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[发明专利]芯片测试方法、装置、设备及介质-CN202210827547.3在审
发明人：康经纬 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片测试方法、装置、设备及介质，涉及芯片技术领域。该方法包括：获取目标测试工艺对待测芯片的输出特性的预估偏移量，其中，目标测试工艺为对待测芯片的输出特性产生影响的芯片测试工艺；利用与预估偏移量对应的目标芯片熔断方案，对待测芯片的输出特性进行调整，以使特性调整后的待测芯片的输出特性的实际输出值相较于输出特性的标准值存在与预估偏移量对应的偏移补偿量，偏移补偿量与预估偏移量的偏移方向相反，其中，偏移补偿量用于对特性调整后的待测芯片在目标测试工艺过程中产生的实际输出特征偏移量进行补偿。根据本申请实施例，能够对芯片输出特性进行准确优化。
芯片测试方法装置设备介质

[实用新型]一种倒装芯片偏移测试结构-CN202222599941.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装芯片偏移测试结构，属于量子芯片制造领域。偏移测试结构包括第一、第二芯片，且二者各自配置有互连件。其中第二芯片还配置有偏移件，并且该偏移件以预设方向和间距接近但是未接触第二芯片的互连件。第二芯片中的互连件和偏移件各自电连接有测试导线。偏移测试结构可以被方便地通过测试导线接入测试电路，并通过电学测量获得互连件和偏移件的电学连通情况。因此该方案能够被用于确定倒装芯片制作过程中的上下层芯片的对位是否准确。
一种倒装芯片偏移测试结构

[发明专利]一种发光装置及判定芯片焊接偏移方法-CN202210022934.X在审
发明人：吴涛;张珂 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光装置及判定芯片焊接偏移方法，涉及半导体器件的技术领域。其中所述发光装置包括驱动芯片和发光芯片，所述驱动芯片用于驱动所述发光芯片发光，所述驱动芯片上设有第一偏移标记，所述发光芯片上设有第二偏移标记，所述发光芯片倒装键合于所述驱动芯片，所述第二偏移标记朝向所述驱动芯片的正投影位于所述第一偏移标记的内部
一种发光装置判定芯片焊接偏移方法

[发明专利]具有上下对称的多芯片偏移堆叠封装结构-CN200710111046.0有效
发明人：周世文;陈煜仁 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有上下对称的多芯片偏移堆叠封装结构，包含：一个由多个成相对排列的内引脚群以及一个芯片承座组成的导线架，芯片承座位于多个相对排列的内引脚群之间，且内引脚群与芯片承座均各自具有上表面及下表面；一个第一多芯片偏移堆叠结构与一个第二多芯片偏移堆叠结构分别固接于芯片承座的上表面及下表面；多条金属导线电性连接第一多芯片偏移堆叠结构与第二多芯片偏移堆叠结构至内引脚群；以及以一个封胶体来包覆第一多芯片偏移堆叠结构、第二多芯片偏移堆叠结构、内引脚群以及芯片承座并暴露出外引脚。
具有上下对称芯片偏移堆叠封装结构

[发明专利]包括层叠的半导体芯片的半导体封装-CN202010766391.3在审
发明人：朴洪范;朴正现;李硕源 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括：基础基板；印刷电路板，其设置在基础基板上；第一芯片层叠物，其在印刷电路板的一侧设置在基础基板上，并且包括在面向印刷电路板的第一偏移方向上偏移层叠的第一半导体芯片；第二芯片层叠物，其设置在第一芯片层叠物上，并且包括在背离印刷电路板的第二偏移方向上偏移层叠的第二半导体芯片；第三芯片层叠物，其在印刷电路板的另一侧设置在基础基板上，并且包括在第二偏移方向上偏移层叠的第三半导体芯片；以及第四芯片层叠物，其设置在第三芯片层叠物上，并且包括在第一偏移方向上偏移层叠的第四半导体芯片，其中，第二芯片层叠物和第四芯片层叠物通过印刷电路板与基础基板电连接。
包括层叠半导体芯片封装

