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[发明专利]半导体装置-CN200810093815.3有效
发明人：薛光博;吴国宏 -专利权人：原景科技股份有限公司
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一半导体装置，包括第一金属区域、过孔、第二金属区域、开口以及第三金属区域。第一金属区域传导源/漏极电流。过孔位于第一金属区域上，第二金属区域则通过过孔电性连接第一金属区域以传导源/漏极电流，其中每两第二金属区域之间存在一间距。开口位于第二金属区域上，第三金属区域则通过开口电性连接第二金属区域，其中第三金属区域的电阻值小于第二金属区域的电阻值以及第一金属区域的电阻值。
半导体装置

[发明专利]金属绝缘体金属电容器-CN03806360.3有效
发明人：日野拓生;南善久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-01 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种MIM(金属绝缘体金属)电容器，设置有：衬底；第一金属区；形成在衬底与第一金属区之间的第二金属区；和形成在第一金属区与第二金属区之间的第一绝缘层；其中电容值由第一金属区与第二金属区的相对表面积确定；且该MIM电容器还设置有：形成在第二金属区与衬底之间的第三金属区；和形成在第三金属区与第二金属区之间的第二绝缘层；其中第三金属区连接到地电势。
金属绝缘体电容器

[实用新型]电池、电池电芯及集流体-CN201820248684.0有效
发明人：余玉英 -专利权人：深圳前海优容科技有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01M4/74 文献下载
摘要：本申请公开了一种电池、电池电芯及集流体，该集流体包括基膜和第一金属层，所述第一金属层设置在所述基膜上，所述第一金属层包括多个金属区，所述多个金属区包括第一金属区、多个第二金属区和多个第三金属区，所述多个第二金属区间隔设置，所述多个第二金属区通过对应的所述第三金属区与所述第一金属区连接，在垂直于所述第二金属区与所述第一金属区的连线方向上，所述第三金属区的尺寸不大于所述第二金属区的尺寸的一半。本申请的第三金属区形式局部高电阻能够防止电流过大而导致电池热失效。
金属区第一金属层集流体电池电芯电池基膜间隔设置高电阻连线申请垂直

[发明专利]一种微电子器件一体化封装结构及封装方法-CN201811559733.3在审
发明人：郝振宇;赵飞;宋敏燕;袁柱六;郑静 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电子器件一体化封装结构及封装方法，封装结构：包括底座及盖帽两部分，所述底座的中部为微电子器件的组装区，所述组装区的边缘设有用于连接微电子器件的内部金属区，底座的外周设有用于同外界互连的外部金属区，所述内部金属区与外部金属区通过内埋于底座中的金属通道一一连通，所述内部金属区与外部金属区之间设有中间金属区，通过中间金属区将内部金属区与外部金属区之间隔开，且中间金属区与外部金属区及内部金属区均不连通，所述盖帽的尺寸与所述中间金属区的尺寸相适配，所述盖帽通过中间金属区与底座形成密封连接，且盖帽与底座所形成的密封空间能够容纳微电子器件。
金属区微电子器件底座盖帽外部一体化封装结构组装区封装封装结构辐照屏蔽工艺实施金属通道密封空间密封连接不连通隔开互连内埋适配外周连通容纳

[实用新型]一种微电子器件一体化封装结构-CN201822139717.0有效
发明人：郝振宇;赵飞;宋敏燕;袁柱六;郑静 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微电子器件一体化封装结构，封装结构：包括底座及盖帽两部分，所述底座的中部为微电子器件的组装区，所述组装区的边缘设有用于连接微电子器件的内部金属区，底座的外周设有用于同外界互连的外部金属区，所述内部金属区与外部金属区通过内埋于底座中的金属通道一一连通，所述内部金属区与外部金属区之间设有中间金属区，通过中间金属区将内部金属区与外部金属区之间隔开，且中间金属区与外部金属区及内部金属区均不连通，所述盖帽的尺寸与所述中间金属区的尺寸相适配，所述盖帽通过中间金属区与底座形成密封连接，且盖帽与底座所形成的密封空间能够容纳微电子器件。
金属区微电子器件底座盖帽外部一体化封装结构本实用新型组装区封装结构辐照屏蔽工艺实施金属通道密封空间密封连接不连通隔开互连内埋适配外周连通容纳

