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[发明专利]一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法-CN202210192395.4在审
发明人：罗庆;王渊;姜鹏飞;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法，铁电膜的制作方法包括：通过溅射工艺溅射靶材，制备铁电薄膜，其中，靶材包括二氧化铪靶材和锆单质靶材。半导体器件的制作方法包括在衬底之上形成栅极介电层；通过铁电薄膜的制作方法，在栅极介电层上形成铁电薄膜；在铁电薄膜之上形成栅电极，其中，栅极介电层、铁电薄膜和栅电极均介于衬底的源极区和漏极区之间。另一种半导体器件的制作方法包括在衬底之上形成下电极层；通过铁电薄膜的制作方法，在下电极层之上形成铁电薄膜；在铁电薄膜之上形成上电极层。本发明提高铁电薄膜和半导体器件的铁电性能，增强铁电薄膜的可靠性和稳定性，降低铁电薄膜的漏电率。
一种铁电膜制作方法半导体器件

[发明专利]一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法-CN201610343918.5有效
发明人：胡广达;闫静;蒋晓妹 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法，该方法是以金属铝片作为铁电薄膜的电极，或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极，对铁电薄膜的电极进行预处理后再在预处理的电极上生长铁电薄膜；所述铁电薄膜的电极在气体保护本发明首次提出通过电极的选择提高铁电薄膜抗击穿能力的思路，并提供了可行的电极。所得铁电薄膜具有很强的抗击穿能力，漏电流很低，能测到薄膜的真实铁电性能，在未来铁电薄膜的制备过程和器件应用中都具有良好的前景。
一种提高薄膜抗击能力方法

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法-CN202310104007.7在审
发明人：廖敏;罗梓綦;曾斌建;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜电容技术领域。本发明提供了一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法，在衬底一面顺次沉积第一金属层、氧化铪基铁电薄膜、第二金属层，得到金属‑铁电‑金属结构的铁电电容；对金属‑铁电‑金属结构的铁电电容进行热处理后，顺次进行刻蚀第二金属层、在氧化铪基铁电薄膜上沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层，得到金属‑铁电‑金属结构的氧化铪基铁电薄膜电容。本发明氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法相较于传统的金属后退火(PMA)处理，通过沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层可进一步提高氧化铪基铁电薄膜电容的极化强度，进一步优化氧化铪基薄膜的铁电性能
一种氧化铪基铁电薄膜电容性能优化方法

[发明专利]一种多重服役条件下柔性铁电薄膜的PFM检测方法-CN201911219275.3有效
发明人：蒋丽梅;陈强;姜杰;廖佳佳;刘文燕 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多重服役条件下柔性铁电薄膜的PFM检测方法，包括：将柔性铁电薄膜与导电弯曲载台装配，形成弯曲服役柔性铁电薄膜；将弯曲服役柔性铁电薄膜与温控载台装配，形成双重服役柔性铁电薄膜；将双重服役柔性铁电薄膜与高压载台装配，形成多重服役柔性铁电薄膜；利用PFM检测多重服役柔性铁电薄膜的性能。本方法采用PFM作为观测手段，操作方便，可无损观测到样品纳米级的畴结构和电学性能，为柔性铁电薄膜的微观作用机制提供了可靠的研究手段；将PFM仪器中温控载台与高压载台进行了组装与联用，使仪器既可以在高温下，又可以在高压下测量柔性铁电薄膜的性能，为铁电存储器在高温环境下的工作状态提供实验依据。
一种多重服役条件下柔性薄膜 pfm 检测方法

[发明专利]一种调控超薄铁磁薄膜磁性能的铁电器件的制备方法-CN201810337141.0在审
发明人：田莉;赵晓林;王建禄 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2018-04-15 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种调控超薄铁磁薄膜磁性能的铁电器件的制备方法。本发明在衬底上制备超薄铁磁薄膜/PVDF基铁电薄膜/Al结构的铁电器件，首先在衬底上制备超薄铁磁薄膜，在制备“十”字标记后，通过光刻和刻蚀得到所需铁磁薄膜图形；然后采用溶胶‑凝胶方法或朗谬尔‑布罗基特方法制备PVDF基有机铁电薄膜；最后在有机铁电薄膜表面制备Al薄膜，通过光刻和刻蚀得到所需Al电极图形。本发明在器件中通过对铁磁薄膜的电极引脚和Al电极加电场使PVDF基铁电薄膜极化，而由极化引起的铁磁薄膜的电性能变化可通过伏安表测量，从而能够为研究有机铁电薄膜对超薄铁磁薄膜的磁性能调控提供保证。
铁磁薄膜制备铁电器件磁性能电薄膜有机铁基铁电极化衬底光刻刻蚀薄膜调控表面制备电极引脚表测量电性能加电场朗谬尔字标记凝胶保证研究

