“小野秀树”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]摄像元件、层叠型摄像元件和固态摄像装置-CN201880051512.7在审
发明人： 小野秀树;兼田有希央 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像元件(光电转换元件)设置有光电转换单元，该光电转换单元是通过层叠第一电极21、光电转换层23A和第二电极22而形成的。在第一电极21与光电转换层23A之间，形成有包含铟‑镓‑锌复合氧化物的复合氧化物层23B。复合氧化物层23B包括与第一电极21相邻的第一层23B1和与光电转换层23A相邻的第二层23B2。第一层23B1中的铟含量高于第二层23B2中的铟含量，或者第一层23B1中的镓含量低于第二层23B2中的镓‑铟含量，或者第一层23B1中的锌含量高于第二层23B2中的锌含量。
摄像元件层叠固态装置

[发明专利]投影屏幕和投影显示设备-CN201880011311.4在审
发明人：中畑祐治;高梨英彦;小野秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G03B21/60 文献下载
摘要：提供了一种能够提高显示质量的投影屏幕和投影显示设备。根据本公开的一个实施例的投影屏幕设置有显示元件(50)，其中，透射率或反射率由于施加到其上的第一光(UV)而改变。
投影屏幕投影显示设备显示元件反射率透射率施加

[发明专利]半导体元件和电子装置-CN201210147617.7有效
发明人： 小野秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了半导体元件和电子装置。该半导体元件包括有机半导体层以及设置在有机半导体层的上表面上的层，其中，该层的轮廓在该有机半导体层的轮廓内侧。
半导体元件电子装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及电子装置-CN201310351161.0有效
发明人：石井由威;小野秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法以及电子装置，所述半导体器件包括门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。
半导体器件及其制造方法以及电子装置

[发明专利]陶瓷球体检查装置-CN201410165457.8有效
发明人：大西宏司;池田博;泷本大树;植村浩;山田贤司;小野秀树;松山博进 -专利权人：日化陶股份有限公司;椿中岛股份有限公司
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供将能够减少由反复载荷的疲劳引起的表面的剥离、并在表面加工时提高尺寸精度、并且耐磨损性以及耐久性优异的陶瓷烧结体以及陶瓷球体，不破坏地检测表面层的内部的缺陷以及雪片的有无的陶瓷球体检查装置。陶瓷球体检查装置(100)将陶瓷球体(S)支承为在规定的位置能够自转，并利用受光机构(120)检测照光机构(110)的照射光来评价表面层的内部状态，其中受光机构(120)不对从照光机构(110)照射的照射光在陶瓷球体的表面反射的反射光进行检测。
陶瓷球体检查装置

[发明专利]陶瓷烧结体、陶瓷球体以及陶瓷球体检查装置-CN201080060739.1有效
发明人：大西宏司;池田博;泷本大树;植村浩;山田贤司;小野秀树;松山博进 -专利权人：日化陶股份有限公司;椿中岛股份有限公司
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供能够减少由反复载荷的疲劳引起的表面的剥离、并在表面加工时提高尺寸精度、并且耐磨损性以及耐久性优异的陶瓷烧结体以及陶瓷球体，并提供不破坏它们地检测表面层的内部的缺陷以及雪片的有无的陶瓷球体检查装置。陶瓷球体检查装置（100）将陶瓷球体（S）支承为在规定的位置能够自转，并利用受光机构（120）检测照光机构（110）的照射光来评价表面层的内部状态，其中受光机构（120）不对从照光机构（110）照射的照射光在陶瓷球体的表面反射的反射光进行检测。
陶瓷烧结球体以及检查装置

[发明专利]半导体元件、其制造方法、显示装置和电子装置-CN201210196100.7无效
发明人： 小野秀树;秋山龙人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元件、其制造方法、显示装置和电子装置，该半导体元件包括：有机半导体层；电极，其配置在有机半导体层上，以与有机半导体层接触；以及布线层，其独立于电极而形成，并电连接至该电极。
半导体元件制造方法显示装置电子装置

[发明专利]薄膜晶体管和电子装置-CN201110048664.1有效
发明人： 小野秀树;野元章裕;八木岩 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜晶体管和电子装置。本发明提供的薄膜晶体管能够稳定地获得良好性能。所述薄膜晶体管包括：有机半导体层；以及保护层及源极电极和漏极电极，所述保护层及所述源极电极和所述漏极电极形成在所述有机半导体层上。所述保护层至少设置在所述源极电极与所述漏极电极之间的区域中。根据本发明，在所述源极电极和所述漏极电极的形成步骤(蚀刻步骤)中，由于所述有机半导体层被所述保护层保护着，因此所述有机半导体层不会被上述蚀刻步骤所损坏。于是，本发明的薄膜晶体管和电子装置可以稳定地得到良好的性能。
薄膜晶体管电子装置

[发明专利]薄膜晶体管结构及其制造方法以及电子装置-CN201110040384.6无效
发明人：八木岩;小野秀树;佐佐木真理 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管结构及其制造方法以及电子装置。提供了一种容易制造的高性能薄膜晶体管结构。该薄膜晶体管结构包括：第一电极；在与第一电极不同的阶层中彼此分离的第二电极和第三电极；分别连接到第一电极、第二电极和第三电极的第一布线、第二布线和第三布线；主堆叠体，其被设置为使其在第一电极与第二电极和第三电极之间、在层间绝缘层在主堆叠体与第一电极之间的状态下与第一电极相对；以及副堆叠体，该副堆叠体包括绝缘层和半导体层，并且被设置为使其在第一布线与第二布线重叠的位置处的第一布线与第二布线之间和/或在第一布线与第三布线重叠的位置处的第一布线与第三布线之间，在层间绝缘层在副堆叠体与第一布线之间的状态下与第一布线相对。
薄膜晶体管结构及其制造方法以及电子装置

[发明专利]半导体器件及使用该半导体器件的显示装置-CN201010524862.6无效
发明人：野元章裕;小野秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及使用该半导体器件的显示装置。所述半导体器件使用了薄膜晶体管。另外，所述半导体器件具有：所述薄膜晶体管的栅极电极；形成得覆盖住所述栅极电极的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的有机半导体层；形成在所述有机半导体层上的结构体；起始于所述栅极绝缘膜的上表面并终止于所述有机半导体层的上表面的源极电极及漏极电极；和形成在所述结构体上的电极材料层。本发明的半导体器件能够高精度地被形成为具有预定通道长度的器件，并能够提高显示装置的性能、增大半导体器件的产率。另外，还能够减少半导体器件的设计余量、使半导体器件小型化，从而增大在显示装置中所使用的像素数量。
半导体器件使用显示装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201010291923.9无效
发明人：野元章裕;小野秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成有机半导体层；在有机半导体层上形成保护图案；以及使用保护图案作为掩模、通过使有机半导体层溶解在有机溶剂中或使其升华，而将该有机半导体层图案化。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200710182175.9无效
发明人： 小野秀树;谷口理 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在生长在半导体衬底的器件层中形成预定器件，在器件层和半导体衬底之间具有牺牲层；在支撑衬底接合在器件层的侧面的同时，通过蚀刻移除牺牲层以分离半导体衬底和器件层，其中在移除牺牲层的步骤中，在牺牲层移除之前形成从器件层延伸到牺牲层的凹槽，以及使用蚀刻溶液经由凹槽渗透到牺牲层。
半导体器件制造方法

1
共 12 条