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[发明专利]氮化硅、陶瓷浆料及制备方法-CN201910164306.3有效
发明人：崔巍;成会明;邹艺峰;李飞;张杰 -专利权人：青岛瓷兴新材料有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：氮化硅粉末及制备方法、含有该氮化硅粉末的陶瓷浆料及制备方法。氮化硅粉末的未氧化氮化硅表面面积：全部氮化硅表面面积为0.40‑0.85。陶瓷浆料包括该氮化硅粉末、烧结助剂和具有羟基、羧基、氨基、酯基、醛基、羰基等基团的有机组分。陶瓷浆料制备方法包括：(1)以控温活化燃烧合成法制备氮化硅初级粉末；(2)对氮化硅初级粉末进行粗筛，以硝酸、盐酸、硫酸的混合酸进行酸洗，然后水洗、抽滤并干燥；(3)将步骤2所得粉末置于加热装置中，在流动氮气气氛条件下热处理除去添加剂
氮化陶瓷浆料制备方法

[发明专利]大型薄壁氮化硅结构件及其烧结方法-CN202210907479.1有效
发明人：杨旭强;李正闯;武敬君;陈家福 -专利权人：东莞市夏阳新材料有限公司;广东夏阳精细陶瓷科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了大型薄壁氮化硅结构件及其烧结方法，属于氮化硅陶瓷烧结技术领域，其技术方案要点是，步骤如下：S1、制备氮化硅造粒粉；S2、氮化硅造粒粉经过等静压成型，制成生坯；S3、在生坯内壁嵌入氮化硅陶瓷管，生坯内壁和氮化硅陶瓷管的外壁之间嵌有多个弹性定位件，形成插芯烧结组件；然后对其进行烧结；S4、获得大型氮化硅陶瓷薄壁管。本发明成功制备出了高度＞200mm、直径＞100mm、壁厚＜2mm、变形量＜0.2mm、抗弯强度≥750Mpa的大型氮化硅陶瓷薄壁管；该方式能够使生坯在烧结过程中定向收缩，便于实现对产品形状和尺寸的精准性预测和控制
大型薄壁氮化结构件及其烧结方法

[发明专利]氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法-CN202011609179.2在审
发明人：张义政;高岭;吴亚光;刘旭;鲍禹希;张腾;张金利;张崤君;刘林杰;乔志壮;刘思雨 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法，属于功率模块用陶瓷覆铜基板技术领域，制备方法包括以下步骤：采用化学溶液对氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进行预处理；采用还原气氛对经过预处理的氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进行还原处理；按照铜箔片、焊料片、氮化硅陶瓷裸板、焊料片、铜箔片的叠设顺序装夹在工装夹具中；将工装夹具放置于真空炉中；采用AMB工艺使铜箔片与氮化硅陶瓷裸板焊接为一体化基板，得到氮化硅陶瓷覆铜基板技术效果：可以活化、还原出原材料的新鲜表面，避免由于杂质元素的存在而影响氮化硅陶瓷裸板与焊料片之间的反应润湿，减少覆接面空洞的产生，提高可靠性，满足大功率模块的高可靠封装要求。
氮化陶瓷覆铜基板及其制备方法

[发明专利]氮化硅陶瓷制品及其制备方法-CN202111606018.2有效
发明人：曾小锋;朱福林;肖亮;李勇全;陈巨喜 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2021-12-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅陶瓷制品及其制备方法，该氮化硅陶瓷制品由颗粒材料成型并烧结制得；烧结的步骤包括：将氮化硅陶瓷颗粒在压力为1MPa~5MPa、温度为1480℃~1520℃的条件下保温1h~6h后，卸至常压，升温至1600℃~1650℃时，加压至2MPa~5MPa，于1700℃~1800℃下保温2h~8h；颗粒材料的制备包括以下步骤：将陶瓷组合物、粘结剂和溶剂混合，得到氮化硅陶瓷浆料；将氮化硅陶瓷浆料进行干燥造粒，得到颗粒材料；按质量份数计，陶瓷组合物由以下组分组成：碳化铝1~8份、氧化铈1~8份、氧化锆1~8份以及氮化硅78~95份；碳化铝和氧化锆的质量比为(0.2~2):1。该氮化硅陶瓷制品显金黄色，且金黄色纯正，色差较小。
氮化陶瓷制品及其制备方法

