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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片级芯片封装工艺-CN200610160705.5有效
  • 许健豪 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2006-11-29 - 2008-06-04 - H01L21/50
  • 然后，切割芯片密合层，以形成一预定深度的第一凹槽，并形成一胶体于芯片密合层上。接着，提供具有一背面以及一有源表面的一晶片，并将透光基板配置于晶片的有源表面上，而芯片密合层是由胶体以接合于有源表面。接着，切割透光层，以形成一预定深度的第二凹槽，其中第二凹槽对应于第一凹槽。接着，再切割晶片的背面，以形成一预定深度的第三凹槽，而第三凹槽亦是对应于第一凹槽。之后，单颗化晶片及透光基板，以形成多个芯片封装结构。
  • 晶片芯片封装工艺
  • [发明专利]NMOS晶体管及其形成方法-CN201410431676.6有效
  • 张海洋;郑喆 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-08-28 - 2018-09-07 - H01L21/336
  • 一种NMOS晶体管及其形成方法，其中NMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅，所述伪栅的侧壁上形成有侧墙，所述伪栅和侧墙两侧的半导体衬底内形成碳硅源漏区；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层的表面与伪栅的表面平齐回刻蚀去除部分厚度的伪栅，暴露出侧墙侧壁的部分表面；刻蚀去除部分高度的侧墙；去除剩余的伪栅，形成“T”字型的凹槽，所述“T”字型的凹槽暴露出半导体衬底的表面；形成填充满“T”字型的凹槽的金属栅极。本发明的方法增加了形成的凹槽的开口宽度，在形成金属栅极时，防止在金属栅极中形成缺陷。
  • nmos晶体管及其形成方法
  • [发明专利]铜填充的凹槽结构及其制造方法-CN201811477084.2有效
  • 鲍宇;李西祥;曹艳鹏 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2018-12-05 - 2020-11-24 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种铜填充的凹槽结构，包括：凹槽，形成于第一介质层中；在凹槽的底部表面和侧面形成于阻挡层；在阻挡层的表面形成有纯铜的第一籽晶层；在第一籽晶层的位于凹槽的侧面的顶部的表面形成有铜合金的第二籽晶层；铜主体层将凹槽完全填充并形成凹槽结构，铜主体层的底部表面和侧面的底部和第一籽晶层直接接触用于降低凹槽结构的寄生电阻；铜主体层的侧面的顶部和第二籽晶层直接接触并通过第二籽晶层的铜合金材料降低凹槽结构的电迁移本发明公开了一种铜填充的凹槽结构的制造方法。本发明能改善器件的EM性能，同时降低器件的寄生电阻；本发明特别适用于20nm以下的铜通孔的应用。
  • 填充凹槽结构及其制造方法
  • [实用新型]具有凹槽结构的金刚石膜-CN201720066943.3有效
  • 龚闯;吴剑波;朱长征;余斌 - 上海征世科技有限公司
  • 2017-01-19 - 2017-09-08 - C23C16/27
  • 本实用新型提供了一种具有凹槽结构的金刚石膜，包括基材，所述基材上表面形成多个凹槽；设置于所述基材上表面的金刚石层；形成在所述金刚石层上表面的硬质合金层，其中，所述基材的厚度为1‑5mm，所述凹槽的宽度为0.1‑0.5mm，所述凹槽的间距为0.2‑0.6mm。在基材表面形成凹槽以后将金刚石层填入以后，整个金刚石膜相较没有凹槽的结构附着力增强1.5倍以上，在切割硬度更高的物体时仍具备较强的牢固度。
  • 具有凹槽结构金刚石
  • [发明专利]半导体晶片和封装拼板式基台-CN201380078827.8在审
  • S·波迪瓦 - 坤佰康有限责任公司
  • 2013-08-28 - 2017-05-10 - H01L25/00