[发明专利]一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法-CN200910195208.2无效
发明人：万海军;翁旭东;陈志辉;沈臻魁;江安全 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶对应一种厚度，可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后，薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高，因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料，用于红外热释电探测器，机敏器件和系统，且制备方法简单易操作，
一种具有高热性能反铁电薄膜制备方法

[发明专利]一种修饰铁电薄膜表面的方法及得到的铁电薄膜-CN202310897511.7在审
发明人：田瑜;曾召利;张金星 -专利权人：中国人民解放军空军军医大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种修饰铁电薄膜表面的方法及得到的铁电薄膜，所述方法包括：在铁电薄膜表面修饰正离子或负离子，以在铁电薄膜表面构建与铁电薄膜的初始极化方向相反的表面电场。本发明在初始极化向上铁电薄膜表面修饰H+离子等带正电荷的离子，或者在初始极化向下铁电薄膜表面修饰OH‑等带负电荷的离子，从而构建与初始极化方向相反(即铁电薄膜初始极化向上修饰后反转为向下，铁电薄膜初始极化向下修饰后反转为向上)，与“写入”的极化状态同向的表面电场，从而使电场写入的极化状态更加稳定，提升铁电极化的保持性能
一种修饰薄膜表面方法得到

[发明专利]一种极化增强的铁电神经突触器件及其制备方法-CN202210692657.3在审
发明人：王天宇;孟佳琳;李庆轩;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种极化增强的铁电神经突触器件及其制备方法。该极化增强的铁电神经突触器件包括：衬底；二维铁电薄膜，形成在所述衬底上，作为沟道；源电极和漏电极，形成在所述二维铁电薄膜两侧；铁电栅介质层，其为铪基铁电薄膜，形成在上述器件上；栅电极，形成在所述铁电栅介质层上，且位于所述沟道上方；向栅电极施加正向电压，铪基铁电薄膜发生极化翻转，器件电阻变小，这时极化强度仅取决于铪基铁电薄膜；继续施加正向电压，铪基铁电薄膜和二维铁电薄膜均发生极化翻转，器件的电阻变为最小，极化强度变为最大
一种极化增强神经突触器件及其制备方法

[发明专利]氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法-CN202010941513.8有效
发明人：廖敏;戴思维;郇延伟;刘晨;曾斌建;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明申请公开一种氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法。氧化铪基铁电薄膜包括多个纳米铁电畴，和包围在每个纳米铁电畴周围的相结构，以使得多个纳米铁电畴之间呈弥散分布，形成多相共存结构；相结构为顺电相、非铁电相和反铁电相。基于本发明实施例，本发明的氧化铪基铁电薄膜为多相共存结构，其呈弥散布置的多个数量的纳米铁电畴有利于降低氧化铪基铁电薄膜的极化翻转势垒，从而减小了其矫顽场电压。另一方面，基于本发明实施例的氧化铪基铁电薄膜，仅需一个稍小的外加驱动电压就能达到相对大的剩余极化值，可以减小器件工作电压，避免氧化铪基铁电薄膜在高循环电场中过早的出现硬击穿现象，有效地提高氧化铪基铁电薄膜的抗疲劳性能
氧化铪基铁电薄膜制备方法

[发明专利]基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法-CN202211152412.8在审
发明人：周益春;贾世杰;廖佳佳;廖敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法，所述器件自下而上依次包括衬底、底电极、多相薄膜层以及顶层覆盖层，其中，所述多相薄膜层由铁电相和反铁电相混合形成，所述铁电相和所述反铁电相均为氧化铪基铁电材料本发明利用铁电相和反铁电相调控机制的耦合作用，可以实现在保持一定剩余极化强度的同时提升薄膜的抗疲劳性能，满足铁电存储器件对于铁电薄膜抗疲劳性能的需求。
基于铁电相反铁电相多相薄膜器件及其制备方法

