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[发明专利]瞬时电压抑制装置-CN202310129624.2在审
发明人：陈致维;林冠宇;范美莲;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种瞬时电压抑制装置，其包括至少一个N型轻掺杂结构、一第一P型井区、一第二P型井区、一第一N型重掺杂区与一第二N型重掺杂区。第一P型井区与第二P型井区设于N型轻掺杂结构中，第一N型重掺杂区与第二N型重掺杂区分别设于第一P型井区与第二P型井区中，第一P型井区的掺杂浓度高于第二P型井区的掺杂浓度。第一P型井区与第二P型井区可以P型轻掺杂井区来取代，其中P型轻掺杂井区分别具有位于N型重掺杂区的下方的P型重掺杂区。
瞬时电压抑制装置

[发明专利]半导体结构、其制作方法、存储器、存储系统与电子设备-CN202111284207.2在审
发明人：王欣;许文山;甘程 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构包括基底结构、栅极结构、介质层和金属层，其中，基底结构包括间隔的源区和漏区，源区和漏区包括轻掺杂漏区，栅极结构位于基底结构的表面上且部分位于间隔的轻掺杂漏区之间，介质层至少位于轻掺杂漏区的表面上，金属层位于介质层的远离轻掺杂漏区的表面上，且与零电位连接。因此，该半导体结构，通过在轻掺杂漏区上形成介质层，在介质层上形成金属层，将金属层连接零电位，使得轻掺杂漏区和栅极结构重叠的地方的电子从轻掺杂漏区的表面向底部移动，进而缓解了轻掺杂漏区与栅极结构的重叠区域的电场过大而导致器件较早的发生击穿的问题
半导体结构制作方法存储器存储系统电子设备

[发明专利]一种NMOS器件及其制作方法-CN201410532290.4有效
发明人：王志强;康峰;张琨鹏;闵天圭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种NMOS器件及其制作方法，包括：第一栅极结构和第二栅极结构；位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区；位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区；位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区本发明能够使得源漏串联电阻降低40％左右，线性区和饱和区的跨导分别增加50％和20％左右，获得较小的漏电流和较低功耗。
一种 nmos 器件及其制作方法

[发明专利]一种基于应力硅的硅基电光调制器及其制作方法-CN202010663363.9在审
发明人：周治平;李德钊 -专利权人：北京爱杰光电科技有限公司;北京大学深圳研究院
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于应力硅的硅基电光调制器及其制作方法，包括：阴极，所述阴极沿横向依次设置第一重掺杂区、第一中等掺杂区及第一轻掺杂区，其中所述第一轻掺杂区包括一体成形且互相垂直的平板区一及凸条区一；阳极，所述阳极沿横向依次设置第二重掺杂区、第二中等掺杂区及第二轻掺杂区，其中所述第二轻掺杂区包括一体成形且相互垂直的平板区二及凸条区二，所述第一轻掺杂区的所述凸条区一与所述第二轻掺杂区的所述凸条区二电性连接；压应力薄膜区，所述压应力薄膜区与所述平板区一接触；张应力薄膜区，所述张应力薄膜区与所述平板区二接触；本发明利用薄膜应力改变硅晶体中硅原子晶格常数，提高其中电子或空穴的迁移率，降低环路电阻。
一种基于应力电光调制器及其制作方法

[实用新型]一种基于应力硅的硅基电光调制器-CN202021350401.7有效
发明人：周治平;李德钊 -专利权人：北京爱杰光电科技有限公司;北京大学深圳研究院
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于应力硅的硅基电光调制器，包括：阴极，所述阴极沿横向依次设置第一重掺杂区、第一中等掺杂区及第一轻掺杂区，其中所述第一轻掺杂区包括一体成形且互相垂直的平板区一及凸条区一；阳极，所述阳极沿横向依次设置第二重掺杂区、第二中等掺杂区及第二轻掺杂区，其中所述第二轻掺杂区包括一体成形且相互垂直的平板区二及凸条区二，所述第一轻掺杂区的所述凸条区一与所述第二轻掺杂区的所述凸条区二电性连接；压应力薄膜区，所述压应力薄膜区与所述平板区一接触；张应力薄膜区，所述张应力薄膜区与所述平板区二接触；本实用新型利用薄膜应力改变硅晶体中硅原子晶格常数，提高其中电子或空穴的迁移率，降低环路电阻。
一种基于应力电光调制器

