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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]键合机用键合工具、半导体元件键合用键合机及相关方法-CN201910066248.0在审
发明人：宋爱军;J·奈哈特;T·科洛西莫;B·特拉宾;M·瓦塞尔曼 -专利权人：库利克和索夫工业公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种用于在键合机上将半导体元件键合到基板的键合工具。键合工具包括本体部分，该本体部分包括用于在键合过程期间在键合机上接触半导体元件的接触区域。键合工具还包括从本体部分延伸的支座，并且该支座配置为在键合过程的至少一部分期间接触基板。
键合工具半导体元件键合过程键合机键合半导体元件键合接触基板接触区域支座配置基板延伸

[发明专利]用于晶圆键合的键合盘以及晶圆键合装置-CN202010956483.8在审
发明人：司伟;白龙 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆键合的键合盘以及晶圆键合装置，属于半导体晶圆加工领域。所述用于晶圆键合的键合盘从内侧到外侧依次包括压盘、石墨层、加热盘、冷却盘和隔热层，所述隔热层包括反射屏和基板，所述基板设置在反射屏的外侧，所述基板内设置有冷却介质循环通道。通过包括反射屏和基板的隔热层很好的防止加热盘热的量传导至连接件等部件，隔热效果好，加热盘加热效率高，基板冷却效果对加热盘加热时影响比较小。并且，本发明结构简单。
用于晶圆键合键合盘以及装置

[发明专利]用于直接键合晶片的晶片键合设备和晶片键合系统-CN201910549829.X在审
发明人：金兑泳;金俊亨;金会哲;罗勋奏;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：提供了一种晶片键合设备和一种晶片键合系统。所述晶片键合设备包括：下卡盘，所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片；上卡盘，所述上卡盘用于固定上晶片；键合引发器，所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分加压，直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分，由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程；以及键合控制器，所述键合控制器用于控制所述上晶片的周缘部分与所述下晶片的周缘部分之间的键合速度，使得在所述上晶片的周缘部分和所述下晶片的周缘部分键合之前
用于直接晶片设备系统

[发明专利]微发光装置的键合治具、键合设备及其键合方法-CN202210110504.3在审
发明人：徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明有关一种微发光装置的键合治具及其键合方法，其主要由若干块多孔板构成，各多孔板设有穿孔以容置依据待键合微发光装置待分离点设置的顶针，顶针两端凸伸出治具，其在待键合微发光装置端，为与待键合微发光装置的待分离点对应的接触端，而在针床端，则为与针床的弹簧针接触的接触端，各顶针依据待分离点具有适当的斜率，该针床端的多孔板穿孔外缘具有容设顶针端部的定位孔，且该定位孔深度依据所容置顶针的斜率大小而定，使待键合微发光装置端的顶针具有相同出针长度，具有提高键合治具的稳定性，避免微发光装置键合排列不齐的效果。
发光装置键合治具设备及其方法

[发明专利]一种键合对准机构、键合装置和键合对准方法-CN202111290299.5在审
发明人：王虎;安海岩;程谦 -专利权人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明属于半导体设备技术领域，公开了一种键合对准机构、键合装置和键合对准方法；所述键合对准机构包括：对准套筒、限位挡杆以及驱动件；所述对准套筒开设有支撑孔槽，所述限位挡杆可滑动地嵌于所述支撑孔槽内，所述驱动件与所述限位挡杆相连本发明提供的键合对准机构、键合装置和键合对准方法能够简化键合设备结构，提升兼容性。
一种对准机构装置方法

[发明专利]微发光装置的键合治具、键合设备及其键合方法-CN201810108493.9有效
发明人：徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明有关一种微发光装置的键合治具及其键合方法，其主要由若干块多孔板构成，各多孔板设有穿孔以容置依据待键合微发光装置待分离点设置的顶针，顶针两端凸伸出治具，其在待键合微发光装置端，为与待键合微发光装置的待分离点对应的接触端，而在针床端，则为与针床的弹簧针接触的接触端，各顶针依据待分离点具有适当的斜率，该针床端的多孔板穿孔外缘具有容设顶针端部的定位孔，且该定位孔深度依据所容置顶针的斜率大小而定，使待键合微发光装置端的顶针具有相同出针长度，具有提高键合治具的稳定性，避免微发光装置键合排列不齐的效果。
发光装置键合治具设备及其方法