[发明专利]一种陶瓷LED封装结构-CN202211726665.1在审
发明人：徐志荣;全美君;黄凯航;刘桂良;姜志荣;肖国伟 -专利权人：广东晶科电子股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷LED封装结构，一种陶瓷LED封装结构，其特征在于：包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有相邻的第一导电金属区和第二导电金属区，所述第一导电金属区、所述第二导电金属区均用于导电，所述第一导电金属区、所述第二导电金属区之间设有用于传导散热的导热区，所述导热区材质为金属材质，所述导热区用于间隔所述第一导电金属区和所述第二导电金属区。导热区在实现散热的同时，可将相邻的两个导电金属区分隔开，从而防止第一导电金属区与第二导电金属区之间的金属原子迁移，有效地解决了导电金属区间的金属迁移。且本方案结构简单，有利于节约LED产品的成本。
一种陶瓷 led 封装结构

[发明专利]天线装置以及电子设备-CN202111256602.X在审
发明人：徐成峰 -专利权人：歌尔科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明涉及天线技术领域，具体公开了一种天线装置及电子设备，包括电路板，电路板的一侧表面具有第一金属区域、非金属区域、第二金属区域，其中，第一金属区域位于非金属区域与第二金属区域之间，第一金属区域与第二金属区域连通，非金属区域上设置有天线，第二金属区域被配置为加载枝节，天线具有第一工作模式和第二工作模式，天线在第一工作模式与第一金属区域产生第一谐振，天线在第二工作模式与第一金属区域、第二金属区域产生第二谐振，且天线的两种工作模式在第二金属区域上形成电流相位差本申请将电路板的一部分金属区域作为加载枝节，这样在不影响产品外形和天线位置的情况下改善天线的辐射方向性，同时改善天线的工作带宽。
天线装置以及电子设备

[发明专利]半导体装置-CN201811597724.3在审
发明人：谷口智洋 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：实施方式的半导体元件具备：半导体层和金属电极。上述金属电极设置于上述半导体层上，包含接触上述半导体层的第1金属区域，设置于上述第1金属区域之上的第2金属区域，设置于上述第2金属区域之上的第3金属区域。上述第2金属区域将氧化物的标准生成自由能量比作为上述第1金属区域的主成分的金属元素大的金属元素以为主成分。上述第3金属区域具有，比从上述半导体层朝向上述第2金属区域的第1方向上的上述第1金属区域及上述第2金属区域的总厚度大的上述第1方向的厚度。
半导体装置

[实用新型]一种陶瓷LED封装结构-CN202223606075.3有效
发明人：徐志荣;全美君;黄凯航;刘桂良;姜志荣;肖国伟 -专利权人：广东晶科电子股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷LED封装结构，一种陶瓷LED封装结构，其特征在于：包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有相邻的第一导电金属区和第二导电金属区，所述第一导电金属区、所述第二导电金属区均用于导电，所述第一导电金属区、所述第二导电金属区之间设有用于传导散热的导热区，所述导热区材质为金属材质，所述导热区用于间隔所述第一导电金属区和所述第二导电金属区。导热区在实现散热的同时，可将相邻的两个导电金属区分隔开，从而防止第一导电金属区与第二导电金属区之间的金属原子迁移，有效地解决了导电金属区间的金属迁移。且本方案结构简单，有利于节约LED产品的成本。
一种陶瓷 led 封装结构

[实用新型]一种可控制电荷分布的金属化膜-CN201420319276.1有效
发明人：宋仁祥 -专利权人：安徽省宁国市海伟电子有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可控制电荷分布的金属化膜，包括屏带，屏带设置在金属化膜一侧的边缘处，所述金属化膜包括：第一金属区和第二金属区，在第二金属区内部设置有若干个等间距的矩形隔离条，隔离条与屏带相互连接在一起，并将第二金属区分割成独立单元，且第一金属区的方阻比第二金属区的方阻大，所述第一金属区的方阻为10～20欧姆/平方单位，第二金属区的方阻为2～10欧姆/平方单位。本实用新型所述金属化膜，在金属化膜上形成第一金属区和第二金属区，并在第二金属区内设置隔离条，通过控制第一金属区和第二金属区方阻的大小来实现控制电荷的分布与流动，避免电荷在局部集中，消除了金属化膜被烧灼或击穿
一种控制电荷分布金属化

