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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置以及制造该半导体装置的方法-CN201710668355.1有效
发明人：确利和;深谷和秀;小清水亮 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及制造该半导体装置的方法。层间绝缘膜具有通孔。侧壁导电层沿着一个通孔的侧壁表面布置，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。第二金属布线层嵌入在一个通孔中，并且包含铝。插塞层嵌入在另一个通孔中，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211597332.3在审
发明人： 小清水亮;中柴康隆;松浦仁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。确保了半导体器件的可靠性，并且提高了器件的性能。包括区域1A和区域2A的半导体器件包括具有前表面BS1、BS2和背表面SUB的n型半导体衬底TS、形成在区域1A中的半导体衬底上的IGBT和形成在区域2A中的半导体衬底SUB上的二极管。而且区域1A中的半导体衬底SUB的厚度T1小于区域2A中的半导体衬底的厚度T2。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210920036.6在审
发明人： 小清水亮;中柴康隆;河合彻 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体衬底具有表面以及从该表面向上突出的凸出部分。n型漂移区域具有位于凸出部分中的部分。n型漏极区域具有比n型漂移区域更高的n型杂质浓度，并且在平面图中，n型漏极区域被布置在凸出部分中以及n型漂移区域上，使得n型漏极区域和栅极电极将n型漂移区域夹在中间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211001434.4在审
发明人： 小清水亮;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了实现高击穿电压和低导通电阻两者的半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体衬底包括从该半导体衬底的表面向上突出的凸部。n型漂移区域布置在该半导体衬底上，从而在平面图中被定位在栅极电极与n+型漏极区域之间，并且具有比n+型漏极区域的杂质浓度更低的杂质浓度。p型降低表面场区域布置在该凸部中，并且与n型漂移区域形成pn结。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210787098.4在审
发明人： 小清水亮;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底的主表面中形成半导体器件的源极区域、漏极区域、掩埋绝缘膜、栅极绝缘膜和栅极电极。掩埋绝缘膜被掩埋在在源极和漏极区域之间形成的第一沟槽中。第一沟槽具有第一侧表面和第一底表面。第一侧表面在从源极区域和漏极区域中的一者延伸到另一者的第一方向上面对源极区域。第一底表面连接到第一侧表面并且沿着半导体衬底的主表面。作为第一沟槽的第一侧表面的半导体衬底的第一表面的晶面是(111)面。作为第一沟槽的第一底表面的半导体衬底的第二表面的晶面是(100)面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210522267.1在审
发明人： 小清水亮;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件。在该半导体器件中，提供有具有高浓度p型半导体区域的场板部分、杂质浓度低于高浓度p型半导体区域的低浓度p型半导体区域，以及高浓度n型半导体区域。然后，高浓度p型半导体区域电连接到源极区域，而高浓度n型半导体区域电连接到漏极区域。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202210472083.9在审
发明人： 小清水亮;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的栅极电介质膜、形成在栅极电介质膜上的栅极电极、与栅极电极一体形成的场板部、与场板部接触的阶梯电介质膜、以及高电介质常数膜，该高电介质常数膜与阶梯电介质膜接触并且具有高于硅的电介质常数。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201080067653.1有效
发明人： 小清水亮;庭山英树;梅津和之;添田弘毅;馆上敦;饭岛健史 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。由LOCOS构成供nLDMOS器件的栅电极(G)搭上的平台绝缘膜(SL)，由STI构成元件分离部(SS)。另外，在形成有多个nLDMOS器件的激活区域的最外周设置与漏极区域(D)电位相同的护环。而且，隔着该护环在激活区域的周边形成元件分离部(SS)，并且使平台绝缘膜(SL)和元件分离部(SS)不相连，使两者分离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02828971.4无效
发明人： 小清水亮;笼利康明;町田信夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2002-04-16 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明的一种半导体器件，侧壁绝缘薄膜9提供在异质结双极型晶体管的基极抽取电极5B中形成的第一开口部分8a的侧面上，并且侧壁绝缘薄膜9的一部分延伸，以便在基极抽取电极5B中从与半导体衬底1相对的表面朝向半导体衬底1的主表面伸出，并且其伸出长度设置为等于或小于置于半导体衬底1主表面与基极抽取电极5B的底面之间的绝缘薄膜4厚度的一半。
半导体器件及其制造方法

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