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[实用新型]一种晶闸管/整流二极管管芯复合组件-CN202320207750.0有效
发明人：王民安;王志亮;黄永辉;冯民生;董蕊;方国辉;王宏伟;汪杏娟;王日新 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶闸管/整流二极管管芯复合组件，包括未做欧姆接触金属化层的芯片和钼片烧结形成的管芯，管芯阳极面的底部设置有铜片，且，所述的钼片厚度是为所述的铜片厚度的七分之一至十分之七。本实用新型采用减薄钼片厚度，该厚度是现有技术制造管芯所用的钼片七分之一至十分之七，节约成本，选用与管芯直径略大的优质铜片。铜片由于具有良好的导电、导热和可塑性的特性，有一定的机械强度，一面与钼片接触，另一面与平整度、粗糙度较差的电极面接触，在装配时依靠螺栓的压力下“填平”了电极局部较差平整度、粗糙度，实现了受力均匀、导电、导热良好的紧密接触层，使管芯能够长期稳定运行。
一种晶闸管整流二极管管芯复合组件

[发明专利]一种整流二极管芯片结构及其制备方法-CN201710649775.5有效
发明人：王民安;黄富强;汪杏娟;郑春鸣;叶民强;黄永辉;王志亮;王日新 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种整流二极管芯片结构及其制备方法，该整流二极管芯片结构包括长基区N，设置在长基区N上表面的N+层，设置在长基区N下表面的P和P+层，所述N+层向下延伸至P层设有电压槽，所述电压槽位于芯片的周边，为单边槽结构；在P层平面上设置有P型凸台，所述P型凸台位于电压槽的下方；所述P型凸台的宽度大于电压槽底部的宽度。所述电压槽斜边的长度大于N型基区的厚度，以利于耗尽层的展宽。该整流二极管芯片具有机械强度好，且不容易崩边，能够有效提高了合格率和电特性。可广泛应用于整流二极管芯片领域。
一种整流二极管芯片结构及其制备方法

[发明专利]一种压接式二极管管芯制作方法-CN202110389795.X有效
发明人：王民安;王日新;汪杏娟;郑春鸣;黄永辉;王志亮 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种压接式二极管管芯及制作方法，包括以下步骤：1)制备二极管扩散片，2)腐蚀电压槽，3)电压槽淀积多晶硅膜或氮化硅膜，4)电压槽玻璃钝化，5)刻蚀去除不需要多晶硅膜或氮化硅保护的大部分阴极面和阳极面区域的钝化膜，6)芯片与钼片的焊接，7)阴极面蒸铝，8)阴极面铝层选择腐蚀，9)铝层微合金。进一步10)管芯阳极面钼片单面多层金属化，11)电压槽涂覆第三保护层。焊接前对芯片测试，剔除掉不合格芯片，避免了钼片等浪费，不合格芯片钼片经过处理后再次利用。电压槽采用三层保护，降低管芯在高温动态下测试的漏电流；钼片设置钛镍银多层金属保护防止氧化，降低了热阻和电阻，减少功耗。
一种压接式二极管管芯制作方法

[实用新型]一种用于芯片上电极压接的工装-CN202222593343.6有效
发明人：陈明;方国辉;全美淑;汪军锋;王宏伟;谢富强;王民安;汪杏娟 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01R43/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于芯片上电极压接的工装，包括下基板、定位板以及上压板；还包括限位部，限位部用于在下基板上对定位板的X、Y向限位，限位部用于在下基板上对上压板的X、Y、Z向限位，且限位部与定位板以及上压板均为可拆卸连接；定位板端部开设有定位槽，定位槽用于放置芯片以及上电极，定位槽的内壁轮廓限位出芯片的外部轮廓；上压板位于定位板的上方，上压板的底部设置有预压头，用于将上电极预压于芯片的上端面。本实用新型通过设计一款新的工装，针对上电极的压接工序，能够提高工作效率，保持产品品质的稳定性。
一种用于芯片电极工装

[发明专利]一种压接式晶闸管管芯及制作方法-CN202110388560.9在审
发明人：王民安;王日新;汪杏娟;郑春鸣;黄永辉;王志亮 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种压接式晶闸管管芯及制作方法，包括以下步骤：1)制备晶闸管扩散片，2)腐蚀电压槽，3)电压槽淀积多晶硅膜或氮化硅膜，4)电压槽玻璃钝化，5)刻蚀去除不需要多晶硅膜或氮化硅保护的大部分阴极面和阳极面区域的钝化膜，6)芯片与钼片的焊接，7)阴极面蒸铝，8)阴极面铝层选择腐蚀，9)铝层微合金。进一步10)管芯阳极面钼片单面多层金属化，11)电压槽涂覆第三保护层。焊接前对芯片测试，剔除掉不合格芯片，避免了钼片等浪费，不合格芯片钼片经过处理后再次利用。电压槽采用三层保护，降低管芯在高温动态下测试的漏电流；钼片钛镍银多层金属保护防止氧化，降低了热阻和电阻，减少功耗。
一种压接式晶闸管管芯制作方法

