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[实用新型]一种一体成型的冰盘及制冰机-CN202221761575.1有效
发明人：廖发亮 -专利权人：惠州市精一制冷科技有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： F25C1/243 文献下载
摘要：本实用新型公开一种一体成型的冰盘及制冰机，冰盘包括冰盘主体和密封板；冰盘主体通过压铸一体成型制成并具有相对的第一表面和第二表面，第一表面形成有冰格，第二表面形成有凹槽，凹槽内一体形成有分隔条；密封板连接至凹槽内并且密封板的底面与分隔条的顶面密封连接，密封板的周缘与凹槽的侧边摩擦焊密封连接，从而在密封板和凹槽之间形成与冰盘主体为一体的冷媒通道；通过压铸一体成型制成冰盘主体，冰盘主体上形成凹槽，密封板连接至凹槽内并与凹槽的侧边通过摩擦焊密封连接，从而在密封板与凹槽之间直接形成冷媒通道，结构简单；密封板与凹槽的侧边采用摩擦焊，使得焊缝强度能达到与盖板和冰盘主体材料等强度，且焊接效率高、质量稳定。
一种一体成型制冰机

[实用新型]一种全方位阻滑砌块及其组成的集成围墙-CN201822084814.4有效
发明人：梁菊明;孙荣;包敏佳 -专利权人：嘉兴五丰生态环境科技有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： E04C1/00 文献下载
摘要：其中，该全方位阻滑砌块包括上表面、下表面、左侧面、右侧面、前侧面和后侧面。所述上表面设有空腔，空腔前壁的上表面设有第一阻滑梗，空腔后壁的上表面设有第二阻滑梗。空腔左壁的前侧面设有第二凹槽和第四凹槽，所述空腔右壁的前侧面设有第七凹槽和第九凹槽。安装时，同一层的两个全方位阻滑砌块左右结合形成组合体，所述两个全方位阻滑砌块的第二凹槽和第七凹槽形成半圆形凹槽，第四凹槽和第九凹槽形成半圆形凹槽。
上表面砌块前侧面空腔半圆形凹槽凹槽形成空腔后壁后侧面同一层下表面右侧面组合体左侧面前壁右壁左壁围墙申请

[实用新型]一种具有双面花纹的不粘锅-CN201420669743.3有效
发明人：李昶浩 -专利权人：江门市新会区依山金属制品有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有双面花纹的不粘锅，包括锅体，锅体的内表面均匀分布有多个独立的第一凹槽，锅体的外表面均匀分布有多个独立的第二凹槽，各第一凹槽之间形成网状的第一凸筋，各第二凹槽之间形成网状的第二凸筋，第一凹槽和第二凹槽均呈正六角形以使锅体内外表面形成蜂窝状花纹，第一凹槽和第二凹槽对称设置，第一凹槽表面和第二凹槽表面均设有不粘涂层。该结构吸热面积大，传热快，由于第一凹槽和第二凹槽对称设置，大大减小了锅体的厚度，提高了传热效率，同时由于设置有第一凸筋和第二凸筋，锅体强度高，并可起到防滑和防刮花的作用，由于第一凹槽表面和第二凹槽表面均设有不粘涂层
一种具有双面花纹不粘锅

