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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种功率半导体模块结构及制备方法-CN202010101352.1在审
发明人：洪思忠;胡羽中 -专利权人：华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：该功率半导体模块结构包括：若干个并联设置的芯片、上覆铜基板、下覆铜基板、驱动端子、电极端子、金属块和塑封树脂；所述芯片和驱动端子分别焊接于所述下覆铜基板的覆铜层；所述电极端子焊接于所述下覆铜基板的覆铜层；所述金属块焊接于所述芯片的表面，其中上桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的左侧铜层连接，所述上覆铜基板的左侧铜层与所述交流输出极连接，其中下桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的右侧铜层连接，所述上覆铜基板的右侧铜层与负极连接；所述上覆铜基板与下覆铜基板之间通过塑封树脂连接。
一种功率半导体模块结构制备方法

[实用新型]一种功率半导体模块结构-CN202020183263.1有效
发明人：洪思忠;胡羽中 -专利权人：华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：该功率半导体模块结构包括：若干个并联设置的芯片、上覆铜基板、下覆铜基板、驱动端子、电极端子、金属块和塑封树脂；所述芯片和驱动端子分别焊接于所述下覆铜基板的覆铜层；所述电极端子焊接于所述下覆铜基板的覆铜层；所述金属块焊接于所述芯片的表面，其中上桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的左侧铜层连接，所述上覆铜基板的左侧铜层与所述交流输出极连接，其中下桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的右侧铜层连接，所述上覆铜基板的右侧铜层与负极连接；所述上覆铜基板与下覆铜基板之间通过塑封树脂连接。
一种功率半导体模块结构

[发明专利]一种陶瓷覆铜基板及其激光加工工艺-CN202210035453.2有效
发明人：马敬伟;贺贤汉;朱锐;李炎 -专利权人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B23K26/352 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷覆铜基板及其激光加工工艺，具体涉及覆铜基板技术领域，包括陶瓷覆铜基片、表面改性剂。本发明中可有效对陶瓷覆铜基板表面进行改性处理，可有效加强陶瓷覆铜基板表面粗糙均匀性，同时提高陶瓷覆铜基板的易焊接性能，可对裸铜、镀镍、镀金、镀银、阻焊、点胶的表面进行处理，使其达到理想的粗糙度，进而加强陶瓷覆铜基板焊接性能；可在陶瓷覆铜基片表面制成纳米锌、纳米银、纳米铝和纳米铟锡纤维，可有效加强陶瓷覆铜基片表面粗糙均匀性，激光加工处理，可有效对半成品陶瓷覆铜基板表面进行蚀刻加工处理，使得陶瓷覆铜基板表面形成均匀致密的粗糙层，可进一步保证陶瓷覆铜基板的焊接加工效果。
一种陶瓷覆铜基板及其激光加工工艺

[发明专利]一种银浆烧结双面散热功率模块-CN202110160287.4在审
发明人：沈华;言锦春;姚礼军 -专利权人：上海道之科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种银浆烧结双面散热功率模块，包括功率模块本体，所述功率模块本体主要包括相对设置的第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板及设置在两覆铜陶瓷基板之间的功率端子、控制端子和芯片，所述功率端子和控制端子均通过银浆烧结层烧结于第一覆铜陶瓷基板或第二覆铜陶瓷基板的导电层上；所述芯片的背面通过银浆烧结层烧结在第一覆铜陶瓷基板的导电铜层上，芯片的正面通过银浆烧结层烧结在导电连接块上，所述导电连接块通过银浆烧结层烧结在所述第二覆铜陶瓷基板的导电铜层上；所述芯片通过金属导线与第一覆铜陶瓷基板或第二覆铜陶瓷基板的导电铜层连接，第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板之间的空隙通过环氧塑封体以实现电气隔离。
一种烧结双面散热功率模块

