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[发明专利]布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质-CN202010046509.5有效
发明人：杜杳隽;刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质，矫正方法用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，包括：提供原始版图，包括与掩膜基底相对应的布局图形，并确定布局图形对应于掩膜基底上的位置作为第一初始位置，布局图形所在的区域为图形区，剩余区域为遮挡区；对掩膜基底进行检测，获取掩膜基底上的缺陷点并确定缺陷点在掩膜基底上的位置为第二初始位置；获取缺陷点的第一偏移矢量，第一偏移矢量适于使缺陷点由第二初始位置移动至任一遮挡区；计算第一偏移矢量的负矢量为第二偏移矢量；根据第二偏移矢量移动布局图形，使布局图形对应于掩膜基底上的位置由第一初始位置变更为优化后位置。本发明提高光刻图形的精度。
布局图形矫正方法系统掩膜版设备存储介质

[发明专利]工艺检测方法及系统、设备、存储介质-CN202010129485.X有效
发明人：孟阳;王伟斌;刘庆炜;吴宗晔 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种工艺检测方法及系统、设备、存储介质，工艺检测方法包括：提供基底，基底上形成有底层功能结构、以及位于底层功能结构上方的待检测功能层，待检测功能层中形成有开口，开口露出底层功能结构；提供底层功能结构的版图图形作为第一版图图形，提供开口的版图图形作为第二版图图形；获取开口的轮廓图形；对轮廓图形与第二版图图形进行第一叠加处理，获得第一叠加图形；根据第一叠加图形比较轮廓图形与第一版图图形的相对位置关系，并根据相对位置关系检测薄弱点。所述底层功能结构所对应的第一版图图形的边界清楚且完整，因此，通过比较轮廓图形与第一版图图形的相对位置关系的方式，使得判断结果更精准，相应提高了工艺检测的精度。
工艺检测方法系统设备存储介质

[发明专利]光学邻近矫正方法及系统、掩模版、设备与存储介质-CN202110065154.9在审
发明人：孟阳;陈巧丽;刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光学邻近矫正方法及系统、掩模版、设备与存储介质，所述光学临近矫正的方法包括：本发明提供一种光学临近矫正模型的方法、光学临近矫正系统以及掩膜板，所述光学临近矫正方法包括：提供光学临近矫正模型，所述光学临近矫正模型采用标准测试图形数据库进行模拟仿真，选取所述测试图形库中的部分测试图形作为基础测试图形，选取所述真实芯片图形数据库中的真实芯片图形；计算所述基础测试图形和真实芯片图形特征向量之间的多级差异；基于多级差异从小到大对备用测试图形进行排序，将排序后小于预设排名的备用测试图形添加到基础测试图形中。
光学邻近矫正方法系统模版设备存储介质

[发明专利]刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备-CN202010473465.4在审
发明人：孟阳;王兴荣;王良;王伟斌;刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备，所述方法包括：提供芯片设计版图；确定表征芯片设计版图中刻蚀偏移类别的多个特征图案；基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到刻蚀偏移量的收敛值；采用所述刻蚀偏移量的收敛值，对所述特征图案的掩膜版图案进行修正。上述的方案，可以提高所得到的刻蚀偏移量的准确性，提高所形成的半导体结构的性能。
刻蚀偏移修正方法系统相关设备

[发明专利]单侧刻蚀偏差测量方法及设备-CN202010395638.5在审
发明人：孟阳;王兴荣;王良;王伟斌;刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单侧刻蚀偏差测量方法及设备，所述单侧刻蚀偏差测量方法包括基于同一坐标系的第一设计图案和第二设计图案，以及分别与所述第一设计图案和所述第二设计图案相对应的第一检测图案和第二检测图案；将所述第一检测图案定位于所述第一设计图案，将所述第二检测图案定位于所述第二设计图案；将所述第一检测图案和所述第二检测图案设置于同一坐标系。
刻蚀偏差测量方法设备

[发明专利]一种光学邻近修正的焦平面选择方法-CN201210297030.4有效
发明人：王辉;刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：申请公开了一种光学邻近修正的焦平面选择方法，该方法在建立光学邻近效应模型过程中，在原本对焦平面不敏感的光罩图形中加入焦平面敏感的检测图形，用于选择最佳焦平面相关参数的取值，突破了用泊桑曲线选择最佳焦平面的局限性。
一种光学邻近修正平面选择方法

[发明专利]电路布局的调整方法-CN201010292482.4有效
发明人：程洁;刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种电路布局的调整方法，包括提供布局图形的步骤，所述的布局图形包括具有交叠区域的压应力膜图形和拉应力膜图形，以及在所述交叠区域的接触孔图形，所述交叠区域的边界包括相对的压应力膜图形边界和拉应力膜图形边界，其特征在于，还包括下述步骤：调整所述交叠区域的压应力膜图形边界或拉应力膜图形边界，以使接触孔图形仅在调整后的压应力膜图形区域或仅在调整后的拉应力膜图形区域，从而提高互连插塞的性能。
电路布局调整方法

