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[发明专利]一种高强度氮化硅复合陶瓷材料及其制备方法-CN201610018559.6在审
发明人：梁小利 -专利权人：梁小利
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度氮化硅复合陶瓷材料，由以下按照重量份的原料制成：氮化硅陶瓷粉45-52份、硅化钽粉末10-15份、纳米碳化钨粉末6-8份、羟乙基纤维素2-4份、氨基硅烷偶联剂8-12份、葡萄糖200本发明还提供了所述高强度氮化硅复合陶瓷材料的制备方法。本发明制备的高强度氮化硅复合陶瓷材料的抗弯强度为565-583MPa，断裂韧性为7.23-7.92Pa·m^1/2，与现有常规的氮化硅陶瓷相比，抗弯强度及断裂韧性得到极大的提高，能够满足市场对陶瓷材料强度越来越高的要求
一种强度氮化复合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板及制备方法-CN202110420810.2在审
发明人：潘伟;刘广华 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本申请公开了一种多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板及制备方法。所述制备方法分别选用金属钛或钛合金粉体，金属铜或铜合金粉体，通过大气等离子喷涂技术将金属或金属合金粉体在熔融状态下喷涂在覆盖有特定图案掩模版的氮化硅陶瓷基板表面，调整诸多工艺参数和等离子体喷枪结构制备出金属层与氮化硅陶瓷界面结合强度高、电导率高的多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板。本发明直接将金属或金属合金粉末喷涂在敷盖有电路图案的掩模的氮化硅陶瓷基板上，得到不同图案且线宽精度高的多层金属覆膜电路陶瓷基板。
一种多层金属氮化陶瓷制备方法

[发明专利]一种致密的氮化硅/六方氮化硼复合陶瓷及其制备方法-CN202111627750.8在审
发明人：李建林;苗义民 -专利权人：海南大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明公开了一种致密的氮化硅/六方氮化硼复合陶瓷及其制备方法，属于无机材料技术领域，该复合陶瓷包括以下重量份数的原料：立方氮化硼粉体10‑15份、六方氮化硼粉体23‑35份、立方氮化硅1‑3份和溶剂45同时公开了该复合陶瓷的制备方法，具体包括以下步骤：(1)前驱体粉体的制备；(2)致密的氮化硅/六方氮化硼复合陶瓷的制备。本发明中所制备的氮化硅/六方氮化硼复合陶瓷结构致密且无需引入任何添加剂，且对高温熔体有良好的耐腐蚀作用，其品质满足高端工业材料的使用要求。
一种致密氮化复合陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种多孔陶瓷表面致密氮化硅涂层及其制备方法-CN201710330520.2有效
发明人：李晓雷;孙永强;赵志浩;孟庆宇;季惠明 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔陶瓷表面致密氮化硅涂层及其制备方法，能够在较低烧结温度下在多孔陶瓷基体表面制备出与基体结合强度高且致密的氮化硅涂层，其主要成分为氮化硅，晶界相为钡长石；其制备方法包括：采用淬火法制备烧结助剂BaO‑Al2O3‑SiO2玻璃粉，先在多孔基体表面喷涂一层以玻璃粉为烧结助剂的氮化硅涂层，进行预烧结形成中间层；再在基体表面喷涂不同含量的玻璃粉为烧结助剂的氮化硅涂层，进行烧结获得致密氮化硅涂层；本发明实现了氮化硅涂层的低温烧结，降低了涂层对基体的影响；致密氮化硅陶瓷涂层和多孔基体结合强度较高；制备出的氮化硅涂层主要由α‑Si3N4、β‑Si3N4
一种多孔陶瓷表面致密氮化涂层及其制备方法