[实用新型]整流二极管芯片-CN201920259427.1有效
发明人：王民安;马霖;王日新;郑春鸣;全美淑;谢富强;王志亮;董蕊;岳春艳;戴永霞;倪小兰;汪杏娟;胡丽娟;黄永辉;项建辉;陈明;曹红军 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种整流二极管芯片，包括长基区N，设置在长基区N上表面的掺浓磷扩散层N+，设置在长基区N下表面的阳极区P，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；其特征在于：在长基区N上局部设置有P型凸台，该P型凸台与阳极区P连通成一体，所述P型凸台位于电压槽的下方，电压槽的底部部分位于长基区N上，部分位于P型凸台上。本实用新型通过P型隔离层和P+阻挡层能够有效降低器件工作时的功耗，提高产品合格率，可广泛应用于二极管芯片领域。
长基区凸台本实用新型扩散层上表面阳极区浓磷整流二极管芯片产品合格率二极管芯片降低器件局部设置向下延伸下表面阻挡层功耗连通应用

[实用新型]一种晶闸管芯片结终端结构-CN201920255980.8有效
发明人：王民安;马霖;王日新;郑春鸣;全美淑;谢富强;王志亮;董蕊;岳春艳;戴永霞;倪小兰;汪杏娟;胡丽娟;黄永辉;项建辉;陈明;曹红军 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶闸管芯片结终端结构，包括长基区N，阳极区P1、短基区P2，设置在P2上的阴极区N
晶闸管芯片凸台本实用新型长基区短基区产品合格率结终端结构晶闸管结构槽结构电特性短路点控制区阳极区阴极区崩边门极斜角连通扩散应用

[实用新型]一种低功耗的二极管芯片结构-CN201920255195.2有效
发明人：王民安;马霖;王日新;郑春鸣;全美淑;谢富强;王志亮;董蕊;岳春艳;戴永霞;倪小兰;汪杏娟;胡丽娟;黄永辉;项建辉;陈明;曹红军 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低功耗的二极管芯片结构，包括长基区N，设置在长基区N下方的阳极区P，所述长基区N的外侧设置有一圈P型隔离层，所述P型隔离层的下方与阳极区P相连。所述P型隔离层的外侧还设置有P+缓冲阻挡层。本实用新型通过P型隔离层和P+缓冲阻挡层能够有效降低器件工作时的功耗，提高产品合格率，可广泛应用于二极管芯片领域。
二极管芯片长基区本实用新型低功耗阳极区阻挡层缓冲产品合格率降低器件外侧设置功耗应用

[发明专利]一种晶闸管芯片结终端结构-CN201910151254.6在审
发明人：王民安;马霖;王日新;郑春鸣;全美淑;谢富强;王志亮;董蕊;岳春艳;戴永霞;倪小兰;汪杏娟;胡丽娟;黄永辉;项建辉;陈明;曹红军 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管芯片结终端结构，包括长基区N，阳极区P1、短基区P2，设置在P2上的阴极区N⁺、短路点和门极控制区，P2层上的负斜角，在长基区N上局部设有扩散形成的P型凸台，该P型凸台与短基区P1连通成一体，所述P型凸台位于电压槽的下方且电压槽的底部处在P型凸台上。所述电压槽位于晶闸管芯片的四周且为单边槽结构，所述晶闸管芯片的四周设置有一圈P型凸台。本发明晶闸管结构，具有机械强度好，且不容易崩边，能够有效提高产品合格率和电特性。可广泛应用于晶闸管芯片领域。
晶闸管芯片凸台结终端结构长基区短基区产品合格率晶闸管结构槽结构电特性短路点控制区阳极区阴极区崩边门极斜角连通扩散应用

