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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法-CN200910201852.6有效
发明人：杨欣;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-11-24 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法，包括如下步骤：采用高温氨气退火使硅片表面氮化，形成一层氮化层；在硅片表面氮化层上生长氧化铝层作为隧穿电介质膜；在所述隧穿电介质膜上形成氮化硅陷阱层，对该氮化硅陷阱层进行原位掺杂形成氮氧化硅混合物层，作为存储电荷的介质；在所述氮氧化硅混合物层上制备一层电荷阻挡热氧化层。
sonos 闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质制作方法

[发明专利]半导体集成电路及其制造方法-CN98117859.6无效
发明人：金谷宏行;日高修;奥和田久美;望月博 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1998-07-17 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在混装FRAM的LSI中，使Pt电极和电容器加工容易，减少形成布线层的工序次数和器件的台阶高度差，使布线变得容易，介质膜特性不退化。本发明具备有埋入到第1绝缘膜挖进的第1槽内使表面平坦化的第1电极(3a)；在第1绝缘膜上淀积的第2绝缘膜(4)；对应于第1电极的上部在向第2绝缘膜内挖进的第2槽内依次进行淀积后使表面平坦化的强电介质膜(5a)和第2电极(6a)，具有由第1电极、强电介质膜和第2电极构成的强电介质电容器部分。
半导体集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN201110021014.8无效
发明人：山本阳一;服卷直美;坂本美里;加藤芳健 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：该半导体器件具有电容器元件，其中，电容电介质膜被设置在上电极膜(上电极膜114、上电极膜116)与下电极膜之间，并且对于至少与电容电介质膜接触的部分，下电极膜具有多晶钛氮化物。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210191125.8有效
发明人：福井永贵;加藤浩朗 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：在衬底的前表面上形成第一层间电介质膜和第一源极布线。第一源极布线形成在第一层间电介质膜上并且在平面观察时与垂直MOS晶体管重叠。接触掩埋在第一层间电介质膜中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN200810086170.0有效
发明人：伊藤哲也 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-03-17 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：硅衬底，在单元区中设置有多个单元有源区；元件隔离槽，形成在所述硅衬底中多个单元有源区的任何两个单元有源区之间的部分中；电容器电介质膜，形成在所述元件隔离槽中；电容器上电极，形成在所述电容器电介质膜上，与所述硅衬底以及所述电容器电介质膜一起构成电容器。
半导体器件制造方法

[发明专利]绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法-CN02800261.X有效
发明人：江利口浩二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-02-01 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：利用离子注入等向膜注入原子和热处理，形成高电介质膜。例如，在硅衬底(101)之上形成了热氧化膜即SiO2膜(102)后，从等离子体(105)向SiO2膜(102)内注入Zr离子(Zr+)。，通过进行SiO2膜(102)和Zr注入层(103)的退火处理，在Zr注入层(103)内注入的Zr扩散，SiO2膜(102)和Zr注入层(103)全体变为由Zr－Si－O(硅酸盐)构成的介电常数高的高电介质膜通过把该高电介质膜(106)作为MISFET的栅绝缘膜，能得到栅漏特性好的MISFET。
绝缘形成方法半导体装置制造

[发明专利]基板处理方法、装置、系统和计算机可读存储介质-CN200780000645.3有效
发明人：有贺美辉;山崎和良;青山真太郎;下村晃司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对上述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向上述第一和第二处理位置搬送，对上述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行上述氮原子的导入处理和上述热处理
处理方法装置系统计算机可读存储介质

[发明专利]三维存储器件及其形成方法-CN202180000915.0在审
发明人：张坤;周文犀;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：在某些方面中，一种3D存储器件包括：包括交替的导电层和电介质层的堆叠结构；掺杂的半导体层；以及延伸穿过堆叠结构并且与掺杂的半导体层接触的沟道结构。该沟道结构沿第一方向包括复合电介质膜和半导体沟道。该复合电介质膜沿与第一方向垂直的第二方向包括栅极电介质部分和存储部分。栅极电介质部分的一部分沿第一方向面对导电层中的最接近掺杂的半导体层的一个导电层。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]用于在微电子组件处理期间保护电介质膜的方法及设备-CN202011457206.9在审
发明人： A·M·贝利斯;B·P·沃兹;周卫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请案涉及用于在微电子组件处理期间保护电介质膜的方法及设备。揭示用于保护微电子组件上的电介质膜免于与单切晶片，从晶片拾取经单切微电子组件及处置经单切微电子组件以与其它组件组装在一起相关联的污染的方法及设备。
用于微电子组件处理期间保护电介质方法设备