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201410184447.9有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述衬底表面具有覆盖鳍部部分侧壁的介质层，所述介质层表面低于鳍部的顶部表面，所述鳍部的侧壁和顶部表面、以及介质层表面具有横跨所述鳍部的栅极结构；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽，所述凹槽底部低于所述介质层表面；以所述栅极结构为掩膜，刻蚀所述介质层，使所述介质层的厚度减小预设尺寸；在形成凹槽并刻蚀介质层之后，采用外延沉积工艺在凹槽底部的鳍部表面、以及介质层表面形成应力层。所形成的半导体器件性能改善。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]芯片封装体的制造方法-CN201811139024.X有效
发明人：赖建志;林泓彣 -专利权人：典琦科技股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶圆，此晶圆具有上表面及与其相对的下表面，且包含多个导电垫位于上表面。切割晶圆的上表面以形成多个凹槽。形成图案化光阻层于上表面上及凹槽内。形成多个导电凸块分别位于对应的导电垫上。由下表面朝上表面薄化晶圆，使凹槽内的图案化光阻层由下表面暴露出来。形成绝缘层于下表面下方。沿着各凹槽切割图案化光阻层和绝缘层，以形成多个芯片封装体。上述方法可以避免产生对位偏移的问题。
芯片封装制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310745826.6在审
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供基底；在所述基底表面形成间隔堆叠的若干绝缘层和若干伪栅极材料层；在所述绝缘层和伪栅极材料层内形成通孔，所述通孔底部位于基底表面；在所述通孔内壁表面形成沟道层；去除伪栅极材料层，形成凹槽；在所述凹槽内壁表面形成功能层；在所述功能层表面形成栅极层，所述栅极层填充满所述凹槽。上述方法可以提高形成的半导体结构的集成度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]LED封装结构的制作方法-CN201510274079.1有效
发明人：黄昱程 -专利权人：碁鼎科技秦皇岛有限公司;臻鼎科技股份有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种LED封装结构的制作方法，包括步骤：提供承载板，所述承载板包括相对的上表面及下表面，在所述上表面形成一个环形的凹槽，所述承载板的部分区域被所述凹槽环绕，形成一凸块；在所述凹槽的表面、以及与所述凸块对应的所述上表面靠近所述凹槽的边缘区域形成一反射层；之后，在与所述凸块对应的所述上表面形成导电图案；在所述导电图案间隙及所述凹槽内填充绝缘层；去除所述承载板，所述绝缘层与所述凸块对应的位置形成一收容槽；以及在所述收容槽内收容LED，且使所述LED焊接于所述导电图案，从而形成LED封装结构。
led 封装结构及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201710585086.2有效
发明人：张峰溢;李甫哲 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该制作半导体元件的方法包含，首先形成一第一凹槽于一基底内，然后形成一第一浅沟隔离于第一凹槽内，形成一第一图案化掩模于基底上，再利用第一图案化掩模去除部分第一浅沟隔离以形成一第二凹槽以及去除部分基底形成一第三凹槽，其中第三凹槽下表面低于第二凹槽下表面。
半导体元件及其制作方法

[实用新型]一种零涂层不粘锅-CN202220315662.8有效
发明人：周和平;王科 -专利权人：浙江巴赫厨具有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及不粘锅领域，一种零涂层不粘锅,零涂层不锈钢锅身内表面通过激光灼刻构建得到多个深浅一致的凹槽，相邻两个凹槽之间形成有凸棱；所述凹槽内壁及凸棱表面上均形成有过饱和固溶体“S”相的渗层组织，且凹槽至少在其底面上形成有物理不粘层，物理不粘层包括至少为微米级的粗糙面，以及形成在粗糙面上方的纳米级粗糙多孔结构的氧化膜。该方案在渗层组织的表面采用激光灼刻构建得到多个深浅一致且不相通的凹槽，凹槽成倍的增加了锅具表面积，能更多的蓄油和储存空气。并且，激光灼刻得到的凹槽表面光整，并在光整的凹槽表面构建得到物理不粘层，物理不粘层在凹槽表面布置更加均匀，不粘效果更佳。
一种涂层不粘锅