[实用新型]一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件-CN202021991680.5有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上的N型轻掺杂漂移区，在N型轻掺杂漂移区上的P型阱区和N型重掺杂缓冲区，在P型阱区上的N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂区，在远离栅结构的N型重掺杂区一侧的P型重掺杂区，该N型重掺杂区和P型重掺杂区彼此相连构成重掺杂发射区，在N型重掺杂缓冲区上的P型重掺杂集电极区，在N型轻掺杂漂移区上的栅结构区，该栅结构区为槽栅型结构，且采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂发射区上的发射极，P型重掺杂集电极区上的集电极，栅结构区上的栅极。
一种平面 igbt 半导体功率器件

[实用新型]一种基于碳化硅的肖特基PIN二极管-CN202022141553.2有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于碳化硅的肖特基PIN二极管，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上的N型重掺杂区，在N型重掺杂区上的N型轻掺杂区和低掺杂本征半导体区，在N型轻掺杂区上的金属区，在低掺杂本征半导体区上的P型掺杂区，在P型掺杂区、低掺杂本征半导体区和金属区的上表面的正极，在N型重掺杂区上表面的负极，在N型轻掺杂区上表面的硅氧化物绝缘区。该器件通过金属区和N型轻/重掺杂区构成的肖特基二极管，和P型掺杂区、低掺杂本征半导体区和N型重掺杂区构成的PIN二极管，可以有效地降低该半导体器件的开关损耗和提高其开关速度。
一种基于碳化硅肖特基 pin 二极管

[发明专利]一种耐高温整流二极管器件-CN201410252279.2有效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种整流二极管器件，包括上台体和与上台体底面面接触的下台体，上台体和与上台体各自的外侧面均为斜面，此上台体包括轻掺杂N型区、重掺杂N型区，此下台体包括重掺杂P型区、轻掺杂P型区；轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域且位于第一轻掺杂N型区边缘的四周区域具有中掺杂N型区，轻掺杂P型区与重掺杂P型区接触的下部区域且位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区，PN结接触面的中央区域具有上凸面，所述
一种耐高温整流二极管器件

[实用新型]一种耐高温整流二极管器件-CN201420304420.4有效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种耐高温整流二极管器件，包括上台体和与上台体底面面接触的下台体，上台体和与上台体各自的外侧面均为斜面，上台体包括轻掺杂N型区、重掺杂N型区，下台体包括重掺杂P型区、轻掺杂P型区；轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域且位于第一轻掺杂N型区边缘的四周区域具有中掺杂N型区，轻掺杂P型区与重掺杂P型区接触的下部区域且位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区，PN结接触面的中央区域具有上凸面
一种耐高温整流二极管器件

[发明专利]倒锥型大功率硅锗光电探测器及提高入射光功率的方法-CN201611156831.3有效
发明人：王磊;肖希;陈代高;李淼峰 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：该探测器包括入射波导、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、锗波导、本征区，光从入射波导入射，所述第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、本征区组成有两层台阶的单脊波导结构，第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、本征区的横截面围成梯形，在梯形与入射波导连接处，梯形宽度与入射波导宽度相等，梯形沿着光传播方向宽度由宽变窄；锗波导的横截面为梯形，宽度沿着光传播方向由窄变宽；本征区的横截面为梯形
倒锥型大功率光电探测器提高入射功率方法

