[发明专利]感光组件有效

申请号：	201010264267.3	申请日：	2009-04-21
公开（公告）号：	CN101958359A	公开（公告）日：	2011-01-26
发明（设计）人：	李威龙;王文哲	申请（专利权）人：	华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号：	H01L31/10	分类号：	H01L31/10;H01L31/0224;H01L31/0352
代理公司：	福州元创专利商标代理有限公司 35100	代理人：	蔡学俊
地址：	350015 福建***	国省代码：	福建;35
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及一种感光组件，其特征在于：包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极以及一位于该源极与该汲极间的通道部。该源极与该汲极皆设于该半导体层上，且该源极与该汲极分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极，且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列。本发明可以在有限的感光组件空间内增进感光区域面积，使得感光效率大为提升，解决目前业界面临的困境。
搜索关键词：	感光组件
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

一种感光组件，形成于一液晶显示器的第一基板上，其特征在于，该感光组件包含：一闸极，设于该第一基板上；一闸极绝缘层，设于该闸极上与该第一基板上；一半导体层，设于该闸极上方的该闸极绝缘层上；一源极与一汲极，设于该半导体层与该闸极绝缘层上；一通道部，设于该源极与该汲极之间，且该通道部包含一感光区；一绝缘层，覆盖该源极、该汲极与部份该半导体层上；以及一透明电极，设置于该绝缘层上并覆盖该源极与该汲极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司，未经华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010264267.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

光电转换元件及使用其的图像传感器-201580072492.8
发明人：梅原正明;富永刚;权晋友 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L31/10
摘要：一种光电转换元件，其是在第一电极与第二电极之间存在至少一层有机层的光电转换元件，上述有机层中以组合的方式包含骨架相同、取代基不同的至少2种化合物。

光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器-201580027505.X
发明人：森胁俊贵 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的：形成有机光电转换层以作为第一电极的上层，所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料；形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层，所述缓冲层由非晶无机材料形成并具有7.7至8.0eV的能级，且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差；以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。

受光器、便携式电子设备和受光器的制造方法-201580057073.7
发明人：内桥正明;夏秋和弘;内田雅代;泷本贵博 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明提供可实现紫外区域的灵敏度不均的降低以及可见光区域和红外光区域的噪声降低的受光器、便携式电子设备和受光器的制造方法。受光器(1)的第一受光元件(PD1)和第二受光元件(PD2)分别通过在第一导电型的P型衬底(P_sub)上形成第二导电型的N型势阱层(N_well)，在N型势阱层(N_well)内形成第一导电型的P型势阱层(P_well)，在P型势阱层(P_well)内形成第二导电型的N型扩散层(N)而形成。P型衬底P_sub、N型势阱层(N_well)和P型势阱层(P_well)在电气上为相同电位或者被短路。

紫外光用固体受光器件-201480077744.1
发明人：须川成利;黑田理人 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L31/10
摘要：提供一种能够以简单的构造来高精度且恰当地测量对人体有害的紫外光的照射量、还能够容易进行与周边电路的传感器的一体制作、小型/轻量且低成本、适于携带(mobile)或者穿戴(wearable)的紫外光用固体受光器件。具备第一光电二极管(1)和第二光电二极管(2)、以及被输入基于来自这些光电二极管(1、2)的输出的各个信号的差动电路，在上述光电二极管(1、2)内和设置在各光电二极管上的半导体层区域中，分别设置半导体杂质的最大浓度位置。

一种光敏器件及其制备方法-201710523876.8
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明提供了一种光敏器件及其制备方法，通过在半导体衬底正面设置第一沟槽，在第一沟槽侧壁和底部表面形成第一金属层，第一金属层与第一沟槽的侧壁和底部的半导体衬底之间形成金属‑半导体接触；第一金属层作为导电层；以及在半导体衬底背面形成第二沟槽；第二沟槽位于第一沟槽的正下方，且第一沟槽的底部和第二沟槽的底部相对；环绕第二沟槽侧壁设置N⁺环形区域，N⁺环形区域作为探测层，用于探测入射光并产生电信号，从而提高耗尽区比例。

