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[实用新型]塑料透镜及成像镜头-CN201620912873.4有效
发明人：张芳;戴付建 -专利权人：浙江舜宇光学有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种塑料透镜，其包括光学有效部及至少部分围绕光学有效部且与光学有效部同轴设置的机构部，塑料透镜包括第一表面及与第一表面相背的第二表面；第一表面和第二表面包括至少一个凹槽形成面，凹槽形成面向内形成有至少一个凹槽；凹槽位于机构部上且与光学有效部连接；塑料透镜满足条件式0.02mm≤ET1≤0.4mm；其中，ET1为凹槽的底端至凹槽形成面的轴向距离。本实用新型实施方式的塑料透镜及成像镜头通过在透镜表面设置凹槽结构来降低成像面上产生的光斑大小并减弱光斑能量，能够有效抑制杂光产生，提高塑料透镜的光学品质，进而提高成像镜头的整体成像质量。
塑料透镜成像镜头

[发明专利]一种晶圆的切割方法-CN202111478198.0有效
发明人：刘天建;田应超;曹瑞霞;刘淑娟 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B23K26/346 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的切割方法，采用第一激光切割工艺沿所述保护液的表面向下开槽，形成从所述保护液的表面延伸至所述介质层内的第一凹槽，所述第一凹槽的边缘上方形成有熔渣；采用第二激光切割工艺沿所述第一凹槽的底面向下开槽，形成连通所述第一凹槽的第二凹槽，且所述第一凹槽的横向宽度大于所述第二凹槽的横向宽度，所述第二凹槽的边缘上方形成有熔渣；进行等离子切割工艺沿所述第二凹槽的底面向下开槽，形成第三凹槽，所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第三凹槽共同贯穿所述晶圆并构成切割道，同时去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的边缘上方的熔渣。
一种切割方法

[发明专利]晶圆切割方法-CN202110773446.8有效
发明人：田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆切割方法，首先从采用第一激光切割工艺沿器件晶圆的表面向下开槽，形成横向宽度较大的第一凹槽，然后刻蚀器件晶圆的表面，去除形成第一凹槽时产生并附着在器件晶圆的表面的颗粒物，然后平坦化器件晶圆的表面，保证器件晶圆的表面的洁净度和平整度，之后采用第二激光切割工艺沿第一凹槽的底面向下开槽，形成连通第一凹槽的且横向宽度较小的第二凹槽，此时，第二激光切割工艺产生的颗粒物仅会堆积在第一凹槽和第二凹槽内，不会影响器件晶圆的表面的洁净度和平整度，保证切割后产生的单个芯片的表面的洁净度和平整度，可提高混合键合工艺的键合效果。
切割方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器的形成方法-CN202310579721.1在审
发明人：姜清华;李新宇;赵亚楠;吴炫聪 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器的形成方法，包括：提供衬底；在衬底第一面上依次形成第一反射镜结构、有源层、第二反射镜结构和钝化结构；在器件区形成第一凹槽，在切割区上形成切割凹槽，第一凹槽和切割凹槽贯穿钝化结构且暴露出第二反射镜结构表面；在第一凹槽内、切割凹槽内和与第一凹槽相邻的部分钝化结构表面形成第一电极层；在第一电极层上和钝化结构上形成图形化的光刻胶层；去除切割凹槽内的第一电极层；以图形化的光刻胶层为掩膜，沿切割凹槽对第二反射镜结构、有源层、第一反射镜结构和衬底进行切割，形成分立的器件。所述方法使得形成垂直腔面发射激光器良率得到提升。
垂直发射激光器形成方法

