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[实用新型]一种预制电缆沟槽-CN201720947282.5有效
发明人：刘卓;丁雷;秦守权;张玉福;刘春;关洪勇;刘国勇 -专利权人：辽宁襄平电力勘测设计有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H02G9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预制电缆沟槽，包括底板和设置于所述底板两侧的侧板，其中，底板和侧板为钢筋混凝土一体成型，底板的两端分别设置有卡接部和与所述卡接部尺寸配合的配合部。该预制电缆沟槽结构简单、可以实现相互间的紧密连接、施工周期短、能够保证施工质量。
一种预制电缆沟槽

[发明专利]一种用于桁杆抓取的夹爪功能细胞-CN201811097796.1有效
发明人：戴野;张瀚博;魏文强;张惠兵;尹相茗 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： B25J15/08 文献下载
摘要：抓取机构主要由步进电机座，夹爪安装板，盖板，步进电机，螺母丝杆，伸缩螺母座，夹爪压簧，长臂，短臂，夹爪，桁杆等组成；通过安装在步进电机座关节处的步进电机带动螺母丝杆的转动,可以实现与螺母丝杆相连的伸缩螺母座直线运动,长臂借助短臂与伸缩螺母座相连，利用短臂的拉动，可实现夹爪的开合动作。连接机构由伺服电机，凸轮，轴，不完全锥齿轮，十字导轨，导轨组件，沟槽锥齿轮，支撑板，连接面组成；利用凸轮的转动推动导轨组件做直线运动；利用不完全锥齿路和沟槽锥齿轮啮合传动的方式，使导轨组件移动到相应位置
一种用于抓取功能细胞

[发明专利]塑料淋浴管负压成型装置-CN201110206974.1有效
发明人：张建群;李勇;马红兵 -专利权人：张建群
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： B29C47/20 文献下载
摘要：一种塑料淋浴管负压成型装置，内口模是前为短柱体、后有挡盘的有锥形内孔的结构，内口模的短柱体部分套有芯模，芯模的外侧加有电加热器，内口模的前部挡有外口模，外口模的锥形内孔与内口模的短柱体前端锥形外圆周之间形成流道间隙本发明用于实现塑料淋浴管外壁的凹凸沟槽的成型，可连续生产双层壁、外层管壁具有凹凸沟槽、抗死折功效的塑料淋浴管；在线成型，避免再次加热，节能降耗；大气为成型介质，绿色环保。
塑料淋浴管负压成型装置

[实用新型]塑料淋浴管负压成型装置-CN201120261737.0有效
发明人：张建群;李勇;马红兵 -专利权人：张建群
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B29C47/20 文献下载
摘要：一种塑料淋浴管负压成型装置，内口模是前为短柱体、后有挡盘的有锥形内孔的结构，内口模的短柱体部分套有芯模，芯模的外侧加有电加热器，内口模的前部挡有外口模，外口模的锥形内孔与内口模的短柱体前端锥形外圆周之间形成流道间隙本实用新型用于实现塑料淋浴管外壁的凹凸沟槽的成型，可连续生产双层壁、外层管壁具有凹凸沟槽、抗死折功效的塑料淋浴管；在线成型，避免再次加热，节能降耗；大气为成型介质，绿色环保。
塑料淋浴管负压成型装置

[实用新型]一种薄壁短U弯管端面整型装置-CN202020106447.8有效
发明人：余嘉杰;黄鸿猷;范伟珍 -专利权人：金华集群科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B21D19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄壁短U弯管端面整型装置，其结构包括第一齿轮总成、第二齿轮、第三齿轮、整型杆总成、传动轴、电机总成、气缸总成、托板、机架、底座，第一齿轮总成与整型杆总成均由数量为2n组的第一齿轮及整型杆构成，n为正整数，通过内外均设置齿圈的双面齿轮进行动力传递，同时带动多组整型杆对多组薄壁短U弯管的端面进行磨削整型，同时可有效去除毛刺，所述磨头设有一圈与薄壁U管端面的管口配合的沟槽，沟槽的截面为梯形，有利于磨头与管口的定位以及金属屑的清除本实用新型结构合理，成型效率高，其整型的短U弯管端口平整、无毛刺，整型的产品一致性强。
一种薄壁弯管端面整型装置