[发明专利]一种纤维增强氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法-CN202110510199.2在审
发明人：杨文伍;喻大钊;王进科 -专利权人：宁波银瓷新材料有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供了一种纤维增强氮化硅陶瓷复合材料，由以下重量百分比的原料制备而成：二氧化钛复合纤维7～10％，碳化硅2～4％，石墨粉1～2％，其余为氮化硅，各原料的重量百分比之和为100％。本发明还提供了该纤维增强氮化硅陶瓷复合材料的制备方法。本发明所提供的纤维增强氮化硅陶瓷复合材料具有较好的抗弯强度和断裂韧性。
一种纤维增强氮化陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法-CN201610903797.5有效
发明人：张海军;韩磊;邓先功;王军凯;张少伟 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。其技术方案是：将稳泡剂加入去离子水中，磁力搅拌12~24h，制得稳泡剂溶液。将催化剂、异丁烯‑马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中，机械搅拌5~15min，制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中，搅拌，注浆成型，脱模，干燥，在1150~1400℃条件下保温2~6h，制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。本发明具有制备工艺简单、对设备要求不高、易于控制、污染小、合成温度低和生产成本低的特点；所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷孔隙率高、强度大、韧性好和产业前景大。
一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种基于光固化成型的3D打印制备氮化硅陶瓷的方法-CN201710048156.0在审
发明人：刘伟;伍海东;伍尚华;吴子薇;蒋强国;李炼 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于3D打印技术领域，尤其涉及一种基于光固化成型的3D打印制备氮化硅陶瓷的方法。本发明提供了一种组合物，所述组合物的原料包括氮化硅陶瓷粉体、单体、光引发剂、分散剂、表面改性剂和消泡剂。本发明还提供了一种利用上述组合物制备氮化硅陶瓷的制备方法。本发明提供的技术方案中，通过优化原料选择和配比，更适应于生产制备氮化硅陶瓷；所制得的氮化硅陶瓷产品，陶瓷颗粒分散均匀、尺寸精度高、表面光洁度好，提高了陶瓷产品的可靠性，同时，还具有制备效率高的优点，有效降低了时间成本和人力成本本发明提供的技术方案，解决了现有技术中，氮化硅陶瓷坯体主要存在着成品不均匀、烧结后产品尺寸精度差以及制备成本高的技术缺陷。
一种基于光固化成型打印制备氮化陶瓷方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法-CN201811115949.0有效
发明人：宋山青;徐强;吴波 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法，该氮化硅陶瓷覆铜基板包括氮化硅陶瓷基板和覆接于所述氮化硅陶瓷基板至少一个表面上的铜箔，所述氮化硅陶瓷基板和所述铜箔之间形成有界面结合层；所述界面结合层中含有选自本公开氮化硅陶瓷覆铜基板减少了陶瓷基板和铜箔间气体和鼓泡，陶瓷基板和铜箔之间的结合强度进一步得到显著提升。
一种氮化陶瓷覆铜基板及其制备方法

[发明专利]一种高温透波氮化硅天线罩的制备方法-CN202010089310.0在审
发明人：成来飞;叶昉;张立同;周杰;付志强;崔雪峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温透波氮化硅天线罩的制备方法，骨架结构为氮化硅纤维编织而成的预制体，罩体材料为氮化硅纤维增强氮化硅陶瓷基复合材料，表面制备有氮化硅晶须增强氮化硅涂层，兼具优异的强韧性与良好的高温透波性能和机械加工性该天线罩致密化过程采用CVI工艺和PIP工艺相结合，通过合理调控不同工艺所制氮化硅基体的含量，可以获得具有不同密度、微结构和性能的复合材料，满足不同使用要求。该天线罩具有两种结构形式，其中一体式结构完整，天线罩力学性能和宽频透波性能更优异；分体式结构加入氮化硅陶瓷头锥，可使天线罩在恶劣环境中服役时具有更高的抗烧蚀性能。
一种高温氮化天线罩制备方法

[发明专利]一种透波氮化硅天线罩材料及其制备方法-CN201310309109.9有效
发明人：陈照峰;余盛杰 -专利权人：太仓派欧技术咨询服务有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：一种透波Si₃N₄天线罩材料及其制备方法，该透波Si₃N₄天线罩材料是以低密度多孔氮化硅为芯层，氮化硅与氮化硼短切纤维或晶须作为芯层增强相，致密化氮化硅为表层涂层。首先将硅粉与氮化硅以及氮化硼短切纤维混合造粒后与成孔剂按照一定比例混合均匀，模压成一定形状坯体，在200～300℃下使成孔剂完全分解，得到多孔坯体。然后进行氮化处理得到短切纤维增强的多孔氮化硅陶瓷体，超声波清洗后烘干。最后通过化学气相沉积(CVD)来对该多孔氮化硅基陶瓷体制备致密氮化硅涂层。本发明优点在于：(1)短切纤维或晶须镶嵌在多孔氮化硅芯层，起到强化作用；(2)致密氮化硅在多孔氮化硅芯层外层，起到防水防汽渗入的作用；(3)制备工艺周期短，成本低。
一种氮化天线罩材料及其制备方法