[发明专利]缚紧装置及用于将缚紧装置缚紧附着在物体上之操作方法-CN201610680894.2有效
发明人：黄镫辉 -专利权人：晶翔微系统股份有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： A44C5/02 文献下载
摘要：一种缚紧装置，包含：一缚紧带，具有一外表面及一内表面，用以束缚在一物体上；复数个凹槽，分布及形成于该外表面上；复数个接触垫，对应于该复数个凹槽而形成在该内表面上；以及复数个弹性连接构件，对应形成于该复数个凹槽顶端
装置用于将缚紧附着物体操作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110588154.7在审
发明人：陈暐钧;陈旷举;刘汉英 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：形成凹槽在基板上。凹槽具有侧表面与底表面。形成第一介电层于凹槽的侧表面与底表面、以及基板上，以使第一介电层具有沟槽。填充第一导电材料于沟槽中。回蚀第一导电材料，以形成第一导电层并暴露位于凹槽的侧表面上的第一介电层的一部分。刻蚀第一介电层，使得位于凹槽的侧表面上的第一介电层的上述部分具有沿着远离凹槽的底表面的方向变小的宽度。填充第二导电材料于沟槽中，以形成在第一导电层上的第二导电层。本发明实施例提供的半导体结构及其形成方法，能够减少或避免产生在被形成的导电结构中的缺陷，来获得具有更优良的电性特征及可靠性的半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]铜填充的凹槽的方法-CN201811477042.9在审
发明人：鲍宇;李西祥;曹艳鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜填充的凹槽的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽；步骤二、形成阻挡层；步骤三、形成籽晶层；步骤四、采用电化学电镀工艺在凹槽中填充铜并形成将凹槽完全填充的铜主体层，包括如下分步骤：步骤41、采用第一电流进行铜的敷形沉积形成在凹槽的底部表面和侧面均匀生长第一层铜；步骤42、进行将电流的大小从第一电流逐渐降低到第二电流铜的过渡阶段沉积形成位于凹槽底部表面的厚度大于侧面的厚度的形成第二层铜；步骤43、采用第二电流进行铜的底部向上沉积形成第三层铜将凹槽完全填充。本发明能同时兼顾电镀铜过程中对凹槽侧面和底部表面的籽晶的修复以及从底部向上填充，提高铜填充凹槽的能力，改善凹槽侧面的空洞问题。
填充铜填充沉积凹槽侧面底部表面凹槽底部表面电镀铜过程电化学电镀侧面过渡阶段逐渐降低第三层第一层主体层籽晶层阻挡层籽晶空洞修复生长

[其他]指纹传感器盖-CN201690001300.4有效
发明人：南泽薰;方晶焕;尹硕杓;李镇硕;权度烨;朴性奎;李圭璘;许在鹤 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：根据实施例的指纹传感器盖包括：基板，所述基板包括有源区和无源区；凹槽，所述凹槽形成在所述无源区上，以用于设置指纹传感器；以及装饰层，所述装饰层设置在所述基板的无源区上，其中，所述装饰层包括第一装饰层和第二装饰层，所述第一装饰层设置在所述凹槽的外部区域，所述第二装饰层设置在所述凹槽的内部区域，所述凹槽包括下表面以及连接所述下表面和所述基板的一个表面的内侧表面，所述凹槽的内部区域包括形成所述下表面和所述内侧表面的区域，所述内侧表面形成为相对于所述下表面倾斜。
装饰层下表面基板指纹传感器内侧表面无源区内部区域凹槽形成外部区域源区

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410431686.X有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有凹槽，凹槽包括位于凹槽中心的阵列区、以及位于阵列区周围的外围区；在凹槽的底部和侧壁表面形成复合层，复合层包括交错重叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层，且复合层的顶层和底层均为绝缘层；在凹槽的阵列区内形成若干沟道插塞，沟道插塞贯穿复合层；在形成沟道插塞之后，去除凹槽阵列区的牺牲层，在相邻绝缘层之间形成若干第一开口；在第一开口内形成栅极结构；在形成沟道插塞之后，去除凹槽外围区的牺牲层，在相邻绝缘层之间形成若干第二开口；在第二开口内形成导电结构，衬底和绝缘层表面暴露出导电结构的顶部表面。所形成的半导体结构形貌良好、性能稳定。
半导体结构形成方法

[发明专利]形成光学平台的方法-CN201010567628.1无效
发明人：林益世;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种形成光学平台的方法，包括：提供衬底；利用干法刻蚀图形化所述衬底，形成凹槽；第一次氧化所述图形化的衬底，在图形化的衬底的表面以及凹槽的表面形成氧化膜；图形化所述凹槽底部的衬底和氧化膜，形成器件台、器件台两侧的通孔；第二次氧化所述衬底，在所述通孔的侧壁形成氧化膜；沉积金属，覆盖所述衬底上表面、下表面、凹槽底部和侧壁以及通孔侧壁的氧化膜。本发明利用干法刻蚀在衬底中形成凹槽，可以通过调整干法刻蚀中气体的压强，调整形成的凹槽的侧壁与底部的夹角，从而可以选择合适的压强，选择合适的凹槽的侧壁与底部的夹角，在多个凹槽内设置LED时，优化LED的二次光学效率
形成光学平台方法