一种用于成像探测器的半导体结构-201820781769.5
发明人：廖雪明 -专利权人：廖雪明
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本实用新型公开了一种用于成像探测器的半导体结构，包括半导体衬底、第一P重掺杂层、刻蚀凹槽、入射窗口，所述半导体衬底上方设置有吸收层，所述吸收层上方设置有第二P重掺杂层，所述第二P重掺杂层外侧设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二P重掺杂层粘接，所述第一绝缘层内部设置有第一绝缘材料填充层，所述第二P重掺杂层上方设置有所述第一P重掺杂层，所述第一P重掺杂层与所述第二P重掺杂层粘接；有益效果在于：本实用新型通过减小吸收层的厚度，对电子和空穴在芯片内部的运动时间，提高了芯片的响应速度，通过增加第一绝缘层，使得芯片内部的电容减小，从而提高了宽带。

光电转换元件、成像装置及光学传感器-201380041105.5
发明人：宇高融;村田昌树;森本类;榎修 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/10
摘要：提供了有机光电转换元件、成像装置及光学传感器，有机光电转换元件能够通过使用单个元件结构检测多个波长区域。包括光谱敏感度不同的至少两种有机半导体材料的有机光电转换部被设置在第一电极和第二电极之间并被用作光电转换元件。光电转换元件的波长敏感度特性根据施加在第一电极和第二电极之间的电压(偏置电压)而改变。光电转换元件被安装在成像装置或光学传感器上。

利用石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管及其制造方法-201480081292.4
发明人：崔石镐;申东熙;金成 -专利权人：庆熙大学校产学协力团
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L31/10
摘要：提供了一种通过控制硅量子点大小和石墨烯掺杂浓度，提高光学特性及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管。本发明的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管制作方便，可大面积制作，且从紫外线领域到近紫外线领域的光检测带宽广，选择性地可调整吸收能量。

红外线检测元件-201480059033.1
发明人：三嶋飞鸟;押村吉德 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明涉及一种红外线检测元件。该红外线检测元件具备缓冲层(InAsSb层)(3)、缓冲层(InAs层)(4)、及光吸收层(InAsSb层)(5)。InAs层的临界膜厚hc与InAs层的厚度t满足hc＜t的关系。在该情况下，可以改善形成于缓冲层(3)上的InAs的缓冲层(4)及InAsSb的光吸收层(5)的结晶性。

包含具有硼层的硅衬底的光阴极-201380050971.0
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;约翰·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L31/10
摘要：在具有相对所照射(顶部)表面和输出(底部)表面的单晶硅衬底上形成光阴极。为防止所述硅氧化，使用使氧化和缺陷降到最低的方法将薄(例如，1nm到5nm)硼层直接安置于所述输出表面上，并且然后在所述硼层上方形成低功函数材料层以增强光电子的发射。所述低功函数材料包含碱金属(例如，铯)或碱金属氧化物。在所述所照射(顶部)表面上形成可选第二硼层，并在所述硼层上形成可选抗反射材料层以增强光子进入所述硅衬底中。在所述相对所照射(顶部)表面与输出(底部)表面之间产生可选外部电位。所述光阴极形成新颖传感器和检查系统的一部分。

一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法-201510867591.7
发明人：顾溢;张永刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III‑V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III‑V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含铋III‑V族缓冲层、稀铋多量子阱结构吸收层以及p型高掺杂不含铋III‑V族材料上接触层。本发明的探测器可以同时利用带间吸收和价带子带间吸收，增强对光的吸收，也可在太阳电池等利用光吸收的器件中进行应用，具有广泛的应用前景。

一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法-201510276391.4
发明人：朱彦旭;刘飞飞;杜志娟;郭伟玲;于宁;邓叶;王岳华;宋会会 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，使栅极电压发生改变，导致高电子迁移率晶体管内部的二维电子气产生或浓度发生变化，从而使高电子迁移率晶体管的沟道电流发生变化，使光波信号转变为电信号，实现对光辐射的高灵敏度探测。