[实用新型]用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置-CN201020601511.6有效
发明人：汪秉龙;陈桂标;陈信呈 -专利权人：久元电子股份有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：一种用于检测发光二极管芯片的偏移量的检测装置，其包括：一检测平台及一芯片偏移量检测模块。检测平台具有一可移动的中空平台，其中一具有多个发光二极管芯片的置晶薄膜置放于检测平台的中空平台上。芯片偏移量检测模块具有至少一设置于中空平台的上方且用于检测该些发光二极管芯片的偏移量的芯片偏移量检测元件。因此，本实用新型除了可免除人工操作及墨水浪费外，更能通过计算机以计算出不良发光二极管芯片的数量及区域，进而使移除不良发光二极管芯片的工艺更为方便。此外，本实用新型也可使用芯片偏移量检测模块，以有效针对多个发光二极管芯片进行偏移量的测量。
用于检测发光二极管芯片偏移装置

[发明专利]芯片安装位置的调整方法、装置、介质和电子设备-CN202110522110.4在审
发明人：王海林 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种芯片安装位置的调整方法、装置、介质和电子设备，所述调整方法包括：获取第一组芯片中各个芯片的实际安装位置的偏移量；根据所述第一组芯片中各个芯片的实际安装位置的偏移量获取所述第一组芯片中各个芯片的实际安装位置的平均偏移量；根据所述第一组芯片中各个芯片的实际安装位置的平均偏移量对芯片的安装位置进行调整。本发明方案能够提高芯片安装位置的安装精度。
芯片安装位置调整方法装置介质电子设备

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体制造装置-CN201510096614.9有效
发明人：深山真哉;尾山幸史;村上和博 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明的实施方式通过减少积层芯片间的位置偏移量而改善积层芯片的良率，从而削减成本。实施方式的半导体装置的制造方法包括：获取第1半导体芯片的位置的步骤；及将第2半导体芯片安装在所述第1半导体芯片上的步骤。该半导体装置的制造方法还包括：获取所述第2半导体芯片的位置的步骤；计算第1偏移量的步骤，所述第1偏移量是所述第1半导体芯片的位置与所述第2半导体芯片的位置的偏移量；及进行所述第1偏移量是否为第1范围内的第
半导体装置制造方法

[发明专利]一种改善偏移的LED芯片切割方法-CN202111370826.3在审
发明人：郑军;王爱杰;李琳琳;齐国健;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤如下：(1)涂胶；(2)光刻：将涂胶后的LED芯片P面曝光，得到标识切割道和偏移刻度标识；(3)显影；(4)刻蚀；(5)去胶；(6)贴膜；(7)切割。本发明改善了常规化LED芯片切割工艺，添加了标识切割道和偏移刻度标识，通过让刀片沿着标识切割道行径进行切割，并在标识切割道路径上设置偏移刻度标识进行可视化数据调整，相当于多了一把直尺进行实时的偏移测量，有效地改善了常规化LED芯片切割工艺中凭经验调整偏移的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。
一种改善偏移 led 芯片切割方法

[发明专利]一种芯片焊点的定位方法-CN201410610000.3在审
发明人：方舟;曹岩;董皓;白瑀;杜江;赵晓龙 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片焊点的定位方法，包括对位于设定位置的芯片和贴片基板进行图像采集，对采集的图像进行分析处理得出芯片和贴片基板的坐标偏移量以及角度偏移量，依据坐标偏移量和角度偏移量对引线键合头位置进行调整上述方法能够快速、准确的检测出芯片和贴片基板相对于设计位置的偏移位置和偏移角度，分析得出键合焊点的实际中心坐标位置，提高引线键合工艺中的焊接质量。
一种芯片定位方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和制造装置-CN201780032715.7有效
发明人：朝日昇;仁村将次 -专利权人：东丽工程株式会社
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：具体而言，半导体装置的制造方法将半导体芯片(4)和基板(1)电连接，在半导体芯片(4)的第2主面上形成有凸块(5)，在基板(1)的第1主面上形成有电极焊盘(2)，该半导体装置的制造方法构成为具有如下的工序：(A)临时配置工序，得到借助粘接剂(7)使凸块(5)与电极焊盘(2)对置而成的临时配置体(8)；(B)检查工序，对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)的位置偏移进行检查，确定位置偏移半导体芯片，该位置偏移半导体芯片的位置偏移不在规定的范围内；(C)位置修正工序，若存在位置偏移半导体芯片，则使该位置偏移半导体芯片移动而对位置进行修正；以及(D)连接工序，对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)进行加热、加压而将该半导体芯片(4)的凸块(5)与基板
半导体装置制造方法