[发明专利]制造用于热压键合的键合垫的方法以及键合垫-CN201310327642.8有效
发明人： C.谢林;D.博罗维斯基 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造用于热压键合的键合垫（100）的方法（200），其中，所述方法（200）具有提供步骤（202）和沉积步骤（204）。在所述沉积步骤（204）中将一单层的键合金属层（104）直接在所述布线金属层（106）的表面上进行沉积，用以制造所述键合垫（100）。
键合沉积半导体结构布线金属层热压键合制造键合金属层载体材料边缘层电接触体材料单层外部

[发明专利]晶圆键合结构、晶圆键合方法及芯片键合结构-CN202010762646.9有效
发明人：叶国梁;易洪昇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合结构、晶圆键合方法及芯片键合结构，第一晶圆包括非金属层区域和分布有所述第一金属层的金属层区域；位于非金属层区域的第一调整层低于位于金属层区域的所述第一调整层；第二调整层覆盖第一调整层化学机械研磨所述第二调整层和所述第一调整层，研磨液对第一调整层和第二调整层的研磨速率不同，使在非金属层区域剩余的第二调整层高于或低于在金属层区域剩余的第一调整层，在非金属层区域形成第一凸起部或第一凹陷部，以匹配与其键合的有凹陷或凸起的晶圆或芯片减少键合间隙，提高工艺质量以及产品良率。消除或减少由于化学机械研磨工艺带来的局部位置凹陷，修正上下晶圆的键合空隙，提高键合强度以及质量。
晶圆键合结构方法芯片

[实用新型]用于晶圆键合的键合盘以及晶圆键合装置-CN202021985222.0有效
发明人：司伟;白龙 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于晶圆键合的键合盘以及晶圆键合装置，属于半导体晶圆加工领域。所述用于晶圆键合的键合盘从内侧到外侧依次包括压盘、石墨层、加热盘、冷却盘和隔热层，所述隔热层包括反射屏和基板，所述基板设置在反射屏的外侧，所述基板内设置有冷却介质循环通道。通过包括反射屏和基板的隔热层很好的防止加热盘热的量传导至连接件等部件，隔热效果好，加热盘加热效率高，基板冷却效果对加热盘加热时影响比较小。并且，本实用新型结构简单。
用于晶圆键合键合盘以及装置

[发明专利]多功能半导体晶片键合装置-CN200610082853.X无效
发明人：杨国华;何国荣;石岩;宋国峰;郑婉华;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种多功能半导体晶片键合装置，包括键合腔室，该键合腔室中间的下部安装有一下压头；抽真空装置与键合腔室连接，控制真空泵机组对键合腔室抽真空，并且实时监测键合腔室的真空度；加热装置位于键合腔室内，对键合腔室加热到设定的温度，并且通过反馈装置保持键合腔室的温度在一定范围内，并且能够实时监测键合腔室的温度；气体氛围改变装置与键合腔室连接，改变键合腔室的气体氛围分别为真空、氮气氛围、氢气氛围或者氮气氢气混合氛围；施力装置位于键合腔室的任一侧，为键合腔室内的半导体晶片施加压力，并且可以实时监控键合晶片上施加的压力。
多功能半导体晶片装置

