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[发明专利]改善顶层铜互连层的丘状凸起缺陷的工艺方法-CN201910810022.7在审
发明人：魏想;贡祎琪 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善顶层铜互连层的丘状凸起缺陷的工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成顶层铜互连层；步骤二、形成铜溢出压制层，铜溢出压制层的生长温度低于后续刻蚀阻挡层的生长温度，使铜溢出压制层生长过程中铜溢出量减少或消除；同时铜溢出压制层为致密介质层，使形成铜溢出压制层之后再进行后续的刻蚀阻挡层的生长工艺时不再产生铜溢出；步骤三、形成刻蚀阻挡层。本发明能有效降低铜互连层的丘状凸起缺陷，特别是顶层铜互连层的丘状凸起缺陷。
溢出压制层铜互连层刻蚀阻挡层丘状凸起顶层生长致密介质层生长过程衬底半导体

[发明专利]功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法-CN201410213221.7有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法。所述功率半导体芯片包括发射极/源极区、栅极区和集电极/漏极区，在每一个电极区对应铜金属化结构依次包括阻挡层、籽铜层、铜金属化层，该铜金属化结构还包括增强层，其中，增强层位于籽铜层和铜金属化层之间，或者，增强层位于阻挡层和籽铜层之间，或者，增强层位于铜金属化层的上方。这种铜金属化结构能够减少铜金属化层的厚度，因而有利于降低铜金属化的工艺难度和成本，并且能够保证铜引线键合点的寿命与可靠性。
功率半导体芯片金属化结构及其制作方法

[发明专利]内嵌相机用的线路板的制备方法-CN202011639282.1在审
发明人：皇甫铭;徐美丽 -专利权人：福莱盈电子股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本申请公开一种内嵌相机用的线路板的制备方法，包括以下步骤：将第一铜层、绝缘层、第四铜层依次层叠在一起后形成第一基材层；将第二铜层和第一PI层构成一体式构造形成第一片材；将第五铜层和第二PI层构成一体式构造形成第二片材；将第一片材、第一基材层和第二片材压覆在一起；其中，第一片材的第一pi层与所述第一基材的第一铜层连接；所述第二片材的第二pi层与所述第一基材的第四铜层连接；将第三铜层和第一粘结层依次压覆在所述第四铜层上；将第二粘结层和第六铜层依次压覆在所述第五铜层上；在第三铜层、第一粘结层、第二铜层、第一pi层、第一铜层、绝缘层、第四铜层、第二pi层、第五铜层、第二粘结层以及第六铜层上开设有贯通的贯通槽；将钢片插入所述贯通槽内
相机线路板制备方法

[发明专利]一种驱动回路低寄生电感的功率模块-CN202011282835.2在审
发明人：郝凤斌;金晓行;刘杰;牛利刚 -专利权人：扬州国扬电子有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种驱动回路低寄生电感的功率模块，包括底板和设置于底板上的器件单元，所述器件单元包括绝缘基板、正电极、负电极、信号电极G、信号电极E和设于绝缘基板顶部的铜层，绝缘基板顶部的铜层包括分离的正极铜层、负极铜层、G极铜层和E极铜层，正电极与正极铜层连接，负电极与负极铜层连接，所述信号电极G与G极铜层连接采用第一叠层铜排，信号电极E与E极铜层或负极铜层连接采用第二叠层铜排，第一叠层铜排叠和第二叠层铜排上下叠层设置该功率模块信号电极与铜层之间采用叠层铜排，提高了连接的可靠性，减小了驱动回路寄生电感以及电阻，使得功率模块开关响应速度更快。
一种驱动回路寄生电感功率模块

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法和应用-CN201310409032.2无效
发明人：缪向水;黄醒 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的方法，包括如下步骤：（1）采用贫铜铜铟镓硒靶材，溅射第一贫铜铜铟镓硒预置层；（2）采用富铜铜铟镓硒靶材，在第一贫铜铜铟镓硒预置层上溅射富铜铜铟镓硒预置层；（3）采用贫铜铜铟镓硒靶材，在富铜铜铟镓硒预置层上溅射第二贫铜铜铟镓硒预置层；（4）热处理得到铜铟镓硒吸收层；贫铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为0.5～1.0，即0.5≤Cu/(In+Ga)≤1.0；富铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为1.0～1.5，即1.0≤Cu/(In+Ga)≤1.5。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收及其制备方法应用

