，夹具运作一次能够将两组晶体同时进行键合，键合效率高。
键合承压板压板夹具支撑板本实用新型顶板底面晶体键合内固定块立板承压板表面液压伸缩缸支撑板表面内壁两侧液压气缸固定块夹紧板支撑杆底面滑块两组摆放运作

[实用新型]三维封装结构-CN201420155463.0有效
发明人：王文斌;王之奇;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种三维封装结构，包括：第一衬底，第一衬底上具有第一焊盘；位于第一焊盘上的第一键合层；位于第一键合层周围形成保护墙，所述保护墙的顶部表面高于第一键合层的表面；倒装在第一衬底上的第二衬底，所述第二衬底上具有第二焊盘，所述第二焊盘的表面上具有第二键合层，第二衬底上的第二键合层与第一衬底上的第一键合层键合连接，所述保护墙围绕所述第一键合层和第二键合层。本实用新型的三维封装结构具有保护墙，在进行第一键合层和第二键合层的键合时，防止第一键合层或第二键合层材料向键合面两侧的溢出。
三维封装结构

[发明专利]一种半导体晶圆、键合结构及其键合方法-CN201910324533.8有效
发明人：周云鹏;郭万里;胡杏;黄宇恒 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆、键合结构及其键合方法，该半导体晶圆将与其他晶圆进行晶圆级键合，在该晶圆中，在顶层覆盖层中形成有与互连结构电连接的键合垫，同时，在该顶层覆盖层中形成有键合对准图形，该键合对准图形的图案由设置于顶层覆盖层中的点阵组成这样，由于键合对准图形设置于顶层覆盖层中，顶层覆盖层之上将不再覆盖其他的材料层，提升键合设备对键合对准图形的识别能力，增大了键合制程工艺对准窗口，同时，键合对准图形的图案由点阵组成，更易于键合孔工艺集成
一种半导体结构及其方法

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