[实用新型]银浆烧结双面散热功率模块-CN202120331586.5有效
发明人：沈华;言锦春;姚礼军 -专利权人：上海道之科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种银浆烧结双面散热功率模块，包括功率模块本体，所述功率模块本体主要包括相对设置的第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板及设置在两覆铜陶瓷基板之间的功率端子、控制端子和芯片，所述功率端子和控制端子均通过银浆烧结层烧结于第一覆铜陶瓷基板或第二覆铜陶瓷基板的导电层上；所述芯片的背面通过银浆烧结层烧结在第一覆铜陶瓷基板的导电铜层上，芯片的正面通过银浆烧结层烧结在导电连接块上，所述导电连接块通过银浆烧结层烧结在所述第二覆铜陶瓷基板的导电铜层上；所述芯片通过金属导线与第一覆铜陶瓷基板或第二覆铜陶瓷基板的导电铜层连接，第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板之间的空隙通过环氧塑封体以实现电气隔离。
烧结双面散热功率模块

[发明专利]用于功率半导体模块的双层散热结构-CN202011110769.0有效
发明人：唐玉生;郭建文;毛先叶 -专利权人：正海集团有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率半导体模块的双层散热结构，本散热结构包括功率芯片、冷却板、第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板，功率芯片通过第一焊锡层设于第一覆铜陶瓷基板顶层，第二覆铜陶瓷基板底层通过第二焊锡层设于冷却板表面，第一覆铜陶瓷基板与第二覆铜陶瓷基板之间通过第三焊锡层连接，第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板构成叠层阶梯结构，并且第一覆铜陶瓷基板面积小于第二覆铜陶瓷基板面积。
用于功率半导体模块双层散热结构

[实用新型]一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构-CN202021151093.5有效
发明人：谌容 -专利权人：南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，包括底板、上桥臂、下桥臂、连桥、铝线，底板中部垂直交叉均匀设有多个焊接区域，上桥臂包括同侧设立的第一覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中上部的第六覆铜陶瓷基板且信号端外露，下桥臂包括设于另一侧的第二覆铜陶瓷基板、第四覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中下部的第五覆铜陶瓷基板且信号端外露，第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板与第四覆铜陶瓷基板呈田字形均匀设于焊接区域上；每个覆铜陶瓷基板上均设有芯片焊接区和多个栅极电阻。
一种 sic mosfet 模块陶瓷铜板结构

[实用新型]基板刷漆的软硬复合板-CN201420378046.2有效
发明人：罗华 -专利权人：昆山圆裕电子科技有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基板刷漆的软硬复合板，包括柔性电路板和覆铜基板，所述柔性电路板的正面和反面分别设有银箔，所述覆铜基板包括与所述柔性电路板正面压合的第一覆铜基板及与所述柔性电路板反面压合的第二覆铜基板，任意一个所述覆铜基板在正对所述银箔的一面印刷有用于隔离所述银箔和所述覆铜基板的油漆层。与现有技术相比，本实用新型设有用于隔离所述银箔和所述覆铜基板的油漆层，所述银箔与所述覆铜基板之间不容易粘连，在撕去覆铜基板废料时，所述银箔不容易被粘除，银箔更完整，提高了产品性能。
板刷软硬复合板

[发明专利]覆铜基板裁切方法-CN200810302247.3有效
发明人：廖道明;陈文村;沈家弘;廖新治;林承贤 -专利权人：富葵精密组件（深圳）有限公司;鸿胜科技股份有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：一种覆铜基板的裁切方法，其包括以下步骤：提供覆铜基板，其具有经向和纬向；对覆铜基板进行排版，并使得排版后的覆铜基板包括长度方向平行于覆铜基板经向的多个第一电路板单元和长度方向平行于覆铜基板纬向的多个第二电路板单元；在第一电路板单元制作第一经纬向识别记号，在第二电路板单元制作第二经纬向识别记号；裁切覆铜基板以得到多个具有第一经纬向识别记号的第一电路板单元和多个具有第二经纬向识别记号的第二电路板单元。所述覆铜基板裁切方法可有效利用覆铜基板面积，大幅提升覆铜基板的利用率。
覆铜基板裁切方法