[实用新型]一种LED基板-CN201220206528.0有效
发明人：谌扬波 -专利权人：东莞市米登五金有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种LED基板，包括顶铜层、设于顶铜层下方并结为一体的导热金属层、及设于导热金属层下方的底铜层，所述导热金属层是夹持于所述顶铜层与底铜层之间，且所述导热金属层与顶铜层及底铜层紧密结合为一体；本实用新型的
一种 led 基板

[实用新型]导磁性能好的铜包铝线-CN202220277042.X有效
发明人：邱健 -专利权人：吴江市宏欣复合材料有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：本申请公开了导磁性能好的铜包铝线，包括铜包铝线外管以及设置在铜包铝线外管一侧的耐高温层、散热层、透气层、绝缘层、导磁层、铜包铝线内管和铝线芯，所述铜包铝线外管内部粘合连接耐高温层，所述耐高温层内部粘合连接散热层为了增强铜包铝线的功能性，增强铜包铝线的使用寿命，铜包铝线内管外侧设置有导磁层，极大地提高了铜包铝线的导磁效果，导磁层外侧设置有防水层，增强了铜包铝线的防水效果，防水层外侧粘接有绝缘层，降低铜包铝线出现短路的情况，同时绝缘层外侧设置有耐高温层，极大地提高了铜包铝线的耐高温性能，同时增强了铜包铝线的功能性。
磁性铜包铝线

[发明专利]铜金属层图形化方法、铜插塞、栅极和互连线的形成方法-CN201310106729.2在审
发明人：王新鹏;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种铜金属层图形化方法、铜插塞、栅极和互连线的形成方法，铜金属层图形化方法包括：提供基底，在所述基底上形成铜金属层，在所述铜金属层上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，对暴露的铜金属层进行离子注入，所述离子注入的注入离子中含有卤素离子，所述暴露的铜金属层进行离子注入后形成铜卤材料层；去除所述铜卤材料层。本方法可以实现铜金属层的高效率刻蚀，并得到非常好的刻蚀形貌。
金属图形方法铜插塞栅极互连形成

[实用新型]一种散热性能好的FR4 PCB板结构-CN201921970219.9有效
发明人：梁锦辉 -专利权人：深圳市博盛科电子有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种散热性能好的FR4 PCB板结构，包括：PCB板本体，所述PCB板本体包括从上到下依次层叠设置的第一铜层、第一绝缘层、第二铜层、第二绝缘层、第三铜层、第三绝缘层和第四铜层，所述第一铜层、第二铜层、第三铜层、第四铜层的厚度均为2OZ，所述第一铜层上设有散热焊盘，所述散热焊盘上铺铜，所述散热焊盘上密集设有若干过孔，所述过孔连接所有的铜层，所述PCB板本体在所述第四铜层处对应所述过孔的区域设有开窗
一种散热性能 fr4 pcb 板结

[实用新型]一种高导连接银铜复合熔体-CN201822103463.7有效
发明人：郝庆乐;马佳;张冠星;钟素娟;侯江涛;李永;张雷;李涛 -专利权人：郑州机械研究所有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：一种高导连接银铜复合熔体，包括厚银层、厚铜层，以及设置在所述厚银层和厚铜层之间的银铜钎料钎焊层，所述银铜钎料钎焊层包括多层间隔分布的薄银层和薄铜层，所述银铜钎料钎焊层的长度方向上分散着将所述薄银层和薄铜层连接起来的碳纳米管；本实用新型在厚银层、厚铜层间连接使用含碳纳米管的银铜钎料钎焊层作为过渡钎焊层，既能增大银铜复合层结合强度，又能增加过渡层的导电导热性能，与传统的纯银带相比，可节约大量贵金属，大大降低了产品的成本，具有很好的经济效益和巨大的社会效益
钎焊层银铜钎料厚铜层厚银银铜复合熔体薄铜层薄银高导导电导热性能本实用新型含碳纳米管多层间隔连接使用碳纳米管贵金属传统的纯银带复合层过渡层节约