[发明专利]可降低光漏电流的薄膜晶体管显示组件及其制造方法-CN200510076593.0有效
发明人：陈东佑;李刘中 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种显示组件，包括形成于一基板上的一栅极、覆盖栅极的一栅极绝缘层、一栅极非晶硅区、一源极金属区、一漏极金属区、一数据线金属区、一保护层和一导电层。栅极非晶硅区系形成于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方。源极金属区和一漏极金属区系形成于栅极非晶硅区上。数据线金属区系形成于栅极绝缘层上方，且数据线金属区和漏极金属区系相隔一间距。保护层系形成于栅极绝缘层上，并覆盖源极金属区、漏极金属区和数据线金属区，且保护层包括一第一介层洞(first via)及一第二介层洞(second via)，以分别暴露数据线金属区的部分表面和漏极金属区的部分表面导电层系形成于保护层上并覆盖第一介层洞和第二介层洞，以电性连接数据线金属区和漏极金属区。
降低漏电薄膜晶体管显示组件及其制造方法

[发明专利]集成电路结构、布局图方法和系统-CN201910308673.6有效
发明人：彭士玮;赖志明;杨超源;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：IC结构包括第一金属层中的第一多个金属区段，位于第一金属层上方的第二金属层中的第二多个金属区段，以及位于第二金属层上方的第三金属层中的第三多个金属区段。第一多个金属区段和第三多个金属区段中的金属区段在第一方向上延伸，以及第二多个金属区段的金属区段在与第一方向垂直的第二方向上延伸。第三多个金属区段的节距小于第二多个金属区段的节距。
集成电路结构布局方法系统

[实用新型]功率芯片快速测试基板结构-CN202220215213.6有效
发明人：程炜涛;姚阳 -专利权人：上海埃积半导体有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率芯片快速测试基板结构，包括绝缘基板，绝缘基板上设置有焊接区和金属区；焊接区用于在芯片测试过程中安装待测芯片；金属区包括第一金属区、第二金属区和第三金属区，第一金属区、第二金属区和第三金属区彼此绝缘隔离，焊接区与第二金属区连接，焊接区与第一金属区和第三金属区绝缘隔离；第一金属区和第二金属区均包括第一连接部和第二连接部，第一连接部均设置于绝缘基板上，用于在芯片测试过程中与待测芯片的测试电极连接，第二连接部均设置于绝缘基板外
功率芯片快速测试板结

[发明专利]高功率模块-CN201911367057.4在审
发明人：吴至强;彭明燦;谢士锴;林立松;何政翰;林宇洲 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：基板包含第一金属区、第二金属区及设置在第一金属区及第二金属区之间的第三金属区。该些第一功率芯片设置于第三金属区，并通过多个第一连接件连接至第一金属区。该些第二功率芯片设置于第二金属区，并通过多个第二连接件连接至第三金属区。正电极片呈C形环状，并连接于第一金属区。负电极片呈C形环状，并连接于第二金属区，且负电极片的开口朝向与正电极片的开口朝向相反。输出端电极片连接于第三金属区的一端。
功率模块

[实用新型]一种电容器用高耐压多串金属化薄膜-CN202020101157.4有效
发明人：王坤;方立龙;岑挺锋 -专利权人：广东意壳电子科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容器用高耐压多串金属化薄膜，包括第一薄膜、第二薄膜，第一薄膜和第二薄膜的下方设置有介质层，所述第一薄膜上设置有金属区、留边区以及加厚金属区，所述金属区设置于两加厚金属区之间，所述留边区位于金属区和加厚金属区之间，所述第二薄膜上设置有依次设置的金属区和留边区，加厚金属区方阻较低，损坏小，通流能力强，金属区相对方阻较高，耐压性能强，第一薄膜和第二薄膜层叠卷绕后形成多个串联的电容，同时通过形成加厚金属区，降低电容的方阻
一种电容器用耐压金属化薄膜

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