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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201580046019.2有效
发明人：宫胁正太郎;平野尚彦;浅井昭喜;浅井康富 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：多个电极焊盘包括在半导体元件(10)的一面(11)中位于角部(13)侧的第1焊盘(21)、和比第1焊盘(21)距角部(13)更远的位置的第2焊盘(22)。连接于第1焊盘(21)的第1线材(51)的杨氏模量小于连接于第2焊盘(22)的第2线材(52)的杨氏模量。由第1线材(51)和第1焊盘(21)形成的金属间化合物层(71)的厚度(d1)比由第2线材(52)和第2焊盘(22)形成的金属间化合物层(72)的厚度(d2)厚。
半导体装置

[发明专利]碳化硅半导体基板及其制造方法-CN201380051807.1有效
发明人：山内庄一;平野尚彦 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：碳化硅半导体基板由碳化硅单晶构成，至少在表面形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)。在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶(3)生长时，刻印(2)能够在所述碳化硅单晶(3)中作为结晶缺陷而传播。在使用所述碳化硅单晶(3)制作碳化硅半导体基板(4)时，能够成为在各碳化硅半导体基板(4)中已经形成有刻印(2)的状态。
碳化硅半导体及其制造方法

[发明专利]泡沫焊锡和电子器件-CN200780015418.8有效
发明人： 平野尚彦;坂本善次;奥村知巳;鹤田加一;上岛稔;石井隆 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： B23K35/14 文献下载
摘要：一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。
泡沫焊锡电子器件

[发明专利]制作半导体芯片主面和背面上包括电极的半导体器件方法-CN200510006371.1有效
发明人： 平野尚彦;三浦昭二;新美彰浩 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制作半导体芯片(10)的方法，包括：制作半导体晶片(100)，使得该半导体晶片(100)的主面和背面取向类似于将从该半导体晶片(100)中分割出的半导体芯片(10)的主面和背面的取向。在半导体晶片(100)的背面上形成电极(13)。在半导体晶片(100)的主面上形成另一电极(12)，同时将晶片(100)的背面固定到支撑衬底(200)。切割半导体晶片(100)，以形成半导体芯片(10)。
制作半导体芯片主面面上包括电极半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN200510006825.5无效
发明人： 平野尚彦;真光邦明 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：半导体器件(S1)包括半导体元件(11、12)、用第一焊料部分(51)粘附到半导体元件(11、12)的第一面上的第一金属体(20)、用第二焊料部分(52)粘附到半导体元件(11、12)的第二面上的第二金属体(30)、以及通过封装半导体元件(11、12)、第一金属体(20)和第二金属体(30)而对其密封的树脂模(60)。在具有作为元件设置表面的第二面的半导体器件(S1)中，在半导体元件(11、12)的焊接部分中，第一焊料部分(51)处由热应力引起的应变测量最大。
半导体器件

[发明专利]塑模型半导体器件及其制造方法-CN200410061649.0有效
发明人： 平野尚彦;加藤信之;手岛孝纪;坂本善次;三浦昭二;新美彰浩 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种塑模型半导体器件，包括：含有半导体部件的半导体芯片(1)；金属层(13，13a－13c)；焊料层(14)；和通过金属层(13，13a－13c)和焊料层(14)与半导体芯片(1)连接的金属构件(24)。焊料层(14)由屈服应力比金属层(13，13a－13c)屈服应力小的焊料构成。即使当用树脂塑模(20)密封半导体芯片(1)时，也能防止金属层(13，13a－13c)破裂。
模型半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200410031265.4有效
发明人： 平野尚彦;手岛孝纪 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：一种半导体模块(100)包括固定型和可变形型冷却器(2、3)，以及夹在这些冷却器之间的平的半导体封装件(1)。半导体封装件与固定型冷却器的相对位置关系是固定的，而与可变形型冷却器的相对位置关系是变化的。可变形型冷却器包括由金属薄板制成的覆盖冷却剂腔(3a)的可变形件(31)。半导体模块包括使得固定型冷却器朝着可变形型冷却器按压的夹持装置(20)。夹持装置的紧固调节螺钉(201、202)使得按压框架(203)接近可变形型冷却器的冷却器主体(32)。因此，半导体封装件通过固定型冷却器按压，同时可变形件稍微变形。这增强了半导体封装件和可变形件之间的通过绝缘件(17)的接触程度。
半导体装置

[发明专利]多层配线结构的半导体装置-CN95108717.7无效
发明人： 平野尚彦 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1995-07-26 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G08C19/00 文献下载
摘要：一种适合于高速信号传输的多层配线构造的半导体装置，含有信号配线和电源/地线导体的几何学形状。在具有多根平行条状导体图形的电源/地线层11-1，11-2间形成信号配线层S1，S2。各层间隔有绝缘层20。信号配线层S1的各配线13-1平行于电源层11-1导体图形12-1配置，信号配线层S2的各配线13-2平行于地线层11-2的导体图形12-2配置。
多层结构半导体装置

[发明专利]压铸的功率器件及其制造方法-CN02127066.X有效
发明人： 平野尚彦;手嶋孝纪;中濑好美;八木贤次;大仓康嗣;真光邦明;野村和仁;福田丰;铃木干昌;则武千景 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2002-07-26 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡－基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。
压铸功率器件及其制造方法

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