[发明专利]闪存器件的形成方法有效
申请号: | 201910001500.X | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN109659237B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 刘宪周 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/788 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种闪存器件的形成方法,包括:提供基底,基底表面具有浮栅层;在浮栅层表面形成控制栅,所述控制栅内具有暴露出浮栅层的第一开口;在第一开口的侧壁形成第一氧化层和位于第一氧化层表面的材料层;氧化所述材料层,在所述第一开口侧壁的控制栅表面形成第二氧化层;以控制栅和第二氧化层为掩膜,刻蚀浮栅层,直至暴露出基底,形成浮栅以及位于浮栅之间的第二开口;在所述第一开口和第二开口内形成字线。所述方法形成的闪存器件能够平衡控制栅和字线之间的击穿电压以及控制栅对浮栅的控制作用。 | ||
搜索关键词: | 闪存 器件 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种闪存器件的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底表面具有浮栅层;在所述浮栅层的表面形成控制栅,所述控制栅内具有暴露出所述浮栅层的第一开口;在所述第一开口的侧壁形成第一氧化层和位于第一氧化层表面的材料层;氧化所述材料层,在所述第一开口侧壁的控制栅表面形成第二氧化层;以所述控制栅和第二氧化层为掩膜,刻蚀浮栅层,直至暴露出基底,形成浮栅以及位于浮栅之间的第二开口;在所述第一开口和第二开口内形成字线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910001500.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造