[发明专利]高纯氮化硅超细粉磨技术-CN200510070892.3无效
发明人：张喜民;胡京平;石宁;苗赫濯 -专利权人：北京清华紫光方大高技术陶瓷有限公司
申请日： 2005-05-23 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：一项利用专用粉碎设备加工超细氮化硅粉体的技术。采用酒精作为磨细过程中的分散剂，防止氮化硅粉的二次氧化。采用氮化硅材质的磨衬和磨球，用搅拌磨加工超细粉体。磨衬和磨球的材料选择复合氮化硅陶瓷片，该陶瓷片采用热压烧结，材料耐磨性和韧性都非常好。
高纯氮化硅超细粉磨技术

[发明专利]氮化硅-碳化硅复相多孔陶瓷的制备方法-CN201810432294.3有效
发明人：周新贵;殷刘彦;王洪磊;余金山;李明远;黎畅 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅‑碳化硅复相多孔陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(1)以硅粉和酚醛树脂粉末为主要原料，制备陶瓷素坯；(2)将步骤(1)所得的陶瓷素坯在惰性保护气氛下进行碳化，使酚醛树脂形成热解碳，得到碳化后的坯体；(3)将步骤(2)所得的碳化后的坯体在含氮气气氛下进行氮化，使氮气与一部分硅粉反应生成氮化硅，同时使热解碳与另一部分硅粉反应生成碳化硅，得到氮化硅‑碳化硅复相多孔陶瓷。该氮化硅‑碳化硅复相多孔陶瓷的制备方法能有效提高硅粉在低温阶段的氮化效率，从而降低硅粉氮化过程中的升温工艺控制难度，避免析硅现象产生。
氮化碳化硅多孔陶瓷制备方法

[发明专利]一种具有优异高温性能的多孔氮化硅陶瓷及其制备方法-CN202010022989.1在审
发明人：曾宇平;张叶;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟;梁汉琴 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有优异高温性能的多孔氮化硅陶瓷及其制备方法，所述多孔氮化硅陶瓷的制备方法包括：（1）将硅粉、氮化硅粉和烧结助剂混合，得到混合粉体；（2）将所得混合粉体压制成型后，得到生坯；（3）采用由硅粉和氮化硅粉组成的埋粉包埋所得生坯，然后在氮气气氛中进行点火，引发自蔓延合成，得到所述多孔氮化硅陶瓷；所述烧结助剂选自Yb2O3、La2O3中的至少一种；所述混合粉体中烧结助剂的添加量为硅粉和氮化硅粉总质量的0.1～0.6wt%。
一种具有优异高温性能多孔氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]基于明胶溶液冷冻干燥技术制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法-CN201510400789.4有效
发明人：于方丽;白宇;倪澍;韩朋德;管浩;张霞 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于明胶溶液冷冻干燥技术制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法，将掺有烧结助剂的氮化硅粉料与一定浓度的明胶溶液混合形成均一体系，随后真空除泡并在1～20℃下冷却促使其凝胶化得到胶体；随后将胶体在‑90～‑10℃下冷冻并低温真空干燥得到生坯，生坯经排胶后在氮气气氛下烧结最终获得定向多孔氮化硅陶瓷。本发明的一种基于明胶溶液冷冻干燥技术制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法，结合了凝胶注模成型坯体强度高和冷冻干燥法孔隙分布均匀、定向程度优异、孔洞连通性良好的特点，首次利用储水能力优异的明胶配置成明胶溶液与氮化硅粉料混合制备出定向多孔氮化硅陶瓷
基于明胶溶液冷冻干燥技术制备定向多孔氮化陶瓷方法

[发明专利]一种定向多孔氮化硅蜂窝陶瓷及其快速制备方法-CN201911243319.6有效
发明人：史忠旗;袁媛;魏智磊;谢文琦;张哲健;夏鸿雁;王波 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明公开了一种定向多孔氮化硅蜂窝陶瓷及其快速制备方法，采用叔丁醇为溶剂，柠檬酸为分散剂对硅粉和氮化硅粉进行冷冻干燥，并将干燥后的生坯在氮气气氛中进行燃烧合成，得到气孔率较高，孔结构可控的定向多孔氮化硅蜂窝陶瓷本发明首次利用冷冻干燥与燃烧合成相结合的方法制备定向多孔氮化硅蜂窝陶瓷，该方法利用硅粉和氮化硅粉反应放出的热量进行样品烧结，无需利用烧结炉进行高温长时间保温的工艺，具有工艺简单、重复性好、能耗低、成本低等特点本发明制备的定向多孔氮化硅蜂窝陶瓷在金属冶炼、气体净化、汽车尾气处理、高温透波和相变储热等领域具有广泛的应用前景。
一种定向多孔氮化蜂窝陶瓷及其快速制备方法