光电探测器线列-201720252520.0
发明人：李文刚 -专利权人：江苏尚飞光电科技有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本实用新型是探测器技术领域，具体是涉及一种光电探测器线列的改进。光电探测器线列，包括PCB板、芯片和芯片上的光电二极管像素，在所述PCB板上并联贴有数个芯片，每个芯片上承载有一个光电二极管像素。本实用新型相邻像素间是物理上隔离开的，从而彻底消除了串扰。同时，单个芯片颗粒的尺寸大大减小，这可以有效减少晶圆上废弃的边角料，提高晶圆的芯片产出率，降低成本。

一种室温纳米线光子数可分辨探测器及制备方法-201710563628.6
发明人：胡伟达;骆文锦;王鹏;龙明生;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明公开了一种室温纳米线光子数可分辨探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、纳米线半导体和金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的具有丰富表面态纳米线转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备金属电极作为源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构。器件首先需要在源极和栅极间施加负向栅压，使得场效应晶体管达到跨导最大处，通过纳米线的丰富表面态可以长时间俘获光生空穴，形成光栅效应，使得电流信号发生跳变，进而实现可分辨光子数探测。该光子探测器具有室温工作、光子数可分辨、高灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。

光电转换元件以及波长传感器-201680002418.3
发明人：黄武钟;林弘毅;伊藤泰雄 -专利权人： IMRA日本公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明涉及光电转换元件以及波长传感器。本发明实现元件内的电子的移动方向根据转换对象光的波长而变化的光电转换元件。光电转换部(20)具备供转换对象光入射的活性层(40)、相对于活性层(40)而被配置于与转换对象光的入射侧相反的一侧的中间层(50)、以及以隔着中间层(50)而与活性层(40)对置的方式被配置的反射层(60)。活性层(40)包含通过与转换对象光的相互作用而产生等离子共振的材料亦即等离子谐振材料。中间层(50)具有半导体特性以及相对于转换对象光的透明性这两者。反射层(60)具有相对于转换对象光的反射性。

光接收电路及其制造方法-201480051685.0
发明人：铃木康之;冈本大典 -专利权人：技术研究组合光电子融合基盘技术研究所
申请日： 2014-10-01 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明提供一种抑制因PD和TIA之间的布线引起的特性劣化的光接收电路及其制造方法。光接收电路(300)包括光电二极管(302)、以及向光电二极管(302)供应电源的跨阻放大器(308)。光电二极管(302)的阳极和跨阻放大器(308)之间的布线的特性阻抗比光电二极管(302)的阴极和跨阻放大器(308)之间的布线的特性阻抗高。

光电转换装置及其制造方法-201480046696.X
发明人：夏秋和弘;内田雅代;泷本贵博;粟屋信义;石原数也;中野贵司;名仓满 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。

光电二极管及其形成方法-201410317120.4
发明人：王子睿;周耕宇;庄君豪;徐铭杰;林稔杰;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/10
摘要：提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极；在衬底上方形成介电层；图案化衬底上方的介电层；在衬底上方形成光电转换层；以及在光电转换层上方形成彩色滤光层，其中，介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开，且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率，其中，第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。

一种量子阱结构的大功率半绝缘AlGaAs/GaAs光导开关及制作方法-201610313467.0
发明人：栾崇彪;肖金水;王波;黄宇鹏;李洪涛;谢卫平 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明公开了量子阱结构的大功率半绝缘AlGaAs/GaAs光导开关，包括GaAs基层，所述GaAs基层的电极面的电极区域上外延生长一层高掺杂n+‑GaAs，高掺杂n+‑GaAs层表面淀积有金属层，GaAs基层电极面的电极之间生长一层高反膜，述GaAs基层背电极面外延生长一层AlGaAs，AlGaAs层与GaAs基层之间形成三角形势阱结构AlGaAs表面生长一层增透膜，光导开关的导通电阻小于为0.45Ω。本发明在使用波长1064 nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25 ns的激光脉冲触发光导开关，在脉冲电压9.8 kV时，光导开关的导通电阻仅为0.45Ω,开关在工作电压9.8kV、重复频率1kHz条件下寿命大于100万次，大大提高了光导开关的使用寿命。

