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[实用新型]清洗系统-CN202020298486.2有效
发明人：郭萌;李永强;周丽佳;杨晓;董小龙;王志东;杨伟;刘鑫;邢邦丽 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;中国科学院光电技术研究所光学元件厂
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清洗系统，涉及显示技术领域，包括用于转移掩模板的载具、用于转移载具的移载装置、用于清洗掩模板的清洗装置和控制装置，控制装置包括用于检测清洗液信息的检测器、用于记录掩膜板清洗时间的时间控制器和驱动器，检测器设置于清洗装置上，驱动器用于根据检测器反馈的清洗液信息和时间控制器反馈的掩膜板清洗时间信息，控制移载装置转移载具。本实用新型实施例的驱动器根据时间控制器反馈的掩膜板清洗时间信息以及检测器反馈的清洗液的信息，控制移载装置按照工序转移载具，提升掩膜板的清洗效率，提高了清洗效果。
清洗系统

[实用新型]一种通用掩模夹具-CN201821788013.X有效
发明人：朱希进;刘维维;杨长华 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B25J1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通用掩模夹具，包括握把，握把内固定插接有收纳套筒，且收纳套筒端部处位于握把外部，收纳套筒设有两个，且每个收纳套筒内活动嵌设有伸缩杆，伸缩杆末端处固定安装有固定夹持接头，伸缩杆上活动嵌套有横移滑套，且横移滑套上固定安装有活动夹持接头，活动夹持接头与固定夹持接头内侧面均开设有夹持槽，且活动夹持接头的夹持槽与固定夹持接头夹持槽之间对应设置，本实用新型结构紧凑，使用方便，在夹取不同尺寸的掩模版时只需调动活动夹持接头，通过限位件进行固定就可直接夹取，无需更换不同种内的掩膜夹，方便、快捷，同时在使用过程中可同时夹持两个不同规格的掩模版并进行依次加工，有效提高了加工效率。
收纳活动夹持固定夹持套筒握把夹具本实用新型横移滑套通用掩模夹持槽伸缩杆掩模版夹取接头夹持槽伸缩杆末端活动嵌套加工效率套筒端部内固定限位件插接夹持掩膜侧面外部加工

[发明专利]光学处理方法及其实施装置-CN95106168.2无效
发明人：中谷元;杉立厚志;出云正雄;皆川忠郎;八木俊憲;头本信行;南谷靖史;松下嘉文 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1995-06-02 - 公布日： 1996-04-10 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：该装置不管是否更换掩模和工件，均能自动将成像放大倍数调整至一预定值，并同时使成像放大倍数保持为常数，并能延长掩模的使用寿命。该装置包括一光源、一成像透镜、一掩模移动机构、一工件移动机构、一成像放大倍数改变机构以及一中央控制单元。该中央控制单元含有一实际成像放大倍数运算模块、一放大倍数判定模块、一光轴位移控制模块以及一位移控制模块。
光学处理方法及其实施装置

[发明专利]交替移相掩模及其制造方法-CN200810109549.9无效
发明人：井上崇 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种制造交替移相掩模的方法，所述方法包括：在透明基板上形成彼此相邻的第一和第二图案，所述第一和第二图案是可透光的，并且所述第二图案具有用于移相的所述基板的凹进部。
交替移相掩模及其制造方法

[发明专利]可标定系统误差的光刻机投影物镜波像差在线检测装置-CN200910093833.6有效
发明人：刘克;李艳秋;刘丽辉 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本装置包括开有圆孔的物方掩模板、移相装置、光电传感器、存储器、控制器、运算器、分束装置和像方掩模板。所述分束装置包括两个二元衍射光栅：第一光栅和第二光栅；像方掩模板包括一个窗口和两个直径相同第一圆孔和第二圆孔。分束装置的第二光栅和像方掩模板的第二圆孔作为系统误差标定元件，根据Zernike多项式在单位圆域的正交特性和奇偶对称性质标定本装置的系统误差。本发明装置集成在光刻机的掩模工件台和硅片工件台上，相对于现有技术，能够标定测量装置本身引入的系统测量误差，进而提高测量精度。
标定系统误差光刻投影物镜波像差在线检测装置

[发明专利]一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法-CN201710377563.6在审
发明人：高兴森;田国 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法，其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜；S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板；S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理，得到待刻蚀样品；S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀；S5去除残留的单层PS小球掩模板，得到有序的铁电纳米点阵列。
一步模板法制备有序铁电纳米阵列方法

[发明专利]单粒子膜蚀刻掩模及其制造方法、使用该单粒子膜蚀刻掩模的微细结构体的制造方法及通过该制造方法得到的微细结构体-CN200780024125.6有效
发明人：筱塚启 -专利权人：王子制纸株式会社
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：根据构成单粒子膜的各粒子二维最密填充且高精度排列的单粒子膜蚀刻掩模，得到适于防反射体、纳米压印或注射成型用模具的原版的微细结构体。通过包括将溶剂中分散有粒子的分散液滴加到水槽内的液面的滴加工序；通过使溶剂挥发而形成含有所述粒子的单粒子膜的单粒子膜形成工序；以及将单粒子膜移取到基板上的转移工序的制法，制造单粒子膜蚀刻掩模。在这种掩模，粒子二维最密填充，且由D(％)＝|B-A|×100/A定义的粒子排列的偏差D(％)为10％以下。其中，A为粒子的平均粒径、B为单粒子膜中的粒子间的平均间距。
粒子蚀刻及其制造方法使用微细结构通过得到