[发明专利]一种含烧结助剂的氮化硅陶瓷先驱体及其制备方法和含烧结助剂的氮化硅陶瓷-CN202310733054.8在审
发明人：李天昊;宋育杰;张健宁;李寅生;何流;黄政仁;黄庆 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，涉及一种含烧结助剂的氮化硅陶瓷先驱体及其制备方法和含烧结助剂的氮化硅陶瓷。所述含烧结助剂的氮化硅陶瓷先驱体的制备方法，包括以下步骤：将金属单质和/或金属盐、卤硅烷单体加入溶剂中，溶解后，加入氨或胺，进行反应；经减压蒸馏提纯，再经交联固化得到含烧结助剂的氮化硅陶瓷先驱体。该方法可根据需要定制化原位生成目标烧结助剂，提高烧结助剂与氮化硅陶瓷的混合均匀度，大大降低了额外添加烧结助剂引发的氧含量提高的问题，为相关产业提供高纯度、高质量的含烧结助剂氮化硅陶瓷原料，具有较高的应用价值
一种烧结助剂氮化陶瓷先驱及其制备方法

[发明专利]高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷及其制备方法和应用-CN202010322659.4在审
发明人：卫义成;曾小锋;陈巨喜;曾庆党 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及复合材料领域，尤其是高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷，经过原料成分合理配比，结合氮化烧结工艺，采用先预热至600‑800℃时，通入氮气方式，使原料混合物在非氮气氛围下受热，使得硅粉预热，再结合氮气通入，以及原料中氮化硅存在的环境下，实现对硅粉催化氮化，促使氮化硅形成，提高硅粉氮化率，促进硅粉形成的氮化硅与原料中的氮化硅在液相下结合，实现在碳化硅粉末间穿插，增强氮化硅与碳化硅结合的强度，提高陶瓷材料的致密性；且经氮气合理时间通入，避免了氮化硅在1600℃以上发生分解，增强了陶瓷材料强度和致密性，使得烧结制品的的密度＞2.65g/cm3，断面细腻，气孔不可见，提高了陶瓷材料的抗热震性能和延长了陶瓷制品的使用寿命
强度氮化复合碳化硅陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种高性能氮化硅陶瓷基板的叠层烧结工艺方法-CN202211708493.5在审
发明人：孙伟;胡丰 -专利权人：无锡海古德新技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能氮化硅陶瓷基板的叠层烧结工艺方法。将流延成型制得的氮化硅流延坯片裁剪成适当尺寸，将去离子水、分散剂、氮化硼粉末按比例配置成悬浮液浆料，对裁剪后的流延坯片表面喷涂悬浮液浆料，然后对喷涂后的流延坯片进行干燥；将完成覆粉后的流延坯片叠层摆放至氮化硼陶瓷匣钵之中，并在氮化硅叠层坯片上压放一块打有孔洞的氮化硼陶瓷块，对放置在氮化硼匣钵的氮化硅叠层坯片进行排胶处理；在排胶后的置于氮化硼匣钵内的氮化硅叠层坯片上继续压放一块碳化钨陶瓷块，碳化钨陶瓷块压在氮化硼陶瓷块上，在烧结炉中对氮化硅叠层坯片进行烧结。本发明可生产具有较高热导率、优异力学性能且生产成本较低的大面积氮化硅陶瓷基板材料。
一种性能氮化陶瓷烧结工艺方法