[实用新型]一种捞液机专用活塞-CN202021152274.X有效
发明人：张焱 -专利权人：成都厚信健科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： E21B43/00 文献下载
摘要：一种捞液机专用活塞由钢绳(1)、钢绳连接器、安全短节(4‑2)、活塞主体、加重短节组成，其中钢绳连接器由压帽(2)、钢绳螺母(3)、钢绳接头容纳器(4‑1)组成，活塞主体由多组活塞组成，其中每一组活塞由芯轴(5)、扶正套(6)、密封套(7)、球座(8)、下接头(9)组成，加重短节由母接头(10)、加重杆(11)组成。密封套(7)与芯轴(5)之间有沟槽，密封套(7)在没有座封在球座(8)时密封套(7)上下可通过沟槽联通，一旦出现井内溢流，活塞上下串通，保证了抽吸安全。
一种捞液机专用活塞

[实用新型]可打捞式抽油泵固定阀总成-CN01248870.4无效
发明人：谢宁;高艳芹;艾云祥;钱斌;王旭杰 -专利权人：铁岭美特机械技术有限责任公司
申请日： 2001-07-27 - 公布日： 2002-05-15 - 主分类号： E21B34/14 文献下载
摘要：固定阀打捞装置上端有圆管形接头打捞器,打捞器下有用可接脱销钉连接的短轴打捞头,打捞头外有导向套,导向套用固定阀上接头与固定阀相连,有压缩螺旋弹簧,打捞器内管壁沿圆周方向有凹进的、上下两组形状相同的轴向导向齿,下轴向齿有一组相对的两个齿底有凹进的轴向沟槽,短轴打捞头上部有径向销钉,径向销钉的长度与接头打捞器内管壁凹进的轴向齿和沟槽的凹进深度相配合。本实用新型在固定阀与柱塞连接时不用外力旋转,短轴打捞头与接头打捞器容易对正,所以连接方便、可靠性高。
打捞抽油泵固定总成

[发明专利]双垂直沟道晶体管、集成电路存储器及其制备方法-CN201811102676.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种双垂直沟道晶体管、集成电路存储器及其制备方法，其垂直鳍片中具有沿第一方向延伸的第一沟槽，第一源/漏区形成在所述第一沟槽两侧顶部的鳍片中，第二源/漏区形成在所述第一沟槽底部的鳍片中，第一栅极结构填充在所述第一沟槽中并沿所述第一方向延伸，埋入式导线填充在所述垂直鳍片沿第二方向延伸的侧壁处的第二沟槽中，由此使得所述第一沟槽两侧的第一源/漏区分别与第一沟槽底部上的第二源/漏区形成了双垂直L型沟道，有利于增加有效沟道长度，克服短沟道效应；且由于第二源
垂直沟道晶体管集成电路存储器及其制备方法

[发明专利]电容器制作方法-CN200910056280.7有效
发明人：罗飞;邹立 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在所述层间介质层上依次沉积刻蚀阻挡层，第一绝缘层；对所述的第一绝缘层表面进行磷离子注入，形成磷掺杂的中间绝缘层；在磷掺杂的中间绝缘层上形成第二绝缘层；依次刻蚀所述第二绝缘层，磷掺杂的中间绝缘层，第一绝缘层形成沟槽；刻蚀所述沟槽，使沟槽宽度增加，并使沟槽底部宽度接近沟槽顶部的宽度；去除所述刻蚀阻挡层；在所述沟槽内壁依次沉积掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；进行高温退火；在所述沟槽内壁形成位于非掺杂多晶硅层上的半球状多晶硅颗粒所述方法避免电容器上电极和下电极发生短接或者形成填充缺陷。
电容器制作方法

[发明专利]源漏区的制备方法和MOS器件-CN201210147814.9有效
发明人：周晓君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种源漏区的制备方法和依据该方法制造的MOS器件，该方法包括：提供制备源漏区前的结构，在将要形成源漏区的衬底上进行回刻以形成沟槽；在结构表面形成氧化硅层；沉积硅种子层；沉积掩膜层，并利用掩膜层填满沟槽；将处于沟槽外的掩膜层和沟槽中的部分掩膜层去除；以处于沟槽中的掩膜层为阻挡，去除硅种子层和氧化硅层，露出处于侧墙以下的轻掺杂漏区；去除剩余的掩膜层；在沟槽中进行硅的外延生长，且将沟槽填满并将处于侧墙以下的轻掺杂漏区掩埋本发明制造的MOS器件，在源漏区之间因为氧化硅层的部分遮挡而抑制了随着栅长的缩短而产生的短沟道效应导致的漏电，进而降低了MOS器件的功耗。
源漏区制备方法 mos 器件

