[实用新型]一种低导通压降的晶闸管芯片有效
| 申请号： | 201621257549.X | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN206194744U | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王民安;郑春鸣;黄永辉;王志亮;汪杏娟;王日新 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)44240 | 代理人： | 叶绿林,杨大庆 |
| 地址： | 245000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低导通压降的晶闸管芯片，包括N型长基区，P型短基区，P型阳极区，N+阴极发射区及设置在N+阴极发射区四周的沟槽；所述位于N+阴极发射区下方的P型短基区的厚度为位于沟槽位置处P型短基区厚度的45％～65％。所述N+阴极发射区到沟槽的最小距离为250～400um。本实用新型通过减少N+阴极发射区下方P型短基区的厚度，从而降低晶闸管芯片的导通压降，且能够保证耐压值不变，可广泛应用于晶闸管芯片领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低导通压降 晶闸管 芯片 | ||
【主权项】：
一种低导通压降的晶闸管芯片，包括N型长基区(1)，P型短基区(2)，P型阳极区(3)，N+阴极发射区(4)及设置在N+阴极发射区(4)四周的沟槽(5)；其特征在于：所述位于N+阴极发射区(4)下方的P型短基区(2)的厚度为位于沟槽(5)位置处P型短基区(2)厚度的45％～65％。
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