专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]聚膦硅氮烷高分子阻燃剂及其制备方法和应用-CN202310955779.1在审
  • 胡之峰;刘章友 - 库贝化学(上海)有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-09-29 - C08G77/62
  • 本发明公开一种聚膦硅氮烷高分子阻燃剂及其制备方法和应用。该聚膦硅氮烷高分子阻燃剂的结构式为:#imgabs0#其中,0<m≤0.3,0.3≤n≤0.6,0.25≤p≤0.4,且m+n+p=1。上述聚膦硅氮烷高分子阻燃剂在燃烧过程中会产生磷酸类物质,促使聚合物表面快速脱水碳化,形成碳化层或不燃层覆盖在基体材料表面,同时,结构中的P/N/Si多元素也能起到协效阻燃作用。由于不饱和双键、N‑H键作为活性位点使得聚膦硅氮烷高分子阻燃剂分子易自聚,可以将聚膦硅氮烷高分子阻燃剂分子自聚后直接作为阻燃高分子涂层使用,从而使得该聚膦硅氮烷高分子阻燃剂能够广泛应用于航空航天、电子电气和动力能源等的高温结构阻燃材料领域。
  • 聚膦硅氮烷高分子阻燃及其制备方法应用
  • [发明专利]一种氮化硅先驱体的制备方法-CN202210144138.3有效
  • 李天昊;宋育杰;何流;黄庆;黄政仁 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院
  • 2022-02-17 - 2023-08-15 - C08G77/62
  • 本发明属于高分子材料领域,具体涉及一种氮化硅先驱体的制备方法。该氮化硅先驱体的制备方法包括如下步骤:将三甲基硅基取代的有机胺化合物、卤硅烷在真空、惰性气体条件下先初反应,然后减压蒸馏分离得到三甲基硅基取代胺卤硅烷;在惰性气体条件下将溶剂加入反应器中,依次加入三甲基硅基取代胺卤硅烷、有机胺,搅拌混合、升温反应、蒸馏得聚合物;将聚合物在惰性气体条件下加热进行交联固化得氮化硅先驱体。本发明采用三甲基硅基取代的胺卤硅烷为反应单体制备先驱体聚硅氮烷,保证先驱体的化学稳定性,热解过程中又容易脱落,降低氮化硅产品的硅元素占比和碳元素含量,使产品为低碳氧含量的高纯度近化学计量比的氮化硅陶瓷。
  • 一种氮化先驱制备方法

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