“超浅结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果322175个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]超浅结阻值检测方法及膜层阻值检测方法-CN200710042131.6无效
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种超浅结阻值检测方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成超浅结；在已形成超浅结的半导体衬底上形成测试辅助层；测试所述超浅结阻值。可提高超浅结阻值检测的准确性。
超浅结阻值检测方法

[发明专利]源漏结构及其制造方法-CN201410387740.5在审
发明人：王成诚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其中，该源漏结构包括设置在衬底中的漏极区和源极区，漏极区包括轻掺杂超浅结和漏极重掺杂区，漏极区还包括：漏极-衬底结，设置在轻掺杂超浅结和衬底的靠近轻掺杂超浅结的侧面与底面结合处的部位，漏极-衬底结中的杂质离子与轻掺杂超浅结中的杂质离子为反型离子通过本申请，形成了漏极-衬底结，使得轻掺杂超浅结的陡峭侧面结构变得平缓，将漏极-衬底结的最大电场降到最低，减少了靠近沟道的离子运动，从而有效减少带间隧道效应激发热电子效应，进而达到了抑制漏极干扰的效果。
结构及其制造方法

[发明专利]一种高灵敏度压阻敏感单元及其制造方法-CN202210357554.1有效
发明人：王任鑫;张文栋;刘国昌;谭皓宇;李皓璇;乔庆宇;张国军;杨玉华;何常德;崔建功 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明属于传感器技术领域，涉及敏感单元及其制备，具体为一种高灵敏度敏感单元及其制造方法，其包括半导体衬底、N阱和至少一块LDD超浅结，半导体衬底向上延伸有外延层，外延层进行轻的P型杂质掺杂，N阱位于外延层上，LDD超浅结位于N阱上，LDD超浅结的两端设有p+有源区，外延层表面覆盖有氧化层，氧化层上开有暴露p+有源区的窗口，窗口处暴露的p+有源区通过合金层连接有金属引线。本发明所述方法采用CMOS工艺中的超浅结漏注入方式在压阻区进行低能离子注入，使之产生LDD超浅结硅纳米膜；利用硅纳米膜的巨压阻效应敏感机制，可以大幅提高传感器的灵敏度。
一种灵敏度敏感单元及其制造方法

[发明专利]侧墙形成方法-CN200710171661.0无效
发明人：张子莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种侧墙形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成栅极；以所述栅极为掩膜，在所述半导体基底上形成超浅结；以乙硅烷作为反应气体，在已形成超浅结的半导体基底上形成绝缘层；刻蚀所述绝缘层，以形成环绕所述栅极的侧墙可减少超浅结内的掺杂材料的扩散，进而减少结深的增加。
形成方法

[发明专利]一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法-CN201210495451.8无效
发明人：刘洪刚;薛百清;常虎东;王盛凯;孙兵;赵威;郭浩;王虹;韩乐;刘桂明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层用硫化铵或其他液体的表面钝化，在该钝化表面沉积介质作为阻挡层，以借助低温退火工艺将硫或其他元素扩散到单晶衬底以形成超浅结；或者，在单晶衬底上沉积大原子难熔金属作为扩散阻挡层将Ni、Ti以及它们的组合，以借助低温退火工艺扩散到单晶衬底以形成超浅结；或者，在钝化表面沉积大原子难熔金属作为扩散阻挡层将扩散金属Ni、Ti以及它们的组合和钝化元素，以借助低温退火工艺扩散到单晶衬底以形成具有混合相的超浅结。本发明提供的制作超浅结的方法，解决了在栅长到90nm以下时器件的源/漏问题，进而提高Ⅲ-Ⅴ化合物半导体MOS器件的性能。
一种化合物半导体衬底制作超浅结方法

[发明专利]P型掺杂超浅结及PMOS晶体管的制作方法-CN200910199987.3有效
发明人：施雪捷;潘梓诚 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种超浅结的制作方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，所述注入离子的总的扩散速度低于硼离子；对所述半导体衬底进行尖峰退火处理。采用总的扩散速度低于硼离子的离子作为超浅结的掺杂离子，在后续尖峰退火处理时，可以减小掺杂离子向半导体衬底的扩散效应，从而稳定了超浅结的结深，避免了尖峰退火峰值温度不稳定对结深的影响。
掺杂超浅结 pmos 晶体管制作方法

[发明专利]低压超结MOSFET的制造方法-CN201510990423.7在审
发明人：岳玲;刘挺;杨乐;徐西昌 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压超结MOSFET的制造方法，该方法为：通过深槽填充多晶硅，两个深槽互相电荷平衡完成超结功能，再在深槽上方采用湿法腐蚀的方式形成浅槽，在浅槽中制作低压超结MOSFET，共同构成低压超结器件本发明能够用传统的半导体制造工艺实现，在工艺难度不加大的情况下，能够制造出具有更高耐压，更低导通电阻的低压超结型器件，提高VDMOS的性能，同时也能降低成本。
低压 mosfet 制造方法