[发明专利]一种强极化取向的铁电薄膜及其制备方法-CN201810844049.3在审
发明人：李静波;王林;金海波;洪思明;桂萌琦 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种强极化取向的铁电薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：制备钛酸铁铋前驱体溶液；获取导电基底材料；将所述钛酸铁铋前驱体溶液旋涂至所述导电基底材料上，得到钛酸铁铋薄膜；热处理所述钛酸铁铋薄膜，得到未晶化钛酸铁铋薄膜；在向所述未晶化钛酸铁铋薄膜的表面施加外电场的环境下，高温下热处理所述未晶化钛酸铁铋薄膜，得到强极化取向的铁电薄膜。本发明实施例通过在铁电薄膜的制备过程中施加外电场，实现了铁电薄膜的强极化取向生长，使得制得的铁电薄膜表面平整而致密，结晶度高，晶粒的极化取向明显，从而使制得的铁电薄膜具有高光学催化性能。
铁电薄膜钛酸铁极化取向铋薄膜制备晶化导电基底材料热处理铋前驱体外电场致密表面平整表面施加催化性能制备过程晶粒结晶度旋涂施加生长

[实用新型]铁电薄膜电容-CN201320042511.0有效
发明人：周静;谢文广;李钟婧 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。它解决了现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题。它包括硅基底层，它还包括六个上电极、六个上电极缓冲柱、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层和阻挡层；所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为400nm至480nm；硅基底层上由下至上顺次粘接固定阻挡层、下电极层、下电极缓冲层和铁电薄膜层，铁电薄膜层的上表面上均匀分布六个上电极缓冲柱，每个上电极缓冲柱上均设置一个上电极。本实用新型作为一种铁电薄膜电容。
薄膜电容

[发明专利]一种水转移铁电薄膜空间光调制器-CN202211319182.X在审
发明人：王俊嘉;陶梦雪;董国华 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02F1/135 文献下载
摘要：本发明公开了一种水转移铁电薄膜空间光调制器，该调制器包括铁电薄膜层(2)、电源(3)和电极(4)；其中，铁电薄膜层为块状，在铁电薄膜层上设有平行的两条电极，电源连接在平行的两条电极上；在铁电薄膜层的平面建立xyz坐标系，y轴为光传播方向，铁电薄膜层垂直于光束的光传播方向y轴方向放置，光束到达铁电薄膜层处，通过电极给薄膜施加电场产生极化，从而调制薄膜折射率。本发明采用水转移方法制备铁电薄膜层，不仅可以保留钛酸钡薄膜良好的铁电性、外延性和优异的柔韧性，且操作简单，成本低，具有广泛的应用前景。
一种转移薄膜空间调制器

[发明专利]一种铁电薄膜温度可靠性的评价方法-CN201910371399.7在审
发明人：彭强祥;罗远东;杨琼;廖敏;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电薄膜温度可靠性的评价方法，所述方法包括：获取铁电薄膜样品的初始特性，以得到所述铁电薄膜样品的初始性能参数；对所述铁电薄膜样品进行预极化处理，测得剩余极化值；根据所述铁电薄膜样品的热释电系数及相关参数与剩余极化值的比值，确定所述铁电薄膜样品是否合格。本发明由能够对铁电集成器件中由环境温度变化引起铁电薄膜性能波动而造成的器件性能可靠性下降进行预评估，能有效缩短产品研发周期，降低产品研发投入成，满足了实际应用需求。
铁电薄膜温度可靠性产品研发剩余极化环境温度变化铁电薄膜性能热释电系数预极化处理初始特性集成器件器件性能相关参数性能参数应用需求铁电评估

[发明专利]一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法-CN201610518884.9在审
发明人：李效民;徐雷雷;高相东;朱秋香 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，所述氮化镓基铁酸铋铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体薄膜衬底上的TiO₂缓冲层、锰酸锶镧缓冲层以及铁酸铋铁电薄膜层构成本发明的有益结果是采用LSMO/TiO₂双缓冲层，减小了铁酸铋与氮化镓之间的晶格失配度，实现了铁酸铋铁电薄膜在氮化镓半导体薄膜上的外延生长，获得了（111）单一取向的铁酸铋薄膜，实现了铁酸铋铁电薄膜与氮化镓半导体的外延集成
一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法

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