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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法-CN202211152412.8在审
发明人：周益春;贾世杰;廖佳佳;廖敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法，所述器件自下而上依次包括衬底、底电极、多相薄膜层以及顶层覆盖层，其中，所述多相薄膜层由铁电相和反铁电相混合形成，所述铁电相和所述反铁电相均为氧化铪基铁电材料本发明利用铁电相和反铁电相调控机制的耦合作用，可以实现在保持一定剩余极化强度的同时提升薄膜的抗疲劳性能，满足铁电存储器件对于铁电薄膜抗疲劳性能的需求。
基于铁电相反铁电相多相薄膜器件及其制备方法

[发明专利]一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法-CN201310659224.9有效
发明人：姜胜林;张岭;张光祖;付明;喻研;易金桥 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法。反铁电陶瓷材料由质量分数为k的四方反铁电相和质量分数为（1-k）的正交反铁电相复合而成；四方反铁电相为(Pb0.87-1.5xBa0.1La0.02Mx)(Zr0.95-ySnyTi0.05)O3，正交反铁电相为制备方法包括如下步骤：（1）制备四方相反铁电陶瓷粉体；（2）制备正交相反铁电陶瓷粉体；（3）将四方相反铁电陶瓷粉体和正交相反铁电陶瓷粉体按质量百分比复合得到反铁电储能陶瓷材料。该反铁电陶瓷材料在保持较高的饱和极化强度的同时，获得较大的铁电-反铁电相变场，从而使储能密度得到大幅提高。
一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度和高储能效率的复合陶瓷材料制备方法-CN202210209252.X有效
发明人：张洋洋;赵帅杰;李慧;张金平;高景霞;王二萍;李伟;李明阳;张翔 -专利权人：黄河科技学院
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明是一种高储能密度和高储能效率的复合陶瓷材料制备方法，有效解决了现有反铁电材料和弛豫铁电材料在高温合成时，容易造成两相反应产生杂相，使复合后储能效率下降，耐压强度降低的问题，该复合陶瓷由反铁电相粉体和包覆了氧化铝的弛豫铁电相粉体按照化学式所制成，反铁电相粉体是由PbO、HfO2和SnO2进行配料后混合而成，最后将反铁电相粉体和包覆了氧化铝的弛豫铁电相粉体进行混合，其中包覆了氧化铝的弛豫铁电相粉体，按照比例进行混合。氧化铝的包覆，能够有效增加耐压强度，同时降低两相高温时的反应扩散，保障复合材料的高储能密度及高储能效率。
一种高储能密度效率复合陶瓷材料制备方法

[发明专利]用于侧壁应变工程的带间隔体的铁电或反铁电沟槽电容器-CN202010220099.1在审
发明人： N.哈拉蒂波尔;S-C.常;林家庆;J.卡瓦列罗斯;U.阿夫奇;I.扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了用于侧壁应变工程的带间隔体的铁电或反铁电沟槽电容器。描述了一种基于铁电的电容器，其通过沿着基于铁电/反铁电的电容器的铁电或反铁电材料的平面（例如，x轴）提供拉伸应力，来改进铁电存储器的可靠性。所述拉伸应力向铁电材料提供极性正交相，并且向反铁电材料提供四方相。照此，铁电/反铁电氧化物薄膜的记忆窗口和可靠性得以改进。
用于侧壁应变工程间隔反铁电沟槽电容器

[发明专利]一种提高反铁电膜材料负电卡制冷方法-CN201610535039.2在审
发明人：郝喜红;高洪成;李雍;孙宁宁;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明提出一种锆酸铅基反铁电材料和锆酸铅基反铁电薄膜的制备方法，所述锆酸铅基反铁电材料，其化学通式为Pb1‑xSrxZrO3，其中，x的取值范围：0＜x≤0.05。根据本发明实施例的锆酸铅基反铁电材料，包括化学通式为Pb1‑xSrxZrO3的材料，其中0＜x≤0.05，通过Sr的掺杂，能够提高负制冷值，提高制冷强度。在外加电场的作用下，Pb1‑xSrxZrO3反铁电薄膜随Sr含量的增加反铁电相越稳定，能够获得较大的反铁电到铁电转变电场(EAFE‑FE)，从而有利于负制冷的增加和制冷强度的提高。
一种提高反铁电膜材料负电制冷方法

[发明专利]反铁电薄膜结构和电子器件、存储单元、电子装置-CN202210423984.9在审
发明人：朴报恩;金容诚;宋政奎;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开一种反铁电薄膜结构、电子器件、存储单元和电子装置，其中该反铁电薄膜结构包括：电介质层，包括铪氧化物的反铁电相；以及在电介质层中的插入层，该插入层包括氧化物。已经应用反铁电薄膜结构的电子器件可以确保具有很小滞后的工作电压区间。
反铁电薄膜结构电子器件存储单元电子装置

[发明专利]锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法-CN201710229647.5有效
发明人：郝喜红;陈立明;李雍;孙宁宁;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法，用于制备锆酸铅基反铁电多层电容器的锆酸铅基反铁电材料的化学通式为(Pb_0.92‑xBa_0.05La反铁电多层电容器，用掺杂了Dy的锆酸铅基反铁电材料制备的电容器，在外加电场的作用下，会随Dy含量的增加反铁电相越稳定，能够获得较大的反铁电到铁电转变电场(E_AFE‑FE)，E_AFE‑FE与铁电到反铁电转变电场的差值ΔE逐渐降低，提高了多层电容器的储能密度和储能效率。
锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法