[发明专利]一种光固化氮化硅陶瓷及其制备方法-CN202011171996.4在审
发明人：李勇全;陈巨喜;曾庆党;朱福林;肖立 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C04B35/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种光固化氮化硅陶瓷及其制备方法，所述氮化硅陶瓷由以下原料制备而成：所述原料按重量份数比为：氮化硅35‑45份、纳米二氧化钛3‑4份、消泡剂0.4‑1.2份、铁硅铝2‑4份、分散剂0.6‑0.8份、流变改性剂0.7‑0.9份、玻璃纤维1.4‑1.8份、聚醚酮酮1.6‑2份和液态光敏树脂30‑36份；本发明通过采用氮化硅为主料，配合液态光敏树脂，在紫外线照射下，聚合物由胶质树脂转变成坚硬物质，添加分散剂和消泡剂，使成形后的氮化硅陶瓷表面平整，材料分散均匀，强度高，添加流变改性剂，提高氮化硅陶瓷粘度流变特性，并预先将聚醚酮酮和玻璃纤维复合反应，生成可增强氮化硅陶瓷强度的复合材料，经氮气煅烧、干燥、热脱脂和烧结后，得到强度高、成本低的光固化氮化硅陶瓷。
一种光固化氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷刀具及制备方法-CN202310117483.2在审
发明人：朱福林;谭庆文;肖立;文金桃;谢山穗 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，具体是涉及到一种氮化硅陶瓷刀具及制备方法，制备方法包括以下步骤：首先按重量百分比称取以下组分：氮化硅粉75％‑85％、预氧化的氮化硅粉10％‑16％和ZrO2‑Y2O3粉5％‑10％与水和乙醇搅拌，制成陶瓷浆；将陶瓷浆在热气流中，雾喷，进行造粒，干燥，研磨，过筛，得陶瓷粉料；将陶瓷粉料压制成型，得陶瓷坯体；将陶瓷坯体烧结，得到氮化硅陶瓷刀具，本发明得到的氮化硅陶瓷刀具维氏硬度为21.6‑27.5GPa，断裂韧性为12.7‑15.8MPa·m
一种氮化陶瓷刀具制备方法

[发明专利]一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法-CN202110075093.4有效
发明人：张辉;刘学建;蒋金弟;姚秀敏;黄政仁;陈忠明;黄健 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法，包括：（1）将氮化硅陶瓷基片素坯叠放在氮化硼坩埚中，且在相邻氮化硅陶瓷基片素坯之间涂敷一层氮化硼粉体；（2）分步骤抽真空后，在氮气气氛或还原性气氛中、500～900℃下进行脱粘；（3）然后在氮气气氛中、1800～2000℃下气压烧结，实现高性能氮化硅陶瓷基片的批量化制备。
一种性能氮化陶瓷批量烧结方法

[发明专利]氮化硅陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法-CN202010404650.8在审
发明人：周孔礼 -专利权人：山西华微紫外半导体科技有限公司;周孔礼
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法，包括如下步骤：第一步，将氮化硅陶瓷基板通过厚膜印刷技术印刷出金属线路涂层，该金属线路涂层形状与需要焊接到氮化硅陶瓷上的围坝的形状适配；第二步，在氮化硅陶瓷基板的金属线路涂层上放置合金焊料，再将围坝隔着合金焊料印刷或放置到氮化硅陶瓷基板上，围坝与金属线路涂层的形状对应；第三步，将氮化硅陶瓷基板和围坝放入到烧结装置中；第四步，向烧结装置中冲入保护气氛；第五步，启动烧结装置进行烧结，且烧结的温度为本发明针对氮化硅陶瓷的围坝焊接采用烧结焊接的方式进行焊接，相对于现有技术中采用磁控溅射，更加方便操作，成本更低。
氮化陶瓷基板上围坝烧结焊接方法

