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[发明专利]半导体装置-CN201580061372.8有效
发明人：斋藤顺;永冈达司;青井佐智子;渡边行彦;宫原真一朗;金村高司 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
半导体装置

[实用新型]复合隔墙施工用结构钢架-CN202121458943.0有效
发明人：胡耀忠 -专利权人：贵州力宏建筑工程有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： E04B2/74 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种复合隔墙施工用结构钢架，包括支撑条、玻璃板，玻璃板、支撑条均有两块，玻璃板平行设置，支撑条位于玻璃板相对的两边，支撑条上设有外沟槽和内沟槽，外沟槽与内沟槽均为矩形槽，内沟槽的两内侧壁分别与玻璃板的外侧接触，其中一个外沟槽的内还设有两块第一定位板，两块第一定位板分别与外沟槽的内侧壁接触。本实用新型结构简单，施工工期短，施工便捷，对接过程中能自定位，适合广泛使用；通过第一定位板进行定位，不同钢架互相焊接时，保证了支撑条之间的焊缝接头对准，误差小，提高了焊缝强度；同时上下位焊接时，第一定位板还起到支撑的作用
复合隔墙施工结构钢架

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201410103887.7在审
发明人：平延磊;潘晶 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底；沟槽隔离结构，形成于衬底中；栅极，形成于相邻沟槽隔离结构之间的衬底的表面上；第一介质层，形成于栅极的侧壁上，且至少部分设置在相邻沟槽隔离结构之间的衬底的表面上，以使得栅极的宽度小于相邻沟槽隔离结构之间的衬底表面的宽度上述半导体器件通过在栅极两侧的设置两个第一介质层，在不改变相邻沟槽隔离结构之间宽度的前提下，增加了相邻栅极之间的距离，进而改善半导体器件的短沟道效应，从而提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种开沟填埋式污泥处理设备-CN202010259805.3在审
发明人：杨宪杰;杨震;董元华;王聪 -专利权人：山东驰象机械科技有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C02F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种开沟填埋式污泥处理设备，其通过专用开沟设备在地面边行走边开出一定深度的U型沟槽，事先将需要处理的污泥以长条状平行于U型沟槽摊铺在U型沟槽的一侧，然后将抛出的散土摊铺到U型沟两侧形成土垄，通过横移机构将置于污泥一侧的土垄收集移送至另一侧并与另一侧的土垄合并随着设备行进，后置长弧铲将污泥刮入U型沟槽内，然后，通过后置于另一侧的短弧铲将置于U型沟一侧的土垄刮入U型沟槽中，覆盖在污泥上面，完成污泥回填掩埋工作
一种开沟填埋式污泥处理设备

[发明专利]一种异介质管线同沟槽布设结构-CN202310455921.6在审
发明人：倪权;陈伟 -专利权人：三峡金沙江川云水电开发有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H02G9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种异介质管线同沟槽布设结构，包括：中间隔板，所述中间隔板设置在混凝土沟槽中，用于将混凝土沟槽分隔成液体管道腔和线缆管道腔；中间支架，所述中间支架设置在混凝土沟槽中，用于将中间隔板固定；液体管道支架，所述液体管道支架设置在液体管道腔内；线缆管道支架，所述线缆管道支架设置在线缆管道腔内；盖板，所述盖板扣合在混凝土沟槽上，所述盖板与中间支架的顶部相抵接。本专利结构相对简单，便于快速加工制作，零部件供应渠道广泛，采购周期短，可根据不同类型的应用场景，选择不同材质的零部件或组件；该套装工艺可以一体设计，也可加工制作组件，到现场安装。
一种介质管线沟槽布设结构

[发明专利]适用于高频领域的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法-CN202311195559.X在审
发明人：张跃;柏松;张腾;黄润华;杨勇 -专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高频领域的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法，该碳化硅槽栅MOSFET器件包括第一、第二沟槽，第一导电类型衬底、外延层和源区，第二导电类型阱区、屏蔽区。于第一沟槽中形成栅介质、栅极电极和金属层，于第二沟槽中形成金属层。在不增加元胞尺寸的前提下，于元胞中集成肖特基二极管，有效改善了器件的第三象限特性。通过第一沟槽、第二沟槽的设计，大幅简化了第二导电类型屏蔽区短接源极的工艺，减少了芯片面积的损耗，提升了电流密度。同时，本结构明显降低了器件的栅漏电容，减少了开关损耗，在高频应用领域有着明显的优势。
适用于高频领域碳化硅 mosfet 器件制造方法