[发明专利]一种以激光制备超浅结于半导体基片表面的方法-CN200910235060.0有效
发明人：张宏勇;刘莹;郑振生 -专利权人：江苏华创光电科技有限公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种以激光制备超浅结于半导体基片表面的方法，包括以下步骤：在真空条件下，以通气流量为50～1000sccm的速度通入H2以及另一种气体的混合物，此混合气体于基片晶格活化时会掺杂到半导体基片表面；使用激光照射半导体基片，使半导体基片瞬间温升为1000℃～1400℃，最终半导体基片表面形成超浅结，进一步优选地，基片瞬间温升为1200℃。本发明制备超浅结深度可以小于30nm，掺杂浓度视具体要求可调。本发明简化了工序，缩短了工艺时间。其中气体成份可调，有利于根据超浅结用途不同，对掺杂浓度进行调整。对通入气体流量的控制，有利于在真空室内形成均匀气氛，保证制备超浅结的均匀性。
一种激光制备超浅结半导体表面方法

[发明专利]一种形成超浅结的方法-CN202110168061.9在审
发明人：杨健 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种形成超浅结的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成外延层，提供掺杂物，向外延层和部分半导体衬底中注入掺杂物，去除外延层，以在半导体衬底中形成超浅结。本发明实施例的形成超浅结的方法能够实现高能量和高剂量注入而获得低能量和低剂量的注入效果，解决了相关技术中存在的获得低能量和低剂量的注入效果比较困难的问题。
一种形成超浅结方法

[实用新型]一种新型超浅结晶体硅太阳能电池-CN201120320656.3有效
发明人：刘莹 -专利权人：刘莹
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型超浅结晶体硅太阳能电池，其结构为前电极、钝化层、绒面结构、PN结、背电极，其中前电极设为透明导电极薄膜结构，其PN结设为超浅结，其背电极设为厚度在0.5-2.0μm之间的铝背电场这种结构可以使晶体硅片受光面全部受光，增加10％-20％的受光率，同时超浅结的应用可以使光的转换效率提高2％左右，而受光面和背光面电极均采用比较薄的薄膜导电材料，可以节省耗材并避免破片率高的丝印工艺。
一种新型结晶体太阳能电池

[发明专利]超浅半导体结的制作-CN98123993.5有效
发明人：李锦良 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1998-11-11 - 公布日： 1999-06-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：提供了一种采用高能同时注入步骤、低能掺杂剂注入步骤以及快速等温退火步骤的超浅半导体结的制造方法。还提供了诸如含有所述超浅半导体结的FET和CMOS器件之类的微电子器件。
半导体制作

[发明专利]一种超浅结形成方法-CN201110090549.0无效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种超浅结形成方法，通过相对原子质量较大的In离子的大角度倾斜LDD离子注入，来取代Ge离子的垂直LDD离子注入，有效减少了EOR缺陷，改善了注入形成的非结晶层再结晶、TED效应和结漏电现象；同时，采用倾斜方式LDD离子注入，形成更靠近栅极底部的LDD源/漏延伸区，以此得到具有更长的有效沟道长度的超浅结，减小SCE效应，提高了MOS器件的电学特性，使得在超浅结工艺中制造更浅的源/漏区结深成为可能
一种超浅结形成方法

[发明专利]超浅结的形成方法及半导体器件的形成方法-CN201410163448.5在审
发明人：邱裕明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种超浅结的形成方法及半导体器件的形成方法，所述超浅结的形成方法，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极结构；在-60℃～-100℃温度下，以栅极结构为掩膜，向所述硅衬底进行第一离子注入，形成非晶化区；向非晶化区进行第二离子注入，形成超浅结。又因为第一离子为碳或氟离子，抑制了第二离子的瞬时增强扩散，碳或氟所捕获行程末端损伤及间隙空位的效能依然能够作用于超浅结，这就使得一步低温碳注入可以替代传统的锗和碳的两步注入，缩短了生产工艺流程，节约资源
超浅结形成方法半导体器件

[发明专利]超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法-CN201210537421.9有效
发明人：吴东平;周祥标;许鹏;张卫;张世理 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；去除半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成超浅结半导体场效应晶体管。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并进行加热退火，同步形成超浅结和超薄金属硅化物，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。
超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]超浅结的制造-CN201310150852.4有效
发明人：王立廷;聂俊峰;姚松伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种在半导体衬底中形成超浅结的方法。该方法包括通过执行预非晶化注入步骤在半导体衬底中形成非晶化区域以及通过执行单层掺杂步骤在非晶化区域中注入一种或更多种掺杂物。然后热处理该半导体衬底以激活非晶化区域中的注入的掺杂物从而由此在半导体衬底中形成超浅结。可以在注入的非晶化区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行热处理。本发明还提供了一种超浅结的制造。
超浅结制造

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条