[发明专利]SOI器件结构及其制造方法-CN201610596475.0有效
发明人：刘张李 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成绝缘体上硅结构；而且，在硅顶层中形成由浅沟槽隔离包围的第一掺杂类型的器件有源区；在器件有源区顶部上形成栅极结构；利用光罩通过光刻刻蚀工艺与漏极区域邻接地形成凹槽，随后通过同一自对准工艺在栅极结构两侧形成栅极侧墙并在凹槽两侧形成凹槽侧墙；在栅极结构两侧自对准地形成处于器件有源区的表面的第二掺杂类型的源极区域和漏极区域，以及在凹槽下方形成第一掺杂类型的接触区；在接触区的暴露表面、源极区域的暴露表面和漏极区域的暴露表面形成接触层；在硅顶层上形成覆盖层；在覆盖层中形成分别连通至接触区的暴露表面、源极区域的暴露表面和漏极区域的暴露表面的通孔。
soi 器件结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201210253734.1有效
发明人：三重野文健;周梅生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；形成覆盖所述半导体衬底表面的第一材料层；在第一区域的第一材料层表面形成第二材料层，第一区域的第一材料层和第二材料层构成堆叠结构；在堆叠结构和第二区域的第一材料层表面形成掩膜层；采用第一等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第一材料层，形成暴露所述半导体衬底表面的第三开口，同时刻蚀部分厚度所述堆叠结构，形成若干第四开口；采用第二等离子体刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，形成第一凹槽，同时刻蚀所述堆叠结构和半导体衬底，形成若干第二凹槽，第二凹槽深度小于第一凹槽的深度。第一凹槽和第二凹槽同一刻蚀步骤形成，工艺过程简单。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制备方法-CN202310844653.7有效
发明人：徐陈明;屠小龙;张跃;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，所述制备方法包括：提供一半导体基底；在半导体基底表面形成第一膜层结构；在第一膜层结构背离半导体基底的一侧形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层背离第一膜层结构的一侧形成第二膜层结构；在第二膜层结构上刻蚀形成第一凹槽，以露出刻蚀阻挡层；基于第一凹槽，刻蚀所述刻蚀阻挡层以及第一膜层结构形成第二凹槽，以露出半导体基底；基于第一凹槽和第二凹槽，刻蚀半导体基底，在半导体基底的表面内形成第三凹槽，以在半导体基底表面内形成浅沟槽隔离结构。在该制备方法中，在第一膜层结构的表面形成刻蚀阻挡层，且刻蚀阻挡层与刻蚀气体反应速度较低，以使得形成的浅沟槽隔离结构的沟槽底部的平坦度提高。
一种沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]表面声波过滤装置形成方法及其形成的表面声波过滤装置-CN02825678.6无效
发明人：塞尔格艾·孔德拉季夫 -专利权人：特梅克斯公司
申请日： 2002-12-13 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成表面声波过滤装置的方法，所述这种类型的表面声波过滤装置包括压电基板和位于所述压电基板上的金属带元件，所述金属带元件构成布置在网络线路中的阻抗过滤元件。在这种表面声波过滤装置中，网络元件之间的相互静电作用可产生频率不同于工作谐振频率的寄生谐振。所述方法的特征在于，在过滤装置中设置能够将寄生谐振频率偏移到与所述工作谐振频率大致相等的频率的结构。本发明能够用于各种表面声波过滤装置。
表面声波过滤装置形成方法及其

[发明专利]燃料电池模组-CN200580013255.0有效
发明人：林友和;明神严;越智勉;加藤千智;川上康一朗;吉川大雄;高桥学;浅井康之 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2005-04-26 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01M8/24 文献下载
摘要：一种燃料电池模组，其中相对于底表面成相同角度θ的斜面形状形成在两个侧表面上以形成呈锥形的凹槽。因为角度θ设置在凹槽的侧面，故即使在通过第一分隔器覆盖第二分隔器使第一及第二分隔器彼此结合以模块化时在粘合剂与凹槽的内表面之间产生气体积累，与凹槽的侧表面形成为直角形状相比，通过使侧表面具有角度θ可以辅助向外部排放所积累的气体
燃料电池模组

[发明专利]具有精确表面通道的部件和混合加工方法-CN201210166868.X无效
发明人： R·S·班克;魏斌 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有精确表面通道的部件和混合加工方法。所述方法包括使用第一加工技术，在基件的外表面中形成一个或多个初步凹槽。每个初步凹槽具有底部、且至少部分沿所述基件的所述外表面延伸，且所述基件具有内表面，所述内表面设有至少一个内部空腔。所述方法进一步包括使用第二加工技术对所述初步凹槽进行进一步加工，以形成相应凹槽。此外，所述方法包括形成一个或多个进入孔，所述进入孔穿过相应凹槽的底部，以将相应凹槽与相应的内部空腔以流连通方式连接。本发明还提供具有凹槽的部件，其特征在于，侧壁半径R在0＜R＜0.127毫米的范围内。
具有精确表面通道部件混合加工方法