[发明专利]沟槽型VDMOS器件及其制造方法-CN201910468719.0有效
发明人：李明;刘国梁;赵圣哲;李理 -专利权人：深圳方正微电子有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明供一种沟槽型VDMOS器件的制造方法及其制造方法，该制造方法包括在对具有掩膜的N型外延层形成的第一沟槽进行栅极氧化层、N型多晶硅的沉积处理；采用湿法工艺去除掩膜；形成体区，在N型多晶硅侧面形成掩膜侧墙，并对N型外延层进行第二沟槽刻蚀；在第二沟槽底部沉积形成隔离层，去除掩膜侧墙，在N型外延层上形成源区，去除隔离层；依次形成介质层、接触孔、金属层和电极引线。由此制造方法获得的沟槽型VDMOS器件，体区和金属层之间短接性能良好，不寄生NPN二极管，因而具有良好的EAS性能和Vfsd
沟槽 vdmos 器件及其制造方法

[实用新型]一种用于无沟槽平面的橡胶密封圈安装结构-CN200920209891.6有效
发明人：陈燕 -专利权人：奥雷通光通讯设备(上海)有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： F16J15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于无沟槽零件的橡胶密封圈安装结构，包括不锈钢平垫圈、橡胶密封圈以及螺钉，所述的不锈钢平垫圈设于无沟槽零件的平面薄板上，所述的橡胶密封圈设于不锈钢平垫圈上，所述的不锈钢平垫圈、橡胶密封圈以及无沟槽零件的螺孔同心，所述的不锈钢平垫圈、橡胶密封圈通过螺钉紧固于无沟槽零件的平面薄板上。与现有技术相比，本实用新型的橡胶密封圈与安装孔基本同心，密封性能良好；节省成本，利用现有的国标件不锈钢平垫圈，安装零件的表面无需开沟槽；装配时间短。
一种用于沟槽平面橡胶密封圈安装结构

[实用新型]一种开沟填埋式污泥处理设备-CN202020476862.2有效
发明人：杨宪杰;杨震;董元华;王聪 -专利权人：山东驰象机械科技有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C02F11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开沟填埋式污泥处理设备，其通过专用开沟设备在地面边行走边开出一定深度的U型沟槽，事先将需要处理的污泥以长条状平行于U型沟槽摊铺在U型沟槽的一侧，然后将抛出的散土摊铺到U型沟两侧形成土垄，通过横移机构将置于污泥一侧的土垄收集移送至另一侧并与另一侧的土垄合并随着设备行进，后置长弧铲将污泥刮入U型沟槽内，然后，通过后置于另一侧的短弧铲将置于U型沟一侧的土垄刮入U型沟槽中，覆盖在污泥上面，完成污泥回填掩埋工作
一种开沟填埋式污泥处理设备

[实用新型]一种建筑用防漏浆钢模板-CN202221605813.X有效
发明人：郑宝兴 -专利权人：郑宝兴
申请日： 2022-06-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： E04G9/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种建筑用防漏浆钢模板，钢模板的板体是长方形的，板体的四个边上均设置有与板体相垂直的翻折边，并且翻折边朝向远离板体与混凝土接触的一侧，翻折边上开设有螺栓孔；相邻的两个翻折边上沿着长度方向设置有贯通的凹陷的沟槽，另外两个相邻的翻折边上沿着长度方向设置有凸起的密封肋，沟槽的宽度为0.5‑1.5cm，深度为1~3cm，密封肋的高度比沟槽的深度短0.2~0.6cm，密封肋的宽度比沟槽的宽度窄0.2‑0.4cm；钢模板组装使用时，所述沟槽用于容纳相邻的钢模板的密封肋。
一种建筑防漏模板

[实用新型]棺木之开合结构-CN201020122424.2无效
发明人：蔡合富 -专利权人：蔡合富
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： A61G17/00 文献下载
摘要：本实用新型有关于一种棺木之开合结构，该棺木主要由棺身及一棺盖组成，而棺盖则由两组棺盖部所构成，其中棺盖部于两边的短板上分别设有定位件，而位于棺身上的短侧板则形成有沟槽，因此短板上的定位件则能结合于沟槽内，并随沟槽所界定的范围移动，当棺盖部打开或关闭时，则能通过沟槽与定位件的组合呈现旋转开启或闭合之效果，另外于开启时，通过沟槽对定位件的范围限定而使棺身与棺盖部产生一间距，因此利用此间距则能摆设盆栽作为缀饰之用
棺木结构