[发明专利]电容元件的制造方法-CN96110805.3无效
发明人：松田明浩;长野能久;那须彻;有田浩二;上本康裕 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-07-10 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明内装于半导体集成电路中的使用强电介质膜或高介电常数的电介质膜的电容元件的制造方法具有：在衬底基片的一表面上形成由金属膜或导电性氧化膜构成的第1电极的工序、在第1电极上烧结形成主成分为强电介质或具有高介电常数的电介质构成的第
电容元件制造方法

[发明专利]活性气体生成装置-CN201980077109.6在审
发明人：有田廉;渡边谦资 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：而且，在本发明的活性气体产生装置(101)中，设置于电极用电介质膜(11)上的辅助导电膜(12)以俯视时与所述活性气体流通路径的一部分重叠的方式设置，并且辅助导电膜(12)被设定为接地电位。设置于电极用电介质膜(21)上的活性气体用辅助部件(60)设置为，在电极用电介质膜(11)和(21)之间的电介质空间内，在放电空间(6)与气体喷出孔(23)之间填埋活性气体流通路径的一部分而限制为活性气体流通用间隙
活性气体生成装置

[发明专利]一种基于石墨烯膜的吸波材料及其制备方法-CN201811156780.3有效
发明人：杨智慧;孙新;张久霖;田江晓;孔淑兰;于海涛 -专利权人：北京环境特性研究所
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： B32B27/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于石墨烯膜的吸波材料及其制备方法，所述吸波材料包含多层石墨烯膜和多层低介电介质膜，石墨烯膜和低介电介质膜交替叠放，并且表面为石墨烯膜，底面为低介电介质膜；其中，每层石墨烯膜具有不同的表面方块电阻本发明通过调节石墨烯膜的电磁参数及其与低介电介质的阻抗匹配，可在一定范围内调节吸波材料的吸收频段与吸收性能，形成轻质宽频段微波吸波材料。
一种基于石墨材料及其制备方法

[发明专利]偏光板和光学设备-CN202010758470.X有效
发明人：涩谷和幸;榊原重司;菅原利明;松野雄介;高田昭夫 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：该偏光板是具有线栅结构的偏光板，具备透明基板、布满前述透明基板的一面且折射率比前述透明基板低的电介质膜、以及在前述电介质膜上在第1方向上延伸且以比使用频带的光的波长短的间距周期性排列的多个凸部，前述透明基板的导热率为10W/m·K以上40W/m·K以下，前述多个凸部分别从靠近前述电介质膜的一侧开始依次具有第1电介质层、反射层、功能层，前述反射层含有金属或金属化合物，前述功能层由与前述反射层不同的材料构成。
偏光光学设备

[发明专利]电路板的制造方法-CN201210513035.6在审
发明人：六波罗真仁;足立研;冈修一;松本一治;柳川周作;堀内悟志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：所述方法包括如下各步骤：使用电容器件材料形成电容器件和短路部，所述电容器件材料包括依次位于金属箔上的电介质膜和导电膜，所述电容器件包括把所述电介质膜夹在中间的第一电极层和第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路根据本发明，提供了能够抑制电介质膜的静电破坏的电路板制造方法。
电路板制造方法

[发明专利]弹性波装置-CN202080040848.0在审
发明人：上坂健一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：设置有电介质膜(4)，使得覆盖IDT电极(3)，IDT电极(3)具有：第1边缘区域(E1)、第2边缘区域(E2)，是低声速区域；和第1高声速区域(H1)、第2高声速区域(H2)，设置在比第1电极指(13)和第2电极指(14)在弹性波传播方向上相邻的交叉宽度区域更靠外侧，第1边缘区域(E1)、第2边缘区域(E2)上的电介质膜(4)的厚度设为比第1高声速区域(H1)、第2高声速区域(H2)上的电介质膜(4
弹性装置

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