[发明专利]一种铁电存储器及其铁电电容和制备方法-CN202210620069.9在审
发明人：黄芊芊;杨勐譞;黄如 -专利权人：北京超弦存储器研究院;北京大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器及其铁电电容和制备方法，属于半导体存储器件领域。本发明在铁电电容中的铁电介质层生长前引入一层反铁电介质层，利用反铁电层作为种子层时，为铁电介质层提供结晶模板，从而提高铁电相占比更高，提升剩余极化强度进而提升存储窗口；同时利用反铁电层作为界面层时，具有比其他相更低的表面能和更稳定的电极接触界面有利于铁电随机存储器的低功耗高性能高可靠性应用。
一种存储器及其电容制备方法

[发明专利]一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法-CN201710074301.2有效
发明人：柯华;罗蕙佳代;张洪军;张利伟;李方喆;周俊杰;曹璐;应鹏展;刘爽;李谢凝 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xB反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。
一种单相 nbt 基反铁电陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种磁电储存器存储单元的装配结构-CN202221776685.5有效
发明人：王晨宇;李瑞昭;徐兴亮 -专利权人：浙江科技学院
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁电储存器存储单元的装配结构，从上至下包括第一铁磁层(1)、绝缘层(2)、第二铁磁层(3)、铁电‑反铁磁层(4)、底电极层(5)和衬底层(6)，铁电‑反铁磁层(4)与底电极层(5)均为十字结构，铁电‑反铁磁层(4)的十字臂与底电极层(5)的十字臂相紧贴；所述的铁电‑反铁磁层(4)的十字臂上设有扣合主板(7)，扣合主板(7)的两侧设有固定支脚(8)。本实用新型能够将铁电‑反铁磁层和底电极层快速且牢固地组装在一起，提高了安装和拆卸的快捷性。
一种磁电储存器存储单元装配结构

[发明专利]无铅反铁电材料及其制备方法-CN201010292209.1无效
发明人：郭益平;顾明元 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种陶瓷制备技术领域的无铅反铁电材料的制备方法，选用分析级的Na2CO3、Bi2O3、BaCO3及TiO2为原料按NayBizTi(1-x)-xBaTiO3化学式进行配料混合后进行球磨和预煅烧，然后经二次球磨后经粘结造粒压制得到胚体，最后将胚体进行烧结得到无铅反铁电材料。本发明使用的钠铋摩尔比小于1，即富铋缺钠、单独富铋或者单独缺钠，制备得到的材料能够在室温下显示双电滞回线，并可在电场作用下可发生反铁电相到铁电相的变化，且诱导铁电相的稳定性可通过钠铋比进行调节。
无铅反铁电材料及其制备方法

[发明专利]高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN202010798450.5在审
发明人：翟继卫;黄凯威;葛广龙;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法，所述反铁电陶瓷材料包括：铅钡镧锆锡反铁电陶瓷相和钡硼铝硅玻璃相；所述反铁电陶瓷材料的化学通式为：(Pb0.91相烧结法制备反铁电陶瓷材料，通过引入玻璃烧结助剂，使得反铁电陶瓷材料的耐压强度显著提高，并大幅降低了陶瓷的烧结温度。
高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种反铁电陶瓷及还原气氛下烧结制备反铁电陶瓷的方法-CN202310812346.0在审
发明人：孙宏辰;王晓智;徐卓;栾鹏;徐然 -专利权人：苏州思萃电子功能材料技术研究所有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁电陶瓷及还原气氛下烧结制备反铁电陶瓷的方法，通过利用传统固相法制备了一种添加氧化物Y2(CO3)3的反铁电陶瓷，陶瓷体在还原气氛下烧结，晶体结构未发生改变；Y2(CO3)3的加入改善了反铁电陶瓷的致密性，降低了晶粒尺寸，提高了击穿场强和饱和极化强度，反铁电陶瓷的击穿场强提高至400kV/cm，获得5J/cm3的可恢复储能密度和93％的储能效率，达到空气下烧结的样品的储能特性；通过优化反铁电组分配方，提升反铁电材料的抗还原特性，满足与贱金属内电极共烧需求，本发明使得反铁电陶瓷在还原气氛下的烧结环境下仍保持高的储能密度和储能效率
一种反铁电陶瓷还原气氛烧结制备方法

[发明专利]一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法-CN201711489623.X在审
发明人：王修才;陈建文;于盺梅;朱珍;段志奎;樊耘;牛菓 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明属于功能陶瓷技术领域，公开了一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法，所述反铁电材料的组成为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3，其中0.4≤x≤0.5，本发明的反铁电厚膜具有特殊的电滞回线结构，不仅具有大的耐击穿电场和相转变电场，同时具有较大的极化强度51.8μC/cm2，使其具有较高的储能密度4.2～6.9J/cm3，这对于开发和制备高储能密度反铁电材料具有非常重要的意义。
反铁电高储能厚膜制备电场电滞回线功能陶瓷极化耐击穿储能开发

[发明专利]一种非均匀化学计量比反铁电陶瓷、其制备方法及其应用-CN201710591305.8有效
发明人：牛中华;蒋艳平;唐新桂;刘秋香 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供了一种反铁电陶瓷材料、其制备方法及其应用，该反铁电陶瓷材料具有式I所示通式：(Pb0.97La0.02)(Zr该反铁电陶瓷材料具有式I所示通式，为非均匀非化学计量比的反铁电陶瓷。与现有技术相比，该非化学计量比的反铁电陶瓷材料具有良好的储能特性。；在190～210℃温度范围内、饱和电场下，储能密度为0.83～0.98J/cm3；在160℃～220℃温度范围内，强度大于30kV/cm的电场下，发生可逆的反铁电相向铁电相相变
一种均匀化学计量反铁电陶瓷制备方法及其应用

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