[发明专利]光刻装置和方法-CN200910045979.3无效
发明人： 刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻装置和方法，其中，光刻装置包括：照明单元，用于提供原始入射光线；掩模单元，用于提供转移图案，所述原始入射光线在所述转移图案上发生衍射，产生包含零级光和一级光的多级衍射光；透镜，用于聚焦所述多级衍射光；光阑，用于与所述透镜相配合，在第一平面形成关于所述转移图案的像；其中，在所述透镜和所述光阑之间，还包括：调整单元，用于对从所述透镜出射的多级衍射光进行光路调整，使进入所述光阑成像的至少包括一级光。本发明提高了成像的准确性，有效地提升了生产效率。
光刻装置方法

[发明专利]光刻方法-CN200810204617.X有效
发明人： 刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻方法，包括：提供表面具有曝光未完全的光致抗蚀剂的晶片；根据所述曝光未完全的光致抗蚀剂厚度，对所述光致抗蚀剂施加电场，使其完全反应。本发明实施方式在焦深较小的情况下，采用电场对光刻深度进行控制，从而使所有的光致抗蚀剂完全反应，能有效地修复曝光不足以及避免曝光失败，并且具有较低的改进成本以及较强的工艺生产能力。
光刻方法

[发明专利]一种修正掩膜版图形的方法和装置-CN200810042179.1无效
发明人：洪齐元;王谨恒;高根生;刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种修正掩膜版图形的方法和装置，其中，第一分段装置以第一切割步长对所述掩膜版图形第一区域进行分段处理，第二分段装置以第二切割步长对所述掩膜版图形第二区域进行分段处理。其中，所述第一切割步长和第二切割步长的长度不同。本发明可以有效地平衡工序时间和光学邻近修正效果。本发明还特别适用于逻辑电路产品，使得其关键尺寸条的均匀度更好，产品良率更高。此外，掩膜版检测机台能够更好地检测逻辑电路产品的掩膜版图形。
一种修正版图方法装置

[发明专利]基于模型的校验光学邻近修正的方法-CN200810105305.3有效
发明人： 刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种基于模型的校验光学邻近修正的方法，包括如下步骤：提供经过光学邻近修正后的待曝光图形；对待曝光图形进行校验，找出弱点；以待曝光图形上的弱点为中心，选定扩展区域；对弱点进行光学邻近修正；对扩展区域内的待曝光图形进行校验，若扩展区域内无弱点，则结束校验。本发明在校验光学邻近修正的过程中，仅需校验扩展区域内的待曝光图形，节省了校验光学邻近修正所用的时间。
基于模型校验光学邻近修正方法

[发明专利]一种在半导体制程中制备掩膜过程中的OPC方法-CN200810033366.3有效
发明人： 刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-01-31 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学近似修正(OPC)的方法，使用这种方法可以极大地改善以往进行光学近似修正时容易出现的各种问题。本发明提供的方案，是在现有光学近似修正之前，对版图图案的形状进行修改，以原有版图图案为基础得到其他凸多边型图案，然后以凸多边形图案为目标进行现有光学近似修正。
一种半导体制程中制备过程中的 opc 方法

[发明专利]制作光掩模版及图形化的方法-CN200710094459.2有效
发明人： 刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种制作光掩模版的方法，包括：测量光掩模版的厚度；将厚度代入高斯函数进行计算，得到厚度系数；用厚度系数补偿光掩模版效应后，进行光学近距修正；将修正后的布局图形转移至光掩模版上，形成掩模版图形。本发明还提供图形化方法。本发明使晶圆上的图形临界尺寸与相应的布局图形临界尺寸的差距得到改善，进而提高半导体器件的质量。
制作模版图形方法

[发明专利]布局、光掩模版的制作及图形化方法-CN200710094457.3有效
发明人： 刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种布局方法，包括：将光掩模版分成若干区域，所述每个区域包含掩模版主要图形和掩模版虚拟图形，其中各区域的图形密集度不同；将光掩模版上的各区域的掩模版主要图形和掩模版虚拟图形转移至控片上，形成控片主要图形和控片虚拟图形；测量各区域的控片主要图形的临界尺寸，以最密集区的控片主要图形的临界尺寸为目标尺寸，将其它区域的控片主要图形临界尺寸与之相减，得到对应的差值量；在后续修正转移至晶圆上的布局线路图形时，增大非最密集区的布局线路图形的临界尺寸，形成修正后布局线路图形，增大量为所述差值量。本发明还提供光掩模版制作和图形化方法。本发明转移至晶圆上的不同密集度区域的相同线路图形临界尺寸一致。
布局模版制作图形方法

[发明专利]一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法-CN200710047359.4有效
发明人： 刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，该金属层具有多条连接有接触孔且平行的金属导线。现有技术中在通过调整平行金属导线图形对的宽度来增大工艺窗口时会造成与被调整宽度的平行金属导线相连的接触孔有一部分未被金属导线图形遮蔽。本发明的金属层版图布图方法先放置金属层对应的包括平行金属导线图形的金属导线图形；再搜寻出间距小于最小光刻容许间距的平行金属导线图形对；并通过调整任一根或两根平行金属导线图形的宽度来将其间距调整至最小光刻容许间距；最后在进行宽度调整的平行金属导线图形边缘上设置恰遮蔽与其连接的接触孔的遮蔽图形。采用本发明可大大提高后续光刻时的工艺窗口，进而大大提高半导体器件的性能。
一种增大工艺窗口金属版图方法

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