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[发明专利]半导体装置以及半导体模块-CN202011145820.1有效
发明人：安田英司;今井俊和;大河亮介;今村武司;坂本光章;吉田一磨;平子正明;升元康之;曾田茂稔;太田朋成 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的半导体装置及半导体模块，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，作为多个第一源极电极中的一个的第三源极电极与作为多个第二源极电极中的一个的第四源极电极分别是相对于第一区域与第二区域的边界最近的源极电极，并且沿着边界的全区域而配置。
半导体装置以及模块

[发明专利]半导体装置、半导体模块、以及半导体封装装置-CN201780047044.1有效
发明人：安田英司;今井俊和;大河亮介;今村武司;坂本光章;吉田一磨;平子正明;升元康之;曾田茂稔;太田朋成 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具有：半导体基板(32)，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层(33)，包括比半导体基板(32)的第一导电型的杂质的浓度低的浓度的第一导电型的杂质；背面电极(31)，由金属材料构成；以及晶体管(10，20)，被形成在低浓度杂质层(33)内，晶体管(10)在低浓度杂质层(33)的正面具有第一源极电极(11)以及第一栅极电极(19)，晶体管(20)在低浓度杂质层(33)的正面具有第二源极电极(21)以及第二栅极电极(29)，半导体基板(32)，作为晶体管(10，20)的共同漏极区域发挥功能，背面电极(31)的厚度a为25μm以上35μm以下，背面电极(31)的厚度a相对于包括半导体基板(32)和低浓度杂质层(33)的半导体的层厚b的比例a/b为0.32以上。
半导体装置模块以及封装

[发明专利]半导体装置-CN202110225613.5有效
发明人：藤冈知惠;吉田弘;松岛芳宏;水原秀树;浜崎正生;坂本光章 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体封装装置-CN202010696748.5有效
发明人：安田英司;今井俊和;大河亮介;今村武司;坂本光章;吉田一磨;平子正明;升元康之;曾田茂稔;太田朋成 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的半导体装置及半导体封装装置，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，背面电极厚度为25μm以上35μm以下，在平面视下，半导体基板以向背面电极侧凸起的方式弯曲，设其对角尺寸为Lmm时，背面电极厚度相对于包括半导体基板和低浓度杂质层的半导体层的比例为(－0.48×L+2.07)以上(－0.48×L+2.45)以下。
半导体装置以及封装

[发明专利]半导体装置-CN201980040521.0在审
发明人：藤冈知惠;吉田弘;松岛芳宏;水原秀树;浜崎正生;坂本光章 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，比半导体层(40)厚，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。
半导体装置