  • 用于将半导体器件连接到外部电路的基台，所述基台包括平面衬底，其由绝缘材料形成且具有相对窄的边缘表面以及第一和第二相对大的面表面；沿着边缘表面形成的至少一个凹槽；形成在至少一个凹槽中的每个凹槽的表面上的导电材料层；在第一面表面上的第一多个焊盘，其构造为与半导体器件形成电接触；以及导电连接，每个导电连接将第一多个焊盘中的焊盘电连接到至少一个凹槽中的一个凹槽的导电材料层。
  • 半导体晶片封装板式
  • [发明专利]一种芯片尺寸封装工艺-CN202210566629.7在审
  • 王岳云 - 常州银河世纪微电子股份有限公司
  • 2022-05-23 - 2022-08-16 - H01L21/50
  • 本发明公开一种芯片尺寸封装工艺，包括：S1、在具有若干器件的晶圆上表面开设凹槽，且凹槽的深度为产品的设计厚度；S2、在晶圆的上表面及凹槽内形成钝化层，且凹槽内仍具有空间；S3、在晶圆上表面的钝化层上形成开口；S4、在开口内形成金属凸块；S5、在晶圆上表面及凹槽内添加保护层，且凹槽内仍具有空间；S6、在晶圆的上表面及凹槽内添加保护层后进行加工，使金属凸块露出；S7、在晶圆上表面贴附载具后，对晶圆的背面进行研磨，使凹槽的槽底贯通；S8、在晶圆的背面形成金属层；将载具与晶圆分离，形成已封装的器件。本发明的工艺不需要在晶圆的表面进行多次切割处理就实现了芯片尺寸的封装，简化了工艺流程，降低了生产成本，提高了加工效率。
  • 一种芯片尺寸封装工艺
  • [发明专利]芯片封装体的制造方法-CN201811138435.7有效
  • 赖建志;林泓彣 - 典琦科技股份有限公司
  • 2018-09-28 - 2021-11-16 - H01L21/78
  • 提供晶圆，此晶圆具有上表面及与其相对的下表面，且包含多个导电凸块位于上表面上。切割晶圆的上表面以形成多个凹槽。形成第一绝缘层于上表面上及凹槽内，并暴露出导电凸块。形成表面处理层于导电凸块上，且表面处理层的顶表面高于第一绝缘层的顶表面。由下表面朝上表面薄化晶圆，使凹槽内的第一绝缘层由下表面暴露出来。形成第二绝缘层于下表面下方。沿着各凹槽的中心切割第一绝缘层和第二绝缘层，以形成多个芯片封装体。上述方法可以避免产生对位偏移的问题。
  • 芯片封装制造方法
  • [发明专利]模仁的制造方法-CN200810306572.7无效
  • 骆世平 - 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2008-12-27 - 2010-07-07 - G03F7/00
  • 本发明提供一种模仁的制造方法，包括以下步骤：提供一个可透过紫外光的玻璃基板；在该玻璃基板的表面形成一层光阻层；对该光阻层进行曝光显影，从而在该光阻层形成多个预定排列的通孔；蚀刻该多个通孔所对应的玻璃基板表面，从而在该玻璃基板的表面形成多个相应的凹槽；在每个凹槽中填充光固化材料；去除光阻层，并保持未设置凹槽的玻璃基板表面暴露在外；固化每个凹槽的光固化材料；利用超精密加工机床对每个凹槽内的光固化材料进行加工，在每个凹槽的光固化材料表面均形成一个成型面，从而得到具有多个成型面的模仁。
  • 制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201410078899.9有效
  • 高超;江红;王哲献 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2014-03-05 - 2017-04-26 - H01L21/02
  • 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区、逻辑区和电容区；在所述电容区半导体衬底表面形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，直至暴露出半导体衬底表面，使得刻蚀后的掩膜层与半导体衬底形成第一凹槽；在所述第一凹槽底部和侧壁、以及掩膜层表面形成侧墙膜；回刻蚀去除位于掩膜层表面的侧墙膜，直至暴露出掩膜层表面和半导体衬底表面，形成紧挨掩膜层侧壁的侧墙，所述侧墙与半导体衬底形成第二凹槽；在所述掩膜层表面、以及第二凹槽底部和侧壁形成第一介质层。本发明提供一种新的半导体器件的形成方法，在半导体器件中形成半导体电容器，无需额外增加工艺步骤，节省工艺成本。
  • 半导体器件及其形成方法
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