[实用新型]芯板带沟槽的复合地板-CN200520014226.3无效
发明人：胡敏浩;刘奔流 -专利权人：胡敏浩
申请日： 2005-08-22 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： E04F15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯板带沟槽的复合地板。旨在提供一种制造简单、稳定性好、变形小的芯板带沟槽的复合地板。至少包括在表面的面板、底下的底板和在中间的芯板组成，面板、芯板、底板依次通过粘合剂粘合在一起，在它们长边的侧面或长边侧面和短边侧面制有可相互拼接的榫槽和榫舌，而在芯板上开有沟槽。由于芯板沟槽的存在，将整块长的芯板分成多块但又不完全断开的小板，使各小块板的变形不会发生叠加，有利用内应力的释放，因此，整块地板的变形将会特别小。另外，由于沟槽的存在地板下潮湿的水蒸汽容易蒸发，利于地板的保护。
芯板带沟槽复合地板

[发明专利]TVS二极管器件、制造方法与装置-CN202310606286.7在审
发明人：付建峰;项继超 -专利权人：深圳市优恩半导体有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种TVS二极管器件、制造方法与装置，器件包括由导电型半导体衬底、以刻蚀外延PN叠层形成的第一沟槽分离出的两PN叠块、覆盖该第一沟槽开口并连接两PN叠块的第一表面隔离层、设置在两PN叠块的输入/输出电极，导电型半导体衬底以反面刻蚀形成有对准第一沟槽的第二沟槽或晶背薄化的方式分离为两衬底块，底部互连电极设置在两衬底块上，输入/输出电极间形成延伸穿过所述导电型半导体衬底以所述底部互连电极互连的U在示例中，器件还包括覆盖该第二沟槽开口或该第一沟槽底部并连接两衬底块的第二表面隔离层，第一沟槽或/与第二沟槽内可不填满以形成气室，有效阻隔两PN叠块的短接。
tvs 二极管器件制造方法装置

[发明专利]一种带有过渡结构的复合分子泵-CN201510185860.1在审
发明人：王晓冬;巴德纯;张磊;周亚;蒋婷婷;李景舒 -专利权人：东北大学
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： F04D19/04 文献下载
摘要：一种带有过渡结构的复合分子泵，在动叶轮与牵引转子衔接处设有过渡结构，过渡结构为短涡轮叶片、盘式牵引结构件或螺旋槽牵引结构件；当过渡结构采用短涡轮叶片或盘式牵引结构件时，牵引转子为光筒，定子内开设螺旋槽，短涡轮叶片或盘式牵引结构件与牵引转子固定连接；在与短涡轮叶片轴向对应的牵引转子上开设有通气倒角；在盘式牵引结构件上开设有型线沟槽，型线沟槽的线型为阿基米德螺线、对数螺线或圆弧线；当过渡结构采用螺旋槽牵引结构件时
一种带有过渡结构复合分子

[发明专利]一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺-CN201810508350.7在审
发明人：宋锐;周健;候云娣 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺，芯片包括从上往下依次设置的N⁺型阴极区1、正面P型短基区、硅单晶片、背面P型区，芯片两端设置对通隔离扩散区，芯片正面表面设有SiO₂保护膜，背面表面设有金属电极，芯片正面的正面P型短基区内设有正面沟槽，背面在对通隔离扩散区设有背面应力平衡槽，正面沟槽之间设有门极铝电极、阴极铝电极，正面P型短基区内阴极铝电极下方设有N⁺型阴极区，本发明利用镓扩散系数比硼扩散系数大的特点，采取镓硼同扩工艺，即可获得较低的体内浓度、较低的电容，使击穿电压VBR与导通电压VBO极为接近，又可获得较高的表面浓度与短基区横向电阻
隔离扩散区晶闸管芯片阴极铝电极扩散工艺台面结构芯片正面正面沟槽制作工艺阴极区短基背面背面应力平衡槽门极铝电极背面P型区导通电压硅单晶片横向电阻击穿电压金属电极芯片两端依次设置电容短基区硼扩散镓扩散生产成本体内芯片扩散节约