光电转换元件及成像元件-201580030626.X
发明人：泽木大悟 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明的光电转换元件为在基板上依次层叠有下部电极、抑制来自下部电极的电荷注入的电荷阻挡层、包含光电转换层的有机层及包含透明电极层的上部电极的元件。光电转换层由非晶膜构成，且具有P型有机半导体与包含富勒烯的N型有机半导体的本体异质结构。本体异质结构的光电转换层的电离势与N型半导体的电子亲和力之差为1.30eV以上。

用于检测红外辐射的带有增益的方法和设备-201280031610.7
发明人：弗兰基·索;金渡泳;李在雄;布哈本德拉·K·普拉丹 -专利权人：佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L31/10
摘要：描述了光检测器、其制造方法和使用其检测辐射的方法。光检测器可以包括第一电极、光敏化层、电子阻挡／隧穿层和第二电极。还描述了红外‑可见光上转换器件、其制造方法和使用其检测辐射的方法。红外‑可见光上转换器件可以包括光检测器和与所述光检测器连结的OLED。

半导体装置及其制造方法-201610428167.7
发明人：宇佐美达矢;小仓卓 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，实现暗电流小的锗受光器。锗受光器(PD1)由在p型硅芯层(PSC)的上表面上依次层叠的p型锗层(PG)、非掺杂的i型锗层(IG)以及n型锗层(NG)构成，在i型锗层(IG)的侧面形成由硅构成的第1罩层(CA1)，在n型锗层(NG)的上表面以及侧面形成由硅构成的第2罩层(CA2)。另外，在n型锗层(NG)中导入了具有比锗的共价键半径更小的共价键半径的元素例如磷或者砷等。

具有宽带吸收体的上转换器件-201180068540.8
发明人：弗兰基·索;金渡泳;布哈本德拉·普拉丹;李在雄 -专利权人：佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明的一些实施方案涉及一种IR光检测器，其广泛地吸收电磁辐射，包括近红外（NIR）光谱的至少一部分。所述IR光检测器包括PbS和/或PbSe的多分散QD。根据本发明的一个实施方案，所述IR光检测器当与发光二极管（LED）耦联时可作为层包括在上转换器件中。

光电二极管载体和使用其的光传感器-201280012708.8
发明人：竹内刚;木村直树 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明提供一种光电二极管载体，其可以均衡多个所安装的光电二极管的频率响应特征。本发明的光电二极管载体设置有：二极管阵列连接区；连接至二极管阵列连接区的第一和第二信号侧电极；连接至二极管阵列连接区的第一和第二偏压侧电极；以及连接于被设置在地电极和第一和第二偏压侧电极途中的电极之间的第一和第二电容器。被设置在第一和第二偏压侧电极途中的电极被定位在离作为起始点的二极管阵列连接区（7）大约相等的距离处。

光电转换元件及图像传感器-201580007103.3
发明人：梅原正明;富永刚;权晋友 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明涉及一种光电转换元件，其是将光转换为电能的光电转换元件，其中，在第一电极与第二电极之间存在至少一层有机层，在上述有机层中含有通式(1)表示的化合物，R¹～R⁴为烷基、环烷基、烷氧基或芳基醚基，各自可以相同也可以不同；R⁵及R⁶为卤素、氢或烷基，各自可以相同也可以不同；R⁷为芳基、杂芳基或链烯基；M表示m价的金属，选自硼、铍、镁、铝、铬、铁、镍、铜、锌及铂中的至少一种；L选自卤素、氢、烷基、芳基及杂芳基；m为1～6，m‑1为2以上时，各L彼此可以相同也可以不同。通过本发明，可提供具有高光电转换效率且具有高颜色选择性的光电转换元件。