[实用新型]一种适用于氮化硅陶瓷材料疲劳强度实验的夹持装置-CN202221852932.5有效
发明人：白旭;张宇;张啸尘;孟维迎;郭建成 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01N3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及金属材料技领域，尤其涉及一种适用于氮化硅陶瓷材料疲劳强度实验的夹持装置。其技术方案包括实验架、缓冲弹簧杆和输入架，工作人员控制控制面板，使得移动架在滑动轨道内进行来回的移动，使氮化硅陶瓷丝持续受到拉伸，再由红外线感应器感应移动架的拉伸次数，使拉伸数值更加精准，通过机械对氮化硅陶瓷材料的疲劳强度进行检测达到了节约人力，降低工作量，数值统计准确的目的，将侧边固定板内的氮化硅陶瓷丝拉伸至总固定板与总夹持板内，使得固定块上的总夹持板同时上升对拉伸的氮化硅陶瓷丝进行夹持，很好的提高了氮化硅陶瓷丝被加持的受力长度，提高夹持的稳定性以及氮化硅陶瓷丝被拉伸时的稳固性
一种适用于氮化陶瓷材料疲劳强度实验夹持装置

[实用新型]一种氮化硅陶瓷基板的清洗装置-CN202320331574.1有效
发明人：林伟毅;林武城;刘卫平;陈智 -专利权人：福建臻璟新材料科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化硅陶瓷基板的清洗装置，包括清洗柜和夹持移动机构，在使用时，将与支撑架宽度适配的一沓待清洗的氮化硅陶瓷基板，通过移动桩与弹簧配合，放置在弹性触头之间，进而通过控制面板控制环形传送带开始工作，使得待清洗的氮化硅陶瓷基板组移动至超声波清洗池的顶端，再通过控制面板控制电动推杆工作，使得待清洗的氮化硅陶瓷基板组浸入超声波清洗池，清洗后，通过控制面板将清洗后的氮化硅陶瓷基板组抬升至风扇前端，吹干后，通过控制面板控制环形传送带将清洗后的氮化硅陶瓷基板组移走，同时，将另一待清洗的氮化硅陶瓷基板组移动至超声波清洗池顶端，由此，将依次清洗的方式转化为整组清洗，提高了清洗效率。
一种氮化陶瓷清洗装置

[实用新型]双管立式炉炉体加热系统的结构-CN202321048839.3有效
发明人：刘汉东;吴疆;陈善瑾;刘继昌 -专利权人：安徽旭腾微电子设备有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： F27B1/14 文献下载
摘要：本申请属于管式炉技术领域，公开了双管立式炉炉体加热系统的结构，包括炉体，炉体的顶面设置有控制箱，炉体的上内壁和下内壁均堆砌有炉衬并形成炉膛，炉膛内固定连接有四块集成板，集成板的相对面之间固定连接有氮化硅陶瓷管，炉体内部滑动连接有两根管体，管体伸至氮化硅陶瓷管内部并与氮化硅陶瓷管滑动连接，集成板的四角均插接有水平的硅钼棒，硅钼棒与氮化硅陶瓷管外表面抵触，且硅钼棒与控制箱电性连接，通过氮化硅陶瓷管来对硅钼棒产生的热量进行传导，因氮化硅陶瓷管热导数较高，故能耗较少，氮化硅陶瓷管包裹管体，使得热量能够均匀输送至管体内部，有利于热量的扩散，利于对管体内部材料的加热。
双管立式炉炉体加热系统结构

[发明专利]多孔梯度氮化硅-碳化硅复相陶瓷及其制备方法和用途-CN201710394241.2有效
发明人：李向明;姜付义;朱小涛;周艳丽 -专利权人：烟台大学
申请日： 2017-05-28 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电磁吸波用多孔梯度氮化硅‑碳化硅复相陶瓷的制备方法。该方法以廉价的硅藻土和酚醛树脂为原料，利用氧化铝模具制备出硅藻土坯体，在对硅藻土坯体进行烧结时，利用石墨模具对硅藻土坯体定向通入氮气，利用氮气在硅藻土坯体中被逐渐消耗而产生的分压渐变，最终在多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷中形成了连续梯度的碳化硅分布。该方法能够在多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷内部形成连续梯度的碳化硅分布，即能有效减少多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷表面对电磁波的反射，又能保证多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷内部对电磁波的吸收效果，显著提高了多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷的电磁吸波性能。
多孔梯度氮化碳化硅陶瓷及其制备方法用途