[实用新型]一种整流二极管芯片-CN201820743538.5有效
发明人：王民安;王日新;马霖;汪杏娟;郑春鸣 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种整流二极管芯片，包括长基区N，设置在长基区N上层的P层和P⁺层，设置在长基区N下层的N⁺层；还设置有电压槽，所述电压槽从P⁺层向下延伸到长基区N内；所述二极管芯片的四周设置有N⁺截止墙，所述N⁺截止墙从N⁺层向上延伸至电压槽的底部。本实用新型通过设置N⁺层截止墙的结构，能够有效提高芯片的使用面积，减少原材料的损耗，降低了生产成本，同时，还可以提高了芯片的电参数，进而提高芯片的整体性能。可广泛应用于半导体功率器件技术领域。
长基区整流二极管芯片本实用新型芯片截止半导体功率器件二极管芯片向上延伸向下延伸电参数下层生产成本上层应用

[发明专利]一种整流二极管芯片-CN201810472958.9在审
发明人：王民安;王日新;马霖;汪杏娟;郑春鸣 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种整流二极管芯片，包括长基区N，设置在长基区N上层的P层和P+层，设置在长基区N下层的N+层；还设置有电压槽，所述电压槽从P+层向下延伸到长基区N内；所述二极管芯片的四周设置有N+截止墙，所述N+截止墙从N+层向上延伸至电压槽的底部。本发明通过设置N+层截止墙的结构，能够有效提高芯片的使用面积，减少原材料的损耗，降低了生产成本，同时，还可以提高了芯片的电参数，进而提高芯片的整体性能。可广泛应用于半导体功率器件技术领域。
长基区整流二极管芯片芯片截止半导体功率器件二极管芯片向上延伸向下延伸电参数下层生产成本上层应用

[发明专利]一种晶闸管芯片的结终端结构-CN201410446710.7有效
发明人：王民安;黄富强;项建辉;叶民强;汪杏娟;王日新 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管芯片的结终端结构，解决现有晶闸管单面挖槽中芯片正向耐压值低，漏电流大的问题。晶闸管单面挖槽中的电压槽的两内壁对称设置有台阶结构。该电压槽设置有两级台阶结构或三级台阶结构且其高度过P2N结伸入N区20～70um。本发明适用于所有台面结构的半导体芯片生产领域。
结终端结构晶闸管芯片晶闸管挖槽三级台阶结构半导体芯片对称设置两级台阶台阶结构台面结构槽设置漏电流中芯片耐压内壁伸入正向

[实用新型]一种功率半导体芯片的微动电极-CN201720959326.6有效
发明人：王民安;汪杏娟;郑春鸣;叶民强;汪继军;王日新 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体芯片的微动电极，包括与芯片焊接固定的下固定导电片，所述下固定导电片的上方还设置有电流输出端面，所述下固定导电片与电流输出端面间设置有起连接作用的折弯结构，所述电流输出端面靠近折弯结构处设置有使电流输出端面产生弹性变形的弹簧结构，本实用新型可以很好的消除多个芯片通过引线焊接并联时受热胀冷缩产生的拉伸应力，避免芯片间的相互拉伤，从而提高芯片的使用寿命。
一种功率半导体芯片微动电极

[实用新型]一种整流二极管芯片结构-CN201720959366.0有效
发明人：王民安;黄富强;汪杏娟;郑春鸣;叶民强;黄永辉;王志亮;王日新 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种整流二极管芯片结构，该整流二极管芯片结构包括长基区N，设置在长基区N上表面的N+层，设置在长基区N下表面的P和P+层，所述N+层向下延伸至P层设有电压槽，所述电压槽位于芯片的周边，为单边槽结构；在P层平面上设置有P型凸台，所述P型凸台位于电压槽的下方；所述P型凸台的宽度大于电压槽底部的宽度。所述电压槽斜边的长度大于N型基区的厚度，以利于耗尽层的展宽。该整流二极管芯片具有机械强度好，且不容易崩边，能够有效提高了合格率和电特性。可广泛应用于整流二极管芯片领域。
一种整流二极管芯片结构

[实用新型]一种耐高压大容量的塑封晶闸管结构-CN201621257548.5有效
发明人：王民安;郑春鸣;黄永辉;王志亮;汪杏娟;王日新 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐高压大容量的塑封晶闸管结构，包括散热板，设置在散热板上的陶瓷片，晶闸管芯片；所述陶瓷片上设置有阳极板，晶闸管芯片设置在阳极板上，所述阳极板的宽度大于晶闸管芯片的宽度；所述晶闸管芯片上接引有阴极引脚和门极引脚，所述阳极板远离晶闸管芯片的一端设置有阳极引脚，所述门极引脚位于阴极引脚和阳极引脚之间。本实用新型通过在晶闸管芯片的底部增加一个阳极板，用于增加阴极引脚与阳极引脚间的距离，从而在不改变晶闸管芯片的前提下，能够有效提高晶闸管的耐击穿能力，可广泛应用于晶闸管领域。
一种高压容量塑封晶闸管结构

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