[发明专利]用于提高C4互连的可靠性的稳定铜覆盖层-CN200410074784.9无效
发明人： J·C·巴尔特洛;T－J·程;D·F·艾希施泰特;C·C·戈德史密斯;J·H·格里菲特;D·W·亨德森;R·A·库翁;S·基尔帕特里克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-09-14 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种用于提高C4互连的可靠性的稳定铜覆盖层。公开了改进的集成电路结构，其具有内部电路和在所述结构的外部上的互连(如，C4等)。根据本发明，这些互连包括：在所述结构的外部上的金属层，在金属层上的第一铜层，在铜层上的阻挡层，在阻挡层上的稳定铜层，以及在阻挡层上的锡基焊料凸起。稳定铜层具有足量的铜，以平衡铜在阻挡层上的化学势能梯度，并防止第一铜层内的铜扩散穿过阻挡层。可选地，可在锡基焊料凸起内包括足量的铜，以防止铜扩散穿过阻挡层。从而，锡基焊料凸起包括富铜焊料合金。
用于提高 c4 互连可靠性稳定覆盖层

[实用新型]一种陶铝COB线路支架的LED灯带-CN202020983712.0有效
发明人：董达胜;欧阳发堂;胡利军 -专利权人：深圳市聚能达业光电科技有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： F21S4/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶铝COB线路支架的LED灯带，包括陶瓷层、铜铝铜电路层、绝缘层、铜电路层、油墨层、LED灯芯片、荧光硅胶；所述油墨层在铜电路层上面，且油墨层开窗即设有镂空；所述铜铝铜电路层、铜电路层设有电路，且铜铝铜电路层与铜电路层之间的电路设有导通孔导通；所述铜电路层的电路设有电路正负极、电源正负极；所述LED灯芯片封装在镂空内，且LED灯芯片正负极与电路正负极连接；所述荧光硅胶包裹住LED灯芯片；本实用新型的有益效果在于
一种 cob 线路支架 led

[实用新型]一种无孔高导热厚铜电路板-CN201920004572.5有效
发明人：黄明安;胡小义;刘天明 -专利权人：四会富仕电子科技股份有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种无孔高导热厚铜电路板，包括厚铜底层、绝缘层、铜箔层和镀铜层，其特征在于：所述厚铜底层包括底层铜及与其形成一体的铜凸台，绝缘层和铜箔层依次重叠在厚铜底层上，并且绝缘层和铜箔层在铜凸台位置有同样形状同样大小的窗口，铜凸台上部与铜箔上表面处于一个水平面上，在此平面上有镀铜层，绝缘层两侧的铜层都有凹槽形成电隔离带。
绝缘层铜箔层厚铜镀铜层铜凸台厚铜电路板凹槽形成同样形状高导热隔离带上表面铜箔铜层无孔

[实用新型]镁铜复合烹饪用锅-CN200820057356.9有效
发明人：王树琪;盛志平;刘广耀;董杰;杨建新;张平;颜文辉;丁文江 -专利权人：上海交通大学;中条山有色金属集团有限公司
申请日： 2008-04-17 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： A47J36/02 文献下载
摘要：一种厨房用具领域中的镁铜复合烹饪用锅，包括：镁合金层、铜层锅体、镁铜扩散层，其中：铜层锅体的表面设有镁合金层，镁合金层和铜层锅体面积相等，铜层锅体和镁合金层之间设有镁铜扩散层。长期使用本实用新型能使补充人体必须的镁元素，有利于人体健康；本实用新型铜层锅体导热性能优良，具有节能省时的功效，另外锅底不易生锈，使用寿命长。
复合烹饪

[发明专利]铜互连结构及铜互连结构的制作方法-CN201310069905.X有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜互连结构及铜互连结构的制作方法。所述铜互连结构包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一层间介质层；贯穿所述第一层间介质层的铜插塞；位于所述第一层间介质层上的第二层间介质层；贯穿所述第二层间介质层的铜互连线；所述第一层间介质层与所述铜互连线之间具有第一保护层，所述第二层间介质层与所述铜互连线之间具有第二保护层。本发明提供的铜互连结构中，铜互连线与第一层间介质层之间包括第一保护层，铜互连线与第二介质层之间包括第二保护层，从而避免了铜互连线与第一层间介质层和第二层间介质层直接接触，防止第一层间介质层和第二层间介质层被铜互连线压裂
互连结构制作方法