[发明专利]带有导线键合的半导体封装件-CN201480034338.7无效
发明人： A·P·乔希;G·拉金德兰;B·帕克斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种半导体封装件10具有管芯12，管芯12具有多个电连续管芯导线键合部位30，所述多个电连续管芯导线键合部位包括第一管芯导线键合部位32和第二管芯导线键合部位34。该封装件包括基板22，基板22具有多个电连续基板导线键合部位40，所述多个电连续基板导线键合部位包括第一基板导线键合部位42和第二基板导线键合部位44。第一键合线52被连接在第一管芯导线键合部位32与第一基板导线键合部位42之间，并且第二键合线54被连接在第二管芯导线键合部位34与第二基板导线键合部位44之间。第一和第二键合线52、54位于相邻的基本平行的键合线平面AA、BB内。第二键合线54相对于第一键合线52充分偏移。
带有导线半导体封装

[发明专利]芯片晶圆键合结构及键合方法-CN202310579092.2在审
发明人：蓝天;丁潇 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片晶圆键合结构及键合方法。所述芯片晶圆键合结构包括：基底晶圆，具有第一表面，在所述第一表面设置有第一键合柱；键合层，位于所述基底晶圆的第一表面，所述键合层包括至少一键合槽，所述第一键合柱位于所述键合槽底部；至少一芯片，位于所述键合槽内，所述芯片朝向所述基底晶圆的表面具有第二键合柱，所述第一键合柱与所述第二键合柱键合连接。上述技术方案通过设置所述键合层及键合槽，在晶圆键合时无需对准晶圆标记，仅需将所述芯片放置于所述键合槽中，并在所述基底晶圆及所述芯片的表面设置所述第一键合柱及所述第二键合柱，通过所述第一键合柱及所述第二键合柱完成所述基底晶圆及所述芯片的键合，提高键合效率。
芯片晶圆键合结构方法

[发明专利]晶粒键合设备和晶粒键合方法-CN202011330424.6在审
发明人：胡庆云;胡金 -专利权人：深圳市联得自动化装备股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶粒键合设备和晶粒键合方法，该晶粒键合设备包括：激光发生器；键合台，位于所述激光发生器发出的激光的光路上；压头，为透光材质；升降模块，用于带动所述压头在垂直于所述键合台的方向运动。上述晶粒键合设备通过压头向晶粒施加压力，同时激光透过压头使粘合材料融化，使晶粒在与基板键合过程中不会随着粘合材料融化而产生位置偏移或者角度变化，实现LED晶粒与基板稳定键合。
晶粒设备方法

[发明专利]晶圆键合结构及键合方法-CN202011478699.4在审
发明人：张栖瑜;王学毅 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合结构及键合方法，通过分别在第一晶圆及第二晶圆上制备对应设置的第一沟槽及第二沟槽，以及进行表面亲水性处理后，可通过在分立的晶粒上添加液体，以进行对应晶粒的贴合处理，从而依靠晶粒实现第一晶圆与第二晶圆的自对准键合；由于晶圆的自对准键合是基于晶粒进行的，从而本发明可适用于不同尺寸的晶圆间的自对准键合，适用范围较广；操作便捷，无需价格昂贵的自动对准键合机，可降低生产成本；通过表面亲水性处理及等离子体激活处理可提高晶圆表面能，降低退火温度，增加工艺流程的可靠性；第一沟槽及第二沟槽可作为热流道，提高自对准键合的效果。
晶圆键合结构方法

[发明专利]键合技术的键合能测试方法-CN202111314371.3在审
发明人：余汇宇;刘武 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本申请实施例公开了键合技术的键合能测试方法，包括如下步骤：提供键合样品，键合样品包括互相键合的第一键合部以及第二键合部，第一键合部包括相背的第一表面和第二表面，第二键合部位于第二表面的中部；对键合样品施加压力：在第一表面向第一键合部施加第一压力；同时，在第二表面或者在第一键合部的周侧面向第一键合部施加多个第二压力；记录第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时，对应的第一压力与第二压力；根据裂纹的长度、第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时对应的第一压力以及第二压力，计算键合能；通过控制第一压力与第二压力的大小可以降低键合样品破碎的风险，进而为晶圆的质量提供可靠保障。
技术键合能测试方法

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