[发明专利]半导体集成电路器件、其制造方法和掩模的制作方法-CN00817481.4无效
发明人：福田宏 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2000-02-25 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在形成纵横线状电路图形时，进行相位配置使得邻接开口图形间的相位反转，抽出同相位图形邻接的A型相位冲突，和逆相位图形邻接的B型相位冲突，生成解决它们的图形，采用在同一衬底上使具有冲突消除用图形的相位掩模和与之互补地形成设计图形的互补相位掩模进行多次曝光的办法，通过顶多2块移相掩模的多次曝光，使得用现有的投影曝光法一直被认为困难的具有微细节距的庞大且随机的电路图形成为可能，此外，可以在短时间内设计这样的电路图形，可以以低成本制造半导体集成电路器件。
半导体集成电路器件制造方法制作方法

[发明专利]检测相移掩模相偏差的方法-CN96119947.4无效
发明人：安昌男;金兴一 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-10-03 - 公布日： 2002-09-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种用相移掩模简单方便地检测相偏差的方法，其步骤为a)提供一个透明基片，其包括一个下表面；b)蚀刻所述透明基片的所述下表面，从而以一定间隔形成多个相移图形，每个图形皆具有预定宽度，用来使透过透明基片预定区域的光发生相移；c)形成一相移掩模，其中一具有预定宽度的光屏设置在所述透明基片的预定区域和相移图形之间；d)利用所述相移掩模在一晶片上形成一图形；e)将发生了相移的图形的尺寸(A)与未发生相移的图形的尺寸(B)进行比较
检测相移掩模相偏差方法

[发明专利]转动掩模和抗蚀剂硅片的成像干涉光刻方法及其光刻系统-CN200410009042.8无效
发明人：张锦;冯伯儒;刘娟;宗德蓉 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：转动掩模和抗蚀剂硅片的成像干涉光刻方法是，使用一个精密的转动机构，在垂直光照明掩模和x方向倾斜照明掩模进行低频和x方向高频分量两次曝光之后，使掩模和抗蚀剂硅片同步转动90°，然后进行y方向高频分量曝光，实现成像干涉光刻所需的第三次曝光，形成最终的高分辨掩模成像。该方法原理简单，无须使用多台波长不同的激光器或频移器件，使系统设备费用降低，系统结构及调整、对准简化，并用快门控制曝光时间，采用可变滤光片调节曝光光强比，并且在低频分量和高频分量曝光之间用一个可转进转出全反镜提高了激光能量利用率
转动抗蚀剂硅片成像干涉光刻方法及其系统

[发明专利]显微试片制备方法、装置及记录介质-CN202010072192.2在审
发明人：洪世玮;杜家玮;李正中;郭彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：此方法包括下列步骤：辨识一测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试样本中挑选目标样本；将目标样本移载至样本支柱，并获取移载后目标样本的俯视图，以辨识俯视图中目标样本的中心点；以及根据此中心点与目标样本的切削图案之间的位移，移动切削目标样本所使用的掩模的位置，以切削目标样本。
显微试片制备方法装置记录介质

[发明专利]微区加热装置-CN201510005522.5有效
发明人：张晓琨;张海涛;向勇 -专利权人：宁波英飞迈材料科技有限公司
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：本发明涉及材料科学实验技术领域，尤其涉及一种微区加热装置，通过加热源经具有一通孔的掩模板对样品进行加热，并通过一位移控制设备改变样品与掩模板的相对位置，以满足材料样品生产中对同一加热样品的不同位置加热到不同温度的要求
加热装置

[发明专利]用于远紫外掩模的泄漏吸收体-CN200680009413.X无效
发明人： P－Y·严 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成掩模的方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成用于EUV光的多层镜；在多层镜上形成用于EUV光的泄漏吸收体；以及将泄漏吸收体图案化成强反射的第一区和弱反射的第二区。本发明还公开了一种EUV掩模，包括：衬底；位于衬底上的多层镜，该多层镜具有第一区和第二区；以及位于多层镜的第二区上的泄漏吸收体，该泄漏吸收体将入射光移相180度。
用于紫外泄漏吸收体

[发明专利]红激光侧擦除型受控时延信号约束转移传送系统-CN200810033782.3无效
发明人：李艳敏;李孟超;郑刚;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G02F2/00 文献下载
摘要：一种红激光侧擦除型受控时延信号约束转移传送系统，涉及光信号处理技术领域；所要解决的是全光系统调整方便，制造成本低的技术问题；所述系统的光路结构：紫外光源输出的紫外光均匀照射在已蚀刻有掩模的光纤侧表面上，形成均匀分布的光栅，红光激光器所出的光经分光器分为直传和移频光束，直传光束和移频光束分别准直扩束后，再相交形成差拍干涉，并分别写入所述光纤另一无掩模的侧面上形成移动的明暗相间的等间隔干涉条纹，红激光亮条纹等间隔擦除由紫外光形成的光栅
激光擦除受控信号约束转移传送系统

[发明专利]相移光掩模结构及其制备方法-CN202211614581.9在审
发明人：季明华;黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相移光掩模结构及其制备方法，制备方法包括：提供一石英基底；通过第一阻挡层图形在石英基底中定义出相移区域；通过离子注入工艺将第一反应离子注入至石英基底的相移区域表层，第一反应离子与石英基底反应形成相移材料层本发明通过离子注入方式，可在同一石英基底上实现移相区和遮光区，大大拓展了光掩模的适用范围；通过离子注入反应的方式形成较薄的相移材料层或遮光材料层，可以实现较为理想的衰减和相移，可在晶圆上获得更好的分辨率和对比度，同时大大简化了光掩模的制作工艺。
相移光掩模结构及其制备方法