[发明专利]防止大功率发光二极管芯片偏移的封装结构及其制备工艺-CN201310106339.5有效
发明人：殷录桥;张建华;张金龙;宋鹏 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止大功率发光二极管芯片偏移的封装结构，在封装体内设置密封槽，在密封槽内，LED芯片的一端通过金属互连层与正电极表面部分焊接实现键合连接，密封槽主要由在安装LED芯片的焊接位置处制的防偏移凹槽形成，使LED芯片以间隙配合方式固定嵌入设置于防偏移凹槽内，防偏移凹槽作为芯片安装凹槽约束LED芯片的安装位置偏移，从而简化LED回流工艺，提高生产效率及可靠性。本发明还公开了该封装结构的制备工艺，通过刻蚀工艺或者精密机械加工技术制作一个比LED芯片尺寸略大的防偏移凹槽，优化回流焊接或共晶焊接，提高了发光二极管的生产效率及可靠性，提高封装的对位精度及美观，使发光二极管的出光均匀性显著提高
防止大功率发光二极管芯片偏移封装结构及其制备工艺

[发明专利]一种双色芯片LED系统和双色芯片LED-CN201611132150.3在审
发明人：杨洲;高上;曹晓梅;邱婧雯 -专利权人：青岛海信电器股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种双色芯片LED系统和双色芯片LED，通过对双色芯片LED支架中的两个支架基座采用不同的材料，将相应的蓝色芯片LED和绿色芯片LED的随温度变化的色坐标偏移速率调节至同步，从而，使蓝色芯片LED和绿色芯片LED在温度变化过程中，实现相同的色坐标偏移速率，避免因为双色芯片LED中的蓝色芯片LED和绿色芯片LED受温度影响产生色坐标偏移的速率不同，而导致的色坐标变化不规律的问题，保证高色域成像显示效果
一种芯片 led 系统

[发明专利]频偏补偿方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质-CN202111587558.0在审
发明人：汪勇;吕悦川;钱炜;吕小平 -专利权人：北京智联安科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H04L27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种频偏补偿方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质，该方法包括：获取不同温度下温度传感器的读数，并根据不同温度下温度传感器的读数确定温度传感器的初始偏移值；获取不同温度下晶振的频偏值，并根据不同温度下晶振的频偏值确定晶振的初始偏移值；根据晶振的初始偏移值和温度传感器的初始偏移值，确定所述NB‑IoT芯片的实际偏移值；基于所述NB‑IoT芯片的实际偏移值，修正所述NB‑IoT芯片的输出信号；其中，该温度包括预定校准温度。本发明能够现根据实际误差值对芯片进行修正，提高了频偏补偿的精度，保证了实际温度下芯片的输出信号稳定性。
补偿方法系统电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备-CN202010473465.4在审
发明人：孟阳;王兴荣;王良;王伟斌;刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备，所述方法包括：提供芯片设计版图；确定表征芯片设计版图中刻蚀偏移类别的多个特征图案；基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到刻蚀偏移量的收敛值；采用所述刻蚀偏移量的收敛值，对所述特征图案的掩膜版图案进行修正。上述的方案，可以提高所得到的刻蚀偏移量的准确性，提高所形成的半导体结构的性能。
刻蚀偏移修正方法系统相关设备

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