[发明专利]一种沟槽栅结构半导体整流器及其制造方法-CN201610148516.X有效
发明人：刘伟 -专利权人：杭州立昂微电子股份有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅结构半导体整流器，外延层上部设有第一沟槽，第一沟槽内设有导电多晶硅，导电多晶硅与第一沟槽之间设有隔离层，隔离层上设有厚度小于隔离层的二氧化硅栅氧层，二氧化硅栅氧层向上延伸形成介质墙壁，介质墙壁的两侧设有导电多晶硅侧墙，外延层上部与导电多晶硅侧墙之间区域形成第二沟槽，外延层上部设有横向均匀掺杂区和梯度掺杂区，梯度掺杂区与隔离层接触形成沟道，外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及隔离层之间设有间隔区本发明采用厚隔离层与薄栅氧层结合的沟槽栅结构，具有短沟道和沟道掺杂梯度分布，正向导通特性佳。本发明还公开了一种沟槽栅结构半导体整流器制造方法，工艺窗口大，易于控制，光刻次数少。
一种沟槽结构半导体整流器及其制造方法

[实用新型]双垂直沟道晶体管和集成电路存储器-CN201821545437.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双垂直沟道晶体管和集成电路存储器，其垂直鳍片中具有沿第一方向延伸的第一沟槽，第一源/漏区形成在所述第一沟槽两侧顶部的鳍片中，第二源/漏区形成在所述第一沟槽底部的鳍片中，第一栅极结构填充在所述第一沟槽中并沿所述第一方向延伸，埋入式导线填充在所述垂直鳍片沿第二方向延伸的侧壁处的第二沟槽中，由此使得所述第一沟槽两侧的第一源/漏区分别与第一沟槽底部上的第二源/漏区形成了双垂直L型沟道，有利于增加有效沟道长度，克服短沟道效应；且由于第二源
源/漏区方向延伸垂直沟道晶体管集成电路存储器埋入式晶体管填充有效沟道长度本实用新型短沟道效应垂直鳍片栅极结构侧壁处垂直鳍电连接上表面减小垂直外围隔离

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201811102621.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，其半导体衬底中形成有沿第二方向延伸的第二沟槽，且第二沟槽两侧交错排布有U型鳍片，所述U型鳍片中具有沿第一方向延伸的第一沟槽，第一源/漏区形成在所述第一沟槽两侧顶部的鳍片中，第二源/漏区形成在所述第一沟槽底部的鳍片中，栅极线填充在所述第一沟槽中并沿所述第一方向延伸，埋入式导线填充在沿第二方向延伸的第二沟槽中，由此使得所述U型鳍片中的两个第一源/漏区分别与第二源/漏区形成了双垂直L型沟道，有利于增加有效沟道长度，克服短沟道效应，进而有利于更小的特征尺寸和更高的集成度；且由于第二沟槽两侧的U型鳍片交错排布，能改善相邻的有源区之间的耦合效应，提高器件性能。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]半导体器件-CN201821545457.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其半导体衬底中形成有沿第二方向延伸的第二沟槽，且第二沟槽两侧交错排布有U型鳍片，所述U型鳍片中具有沿第一方向延伸的第一沟槽，第一源/漏区形成在所述第一沟槽两侧顶部的鳍片中，第二源/漏区形成在所述第一沟槽底部的鳍片中，栅极线填充在所述第一沟槽中并沿所述第一方向延伸，埋入式导线填充在沿第二方向延伸的第二沟槽中，由此使得所述U型鳍片中的两个第一源/漏区分别与第二源/漏区形成了双垂直L型沟道，有利于增加有效沟道长度，克服短沟道效应，进而有利于更小的特征尺寸和更高的集成度；且由于第二沟槽两侧的U型鳍片交错排布，能改善相邻的有源区之间的耦合效应，提高器件性能。
方向延伸源/漏区鳍片半导体器件交错排布填充有效沟道长度本实用新型短沟道效应器件性能耦合效应集成度埋入式栅极线衬底源区半导体垂直

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202110265071.4在审
发明人：卓明川;曹秀亮;高学 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底内形成有沟槽，所述沟槽的侧壁和底部形成有场氧化层，所述沟槽内填充有电极连接层，所述场氧化层在所述沟槽的开口处靠近所述电极连接层的位置处形成有凹陷；在所述衬底上形成保护层，以使所述保护层完全填充所述凹陷；以及，去除部分所述保护层，使所述沟槽内的所述保护层、所述场氧化层及所述电极连接层与所述衬底的表面齐平。本发明在形成有电极连接层的沟槽上形成保护层，以填充场氧化层在湿法刻蚀过程中形成的凹陷，避免了后续工艺中多晶硅在所述凹陷中的残留，进而避免了残留的多晶硅与所述电极连接层发生短接而导致的器件漏电或短路，提高了所述半导体器件的性能
半导体器件制造方法