半导体装置、成像设备及制造半导体装置的方法-201610086842.2
发明人：上田佳德;米田和洋;爱须克彦;中谷宁一;根来宝明;樱野胜之;渡边博文 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明提供一种半导体装置、成像设备及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：半导体层，从半导体层的表面嵌入到半导体层的内部并且由绝缘层绝缘的电极，以及一结构，在该结构中，第一导电型的第一半导体区域，第二导电型的第二半导体区域，以及第一导电型的第三半导体以前述顺序从所述半导体层的表面经由所述绝缘层沿着所述电极形成。电极被布置在一位置处，在该位置，在第一半导体区域和第二半导体区域的分界面和第二半导体区域和第三半导体区域的分界面中的至少一个中没有反型层由提供给电极的电压形成。

具有嵌入式反射器的双通光电二极管-201480055528.7
发明人： W·吉齐维齐 -专利权人：富加宜（亚洲）私人有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L31/10
摘要：一种光电二极管(具体而言是用于数据传输应用的光电二极管)可以包括：半导体衬底，所述半导体衬底也可以被称为衬底层；以及第一半导体层，所述第一半导体层由所述半导体衬底支撑(例如，被布置在所述半导体衬底上)。所述光电二极管还可以包括由所述第一半导体层支撑(例如，被布置在所述第一半导体层上)的第二半导体层。所述光电二极管还可以包括被布置在所述半导体衬底与所述第一半导体层之间的光半导体镜，以使得在入射光第一次沿着第一方向穿过所述第二半导体层和所述第一半导体时，所述入射光被所述光半导体镜反射以便第二次穿过所述第一半导体层，这也可以被称为第二次通过。因此，所述光电二极管也可以被称为双通光电二极管。

一种低暗电流铟镓砷探测器及其制备方法-201510928646.0
发明人：胡双元 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明所述的一种低暗电流铟镓砷探测器，包括层叠设置的第二电极、N型InP衬底和本征InP缓冲层，所述InP缓冲层上直接形成有InGaAs光敏层，所述InGaAs光敏层上层叠设置有InP帽层和通过外延方式生长的钝化层，所述InP帽层面积小于或等于所述InGaAs光敏层的面积；所述钝化层中开设有暴露所述InP帽层部分区域的通孔，沿所述通孔内侧壁形成环形第一电极。通过外延方式制备的钝化层，其成膜质量远远高于传统工艺所制备的钝化层，可以大大降低铟镓砷探测器的暗电流，提高灵敏度。

受光元件及其制造方法-201480028902.4
发明人：梶山康一;小川吉司 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明提供一种受光元件及其制造方法，其通过解决伴随受限于带隙的材料选择而产生的各种问题，简单地获得对红外线等长波长光具有灵敏度的受光元件。本发明的受光元件(1)具备具有pn接合部(10j)的半导体层(10)、及夹持pn接合部(10j)的一对电极(11、12)，在一对电极(11、12)之间施加正向偏压(V)并照射特定波长的光(L)，由此在pn接合部(10j)附近产生近场光，其中，通过特定波长的光所透射的金属栅网偏光器(Wg)构成一对电极(11、12)的光(L)所照射的一侧的电极(11)。

一种行波结构光探测器芯片及制备方法-201510733750.4
发明人：陈钰杰;许鹏飞;余思远;张彦峰;刘洁 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L31/10
摘要：本发明涉及一种行波结构光探测器芯片及制备方法，本发明中的行波结构光探测器基于一个宽频带阻抗匹配的射频共面波导传输线的框架，用于收集和传输光电二极管单元产生的射频电磁波信号。在不破坏射频传输线基本电极结构的基础上，将多个光电二极管单元串联加载至射频传输线两侧电介质之间，实现射频信号的相干叠加，增大光探测器的响应度。而光信号的输运则通过两侧多重弯曲的光波导，通过倏逝波耦合的方式馈给至多个光电二极管单元，实现光信号的高效率吸收转化。多重弯曲的光波导实现光程可控，减缓光波导传输群速度以匹配传输线传输相速度，避免了相消干涉导致射频信号的反射，使光探测器的整体带宽不受影响。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]感光组件有效

专利文献下载