[发明专利]双向静电放电保护装置-CN202010917519.1在审
发明人：陈致维;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向静电放电保护装置，其包含重掺杂半导体基板、第一半导体磊晶层、第二半导体磊晶层、重掺杂区与轻掺杂区。基板、重掺杂区与轻掺杂区为第一导电型，磊晶层为第二导电型。第一半导体磊晶层与第二半导体磊晶层依序设在基板上，重掺杂区与轻掺杂区设在第二半导体磊晶层中。轻掺杂区覆盖重掺杂区的角落，重掺杂半导体基板与第一半导体磊晶层之间的接口的崩溃电压对应第二半导体磊晶层与重掺杂区之间的接口的崩溃电压。
双向静电放电保护装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910133520.2有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在栅极结构两侧的基底中形成轻掺杂区；形成轻掺杂区后，在栅极结构两侧的基底中形成一层或多层浓度缓冲层，形成浓度缓冲层的步骤包括：在栅极结构的侧壁上形成侧墙层；以侧墙层为掩膜进行掺杂，在栅极结构两侧的基底中形成浓度缓冲层，且掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度；当形成多层浓度缓冲层时，远离轻掺杂区的浓度缓冲层的掺杂浓度大于靠近轻掺杂区的浓度缓冲层的掺杂浓度；在浓度缓冲层上形成源漏掺杂层，且源漏掺杂层的掺杂浓度高于浓度缓冲层的掺杂浓度。源漏掺杂层中的高浓度掺杂离子不易穿过浓度缓冲层扩散至轻掺杂区中，栅极结构不易被破坏，提高了半导体结构的电学性能和可靠性。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]太阳能电池片-CN201821556074.3有效
发明人：刘志强;费正洪 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池片，其包括硅片；位于所述硅片表面的扩散层，所述扩散层包括轻掺杂区、缓冲掺杂区、重掺杂区，所述重掺杂区位于所述缓冲掺杂区内，轻掺杂区的方阻＞缓冲掺杂区的方阻＞重掺杂区的方阻；电极，所述电极位于所述重掺杂区上并与所述重掺杂区形成欧姆接触。本实用新型的太阳能电池片，通过设置缓冲掺杂区，且缓冲掺杂区的方阻介于轻掺杂区与重掺杂区之间，当由于工艺误差电极与重掺杂区不能完全重合时，缓冲掺杂区可以与偏移的电极形成欧姆接触，由于其掺杂适中，不会导致少子寿命严重偏低
重掺杂区缓冲掺杂区方阻太阳能电池片轻掺杂区电极本实用新型欧姆接触扩散层掺杂电极形成工艺误差硅片表面少子寿命偏移硅片重合电池

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202211233564.0有效
发明人：李伟聪;伍济 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种快恢复二极管，包括阳极金属、P型轻掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区、沟槽、N型漂移区、N型衬底和阴极金属；P型轻掺杂区的顶部与阳极金属连接，P型重掺杂区的顶部与阳极金属连接；沟槽位于P型轻掺杂区与P型重掺杂区之间，沟槽的深度大于P型轻掺杂区的深度，沟槽的深度大于P型重掺杂区的深度；沟槽内设有介质层；P型掺杂区设置于P型重掺杂区下方，并与沟槽底部连接；沟槽与P型掺杂区配合，形成相对于P型重掺杂区的半包围结构。本发明提供的快恢复二极管的半包围结构可保护结深较浅的P型重掺杂区，从而快恢复二极管能获得较宽的安全工作区。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]GGNMOS结构及其制作方法-CN202211344006.1在审
发明人：方明旭;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供一种GGNMOS结构及其制作方法，所述结构包括：形成有P阱和间隔设置于P阱中的两个轻掺杂漏区的P型衬底；源极；n个间隔设置的第一重掺杂区；m个间隔设置的第二重掺杂区；覆盖两个轻掺杂漏区之间的P型衬底以及两个轻掺杂漏区的部分表面的第一栅极结构；以及，位于n个第一重掺杂区之间间隔中的轻掺杂漏区上的第二栅极结构；其中，第一重掺杂区和第一重掺杂区之间间隔中的轻掺杂漏区构成重掺杂和轻掺杂交替的漏极，m
ggnmos 结构及其制作方法