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[发明专利]硅基光调制器-CN201410620813.0有效
发明人：甘甫烷;汪敬;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 -专利权人：中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本发明的技术方案中，在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结，在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区，弥补解决离子注入对准误差的问题，并且提高了硅基光调制器的调制效率。
轻掺杂区凸条光调制器脊型波导平板部硅基掺杂类型调制效率对准误差方向延伸背对背耗尽区离子中和延伸

[发明专利]SOI MOS器件及其制作方法-CN202310283811.6在审
发明人：胡宁宁 -专利权人：中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI MOS器件及其制作方法，所述器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的栅极结构；位于栅极结构两侧的SOI衬底内的轻掺杂区；位于轻掺杂区内的源区与漏区，漏区的表面与轻掺杂区的表面相重合，源区的表面小于轻掺杂区的表面，且在源区远离栅极结构的一侧暴露出轻掺杂区的部分表面；以及至少位于暴露出的轻掺杂区的表面上的硅化物。本发明通过硅化物与下方的轻掺杂区形成欧姆接触，释放SOI MOS器件在体区内积累的空穴，从而抑制SOI MOS器件的浮体效应，提高器件可靠性；并且方法简单，不会增加器件的面积，并能够与常规CMOS工艺兼容
soi mos 器件及其制作方法

[发明专利]存储单元及其形成方法-CN201610079607.2有效
发明人：洪波;张帅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一种存储单元及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底内具有阱区；在衬底的阱区表面形成分立的选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构；以选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构为掩膜，在衬底的阱区内形成第一轻掺杂区、第二轻掺杂区和第三轻掺杂区，第一轻掺杂区和第二轻掺杂区位于选择栅结构两侧，且第二轻掺杂区位于相邻选择栅结构和浮栅结构之间，第三轻掺杂区位于相邻浮栅结构和伪栅结构之间；之后，在选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构的侧壁表面以及部分衬底表面形成侧墙；以浮栅结构、伪栅结构和侧墙为掩膜，在第三轻掺杂区内形成源区，第三轻掺杂区包围源区。
存储单元及其形成方法

[发明专利]N管IO组件及其制造方法-CN202010277151.7在审
发明人：白文琦;王世铭;黄志森;胡展源;杨会山 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种N管IO组件，轻掺杂漏区具有降低漏端电场的分散式结构，所述轻掺杂漏区的掺杂杂质为磷，所述轻掺杂漏区的离子注入为带角度的轻掺杂漏注入，所述轻掺杂漏区的分散式结构通过结合磷的扩散性、轻掺杂漏注入的注入角度和注入能量调节且调节到使热载流子寿命满足要求值；晕环注入区包括有采用共同的晕环离子注入工艺掺入的硼和碳的掺杂结构；晕环注入区的碳杂质分布结构作为轻掺杂漏区的磷杂质扩散的阻挡结构。
io 组件及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN202210989042.7在审
发明人：罗清威;周雨薇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有传输晶体管的栅极，位于所述栅极两侧的衬底中分别形成有光电转换部和浮动扩散部；所述浮动扩散部包括沿所述衬底厚度方向分布的相邻的N型轻掺杂区和P型轻掺杂区；注入氧离子到所述N型轻掺杂区和所述P型轻掺杂区的交界区域，形成位于所述N型轻掺杂区和所述P型轻掺杂区之间的氧化层。氧化层为绝缘层，氧化层使浮动扩散部的N型轻掺杂区和所述P型轻掺杂区之间的耗尽区变窄，则FD二极管的等效电容变小，从而提高了图像传感器的转移增益，改善了图像传感器暗光下的灵敏度。
图像传感器及其制作方法

[实用新型]一种浅沟道超结MOS半导体功率器件-CN202022095236.1有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浅沟道超结MOS半导体功率器件，该器件包括：N型重掺杂衬底，在N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂漂移区，在N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂区和P型阱区，该N型重掺杂区设置在P型阱区中间，在P型阱区上且靠近N型重掺杂区的N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，在远离栅结构区的N型重掺杂源区一侧相邻接的P型重掺杂源区，在P型阱区和N型重掺杂区上的栅结构区，该栅结构区采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出源极，栅结构引出栅极，N型重掺杂衬底下表面引出漏极。该器件通过N型轻掺杂区可以有效地减小栅沟道的比导通电阻，通过超结结构可以提高该器件的开关速度。
一种沟道 mos 半导体功率器件

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN200910201182.8有效
发明人：李敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底为N型掺杂；在所述半导体衬底上形成栅极结构；进行离子注入，在所述半导体衬底上形成轻掺杂源区与轻掺杂漏区，所述轻掺杂源区与轻掺杂漏区的注入离子为含硼元素离子所述等离子体处理既可以降低衬垫氧化层中的氢含量，还可以减少后续退火处理中轻掺杂源区与轻掺杂漏区的掺杂离子向衬垫氧化层中的扩散，避免了掺杂离子的过度损失。
半导体器件制作方法