[发明专利]嵌入式碳化硅的制备方法-CN201410697251.X在审
发明人：肖天金 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式碳化硅的制备方法，包括：对形成有半导体器件的衬底进行刻蚀，形成凹槽；清洗凹槽表面；原位腐蚀凹槽表面；原子层沉积法在凹槽表面沉积籽晶层；原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；选择性外延沉积碳化硅，以形成嵌入式碳化硅。通过原子层沉积得到低缺陷和粗糙度良好的硅衬底表面，原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；得到晶格缺陷良好的SiC薄膜，有助于形成低位错缺陷的嵌入式SiC，可以在确保碳化硅薄膜低缺陷的前提下，提高NMOSFET
嵌入式碳化硅制备方法

[发明专利]径向滚珠轴承保持架-CN03110637.4有效
发明人：井出文彦;山本卓也 -专利权人：美蓓亚株式会社
申请日： 2003-04-18 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： F16C33/38 文献下载
摘要：该轴承具有外环和内环，运转通道形成于外环和内环彼此相对的轨道表面上，特定数量的滚珠装配到运转通道中，具有凹槽的保持架放置在外环和内环之间，每个滚珠都收集在一个凹槽中，在凹槽开口侧各端的内表面上形成有滚珠接触面，弯曲的脊线形成凹槽的内表面和接触面之间的边界，这一形成边界的弯曲脊线基本上平行于滚珠转动的方向，在凹槽底面形成有通道，该通道从保持架的内周边向外周边延伸，在凹槽底面上的润滑油借助于滚珠的滚动流过通道，并被引向外周侧，具有一倾斜面的三角形凸棱一体地形成在外周表面上的相邻的凹槽之间，该倾斜面形成在凹槽相对于保持架的转动方向的尾侧，通过滚珠的滚动从上述通道引向外周表面的润滑油容纳在凸棱的倾斜面处，并通过保持架的转动输送到位于凸棱后的凹槽前缘附近
径向滚珠轴承保持

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201410431678.5在审
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法。其中，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜堆叠结构；在所述掩膜堆叠结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁形成绝缘阻挡层；在所述第一凹槽内填充满应力衬垫层；在所述应力衬垫层上形成介质层，所述介质层上表面与所述掩膜堆叠结构上表面齐平；去除所述掩膜堆叠结构，直至形成暴露所述半导体衬底的第二凹槽；在所述第二凹槽底部形成半导体层；在所述半导体层上形成栅极结构，所述栅极结构填充满所述第二凹槽所述形成方法形成的晶体管性能提高。
晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911176065.0在审
发明人：王伟;苏波;胡友存;金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括中心区域及边缘区域，所述边缘区域包围所述中心区域；形成覆盖所述中心区域基底表面及所述边缘区域基底表面的核心层；在所述核心层内形成第一凹槽，所述第一凹槽底部露出所述基底表面，所述第一凹槽开口呈矩形，所述矩形的至少一个顶角位于所述中心区域核心层内；在所述第一凹槽侧壁上形成侧墙，所述侧墙呈矩形环状结构；刻蚀去除所述中心区域核心层直至露出基底表面，形成第二凹槽，所述侧墙及所述边缘区域核心层构成初始图形层本发明能够提高所述初始图形层设计的灵活性，后续以所述初始图形层作为掩膜刻蚀基底形成导电通道，有助于提高导电通道设计的灵活性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电子装置、触控屏、透明导电膜及透明导电膜的制备方法-CN201410540608.3有效
发明人：赵天行;吴景扬;陈秋棋 -专利权人：业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种透明导电膜，包括透明的基底及形成于该基底一表面的透明的压印层，该压印层远离该基底的表面上形成有相互连通的呈网格状的凹槽，该凹槽包括第一凹槽及除第一凹槽外的第二凹槽，该第一凹槽的深度小于该第二凹槽的深度，该凹槽底部形成有一油墨层，该油墨层上形成有导电层，该导电层对应于第一凹槽的部分凸伸出该第一凹槽，该导电层对应于第二凹槽的部分收容于该第二凹槽中。
电子装置触控屏透明导电制备方法