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- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510079342.8有效
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王志豪;蔡庆威;陈尚志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2005-06-23
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2006-01-25
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H01L29/78
- 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其目的在于揭示一种具有高介电值栅极介电层的金属氧化物半导体晶体管的制程及设备。首先为提供一基底，一高介电值栅极介电层材料沉积覆盖该基底，一栅极电极层沉积覆盖该介电层材料，以及进行一图形化步骤，以制造栅极及介电层的侧壁，移除基底的一部分。侧壁材料沉积覆盖于图形化的栅极电极及介电层，以制造图形化栅极电极及介电层的侧壁保护层，延伸侧壁保护层以连接介电层底部。在另一实施例中，沉积一沟道材料，邻接于高介电值栅极介电层，以及进行一图形化步骤，移除高介电值栅极介电层下方至少一部分沟道材料。在另一实施例中，沟道材料为反向沉积。
- 半导体装置及其制造方法
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