[发明专利]用于过压保护的双极型电压抑制二极管-CN201610785453.9在审
发明人：孙玉华 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种用于过压保护的双极型电压抑制二极管，包括具有第一重掺杂N型区、重掺杂P型区和第二重掺杂N型区的P型单晶硅片，所述重掺杂P型区与第一重掺杂N型区接触的区域且位于边缘的四周区域具有第一轻掺杂N型区，此第一轻掺杂N型区的上表面与第一重掺杂N型区的接触，此第一轻掺杂N型区的外侧面与第一沟槽接触；所述重掺杂P型区与第二重掺杂N型区接触的区域且位于边缘的四周区域具有第二轻掺杂N型区，此第二轻掺杂N型区的下表面与第二重掺杂N型区的接触，此第二轻掺杂N型区的外侧面与第二沟槽接触。
用于保护双极型电压抑制二极管

[发明专利]一种双向瞬态电压抑制保护器件-CN201410253195.0有效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向瞬态电压抑制保护器件，包括上台体、中台体和下台体，第一重掺杂N型区位于第一轻掺杂N型区正上方并形成第一接触面，第二重掺杂N型区位于第二轻掺杂N型区正下方并形成第二接触面，第一接触面为上凸面，第二接触面为下凹面；上台体包括第一轻掺杂N型区、第一重掺杂N型区，中台体从上至下依次为第一轻掺杂P型区、重掺杂P型区和第二轻掺杂P型区，下台体包括第二轻掺杂N型区、第二重掺杂N型区；第一重掺杂N型区、第一轻掺杂N型区接触并位于其正上方。
一种双向瞬态电压抑制保护器件

[发明专利]利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法-CN201410357174.3有效
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;刘飞珏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型轻掺杂离子注入区，P型轻掺杂离子注入区包括P型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区包括P型阱、栅极、介质层，以及对应于P型阱的接触孔；对P型轻掺杂离子注入区注入P型轻掺杂离子；经负电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免P型轻掺杂离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。
利用监控掺杂离子注入对准结构方法

[发明专利]图像传感器和图像传感器的使用方法、制造方法-CN201110213087.7有效
发明人：巨晓华;饶金华;周雪梅;吴小利;张克云 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器和图像传感器的使用方法、制造方法，所述图像传感器包括：多个像素单元，所述像素单元形成于第一隔离结构、第二隔离结构之间，所述像素单元包括：衬底；位于衬底上的第一型掺杂阱区，位于所述第一型掺杂阱区中的第二型轻掺杂区，位于所述第二型轻掺杂区中的第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区，所述第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区依次位于第一隔离结构和第二隔离结构之间。
图像传感器使用方法制造方法

[发明专利]太阳能电池片及其制备方法-CN201811105298.7在审
发明人：刘志强;费正洪 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池片，其包括硅片；位于所述硅片表面的扩散层，所述扩散层包括轻掺杂区、缓冲掺杂区、重掺杂区，所述重掺杂区位于所述缓冲掺杂区内，轻掺杂区的方阻＞缓冲掺杂区的方阻＞重掺杂区的方阻；电极，所述电极位于所述重掺杂区上并与所述重掺杂区形成欧姆接触。本发明的太阳能电池片，通过设置缓冲掺杂区，且缓冲掺杂区的方阻介于轻掺杂区与重掺杂区之间，当由于工艺误差电极与重掺杂区不能完全重合时，缓冲掺杂区可以与偏移的电极形成欧姆接触，由于其掺杂适中，不会导致少子寿命严重偏低
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器-CN201911357237.4有效
发明人：陈代高;肖希;王磊;张宇光;胡晓;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器，涉及光电探测技术领域，包括硅波导、硅衬底、轻掺杂硅区、重掺杂硅区、锗吸收区、外延硅区、外延硅掺杂区、第一电极和第二电极；硅波导用于传播入射光；硅衬底用于接收硅波导传播的入射光；轻掺杂硅区设于硅衬底中；重掺杂硅区设于轻掺杂硅区中；锗吸收区设于轻掺杂硅区上，且锗吸收区包括远离硅波导的第一部分，第一部分在轻掺杂硅区上的投影面为圆弧状；外延硅区环绕并覆盖于锗吸收区上；外延硅掺杂区覆盖于锗吸收区的顶部；第一电极设于重掺杂硅区上，且形状与重掺杂硅区匹配；第二电极设于外延硅掺杂区上。
一种带宽响应光电探测器

[实用新型]硅基光调制器-CN201420660874.5有效
发明人：甘甫烷;汪敬;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 -专利权人：江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本实用新型的技术方案中，在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结，在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区，弥补解决离子注入对准误差的问题，并且提高了硅基光调制器的调制效率。
硅基光调制器

[实用新型]一种平面型分裂栅的IGBT半导体功率器件-CN202021991524.9有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面型分裂栅的IGBT半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底上的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区上的P型阱区，P型阱区一侧的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂区，远离栅结构的N型重掺杂区一侧的P型重掺杂区，该N型重掺杂区和P型重掺杂区相连构成重掺杂发射区，P型阱区另一侧的N型重掺杂缓冲区，N型重掺杂缓冲区上的P型重掺杂集电极区，P型阱区中间有贯穿P型阱区并延伸至N型轻掺杂漂移区的栅结构，该栅结构采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂发射区上的发射极，P型重掺杂集电极区上的集电极，栅结构区上的栅极。
一种平面分裂 igbt 半导体功率器件