[实用新型]一种双面塞孔填胶铝基板-CN201720150149.7有效
发明人：江奎;吴国庆 -专利权人：广东创辉鑫材科技有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： F21V23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面塞孔填胶铝基板，其结构包括一层覆铜铝基板和二层覆铜铝基板，所述一层覆铜铝基板连接有二层覆铜铝基板，所述一层覆铜铝基板包括一层基板、一层导热绝缘体、一层覆铜铝基板开孔，所述一层基板连接有一层导热绝缘体，所述一层基板设有一层覆铜铝基板开孔，所述一层导热绝缘体包括一层热绝缘微型芯圈、一层热绝缘芯管、一层热绝缘外围芯圈。一层覆铜铝基板连接有二层覆铜铝基板，采用拼接设计，做到了板体更加牢固，大大提高了生产效率。
一种双面塞孔填胶铝基板

[发明专利]MEMS封装载板叠构及其制作方法-CN202010273802.5有效
发明人：马洪伟;刘浩;宗芯如 -专利权人：江苏普诺威电子股份有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS封装载板叠构及其制作方法，包括以下步骤：准备覆铜基板A和覆铜基板B；对覆铜基板A进行处理，得到单面覆铜基板；对覆铜基板B进行处理，得到具有单面线路的双面覆铜基板Ⅱ；将单面覆铜基板、PP片和双面覆铜基板Ⅱ顺序叠放、对位并压合处理后，形成一为假四层板结构的MEMS封装载板叠构结构。
mems 装载板叠构及其制作方法

[发明专利]用于印刷电路板的导孔的制作方法-CN200610060750.3有效
发明人：李文钦;林承贤 -专利权人：富葵精密组件（深圳）有限公司;鸿胜科技股份有限公司
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供一种用于印刷电路板的导孔的制作方法，其包括如下步骤：提供一表面已布好线路的内层线路板；在该内层线路板的至少一表面顺次增加一次外层覆铜基板及一最外层覆铜基板，每一层覆铜基板分别包括一铜箔层及一基板层，且每一铜箔层皆远离内层线路板；在最外层覆铜基板的铜箔层上预定位置形成最外层铜窗；在最外层覆铜基板形成最外层铜窗后剩余的铜箔区域形成保护层；在最外层覆铜基板的基板层经第一次雷射形成预制孔；在预制孔对应的次外层覆铜基板的铜箔层区域形成次外层铜窗；移除保护层；在次外层铜窗对应的次外层覆铜基板的基板层经第二次雷射形成导孔的基本孔形；及在形成的导孔基本孔形的内壁镀铜，形成所述导孔。
用于印刷电路板制作方法

[发明专利]一种封装结构及封装键合工艺-CN202211465983.7在审
发明人：赖良坤;宋忠孝;钱旦;孟瑜;朱晓东;王永静 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装结构及封装键合工艺，属于半导体技术领域，第一电源转换芯片和第二电源转换芯片非对称设置于上双面覆铜基板和下双面覆铜基板内侧，第一电源转换芯片和第二电源转换芯片的集电极分别与上双面覆铜基板和下双面覆铜基板的内表面焊接，栅极分别与下双面覆铜基板和上双面覆铜基板内表面焊接。铜夹上端上表面和下表面分别与第一电源转换芯片和第二电源转换芯片的发射极焊接，下端与下双面覆铜基板内表面焊接；上引脚和下引脚分别与上双面覆铜基板和下双面覆铜基板内表面焊接，上引脚与第一电源转换芯片的集电极
一种封装结构工艺

[发明专利]一种提高覆铜陶瓷基板邦定性能的方法-CN202110961042.1在审
发明人：陆玉龙;贺贤汉;李炎;周轶靓;马敬伟 -专利权人：江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种提高覆铜陶瓷基板邦定性能的方法，包括以下步骤：步骤一，覆铜陶瓷基板置入插板架内，放入反应腔；步骤二，反应腔抽真空；步骤三，反应腔通氩气以及氢气；步骤四，电极放电形成等离子体，对覆铜陶瓷基板表面进行清洁；步骤五，反应腔充空气；步骤六，取出覆铜陶瓷基板。本专利提供了一种通过等离子气体清洗覆铜陶瓷基板，以提高覆铜陶瓷基板邦定性能的方法；覆铜陶瓷基板表面处理后，铜表面的浸润性显著提高，浸润性提高会导致邦定性能的提高。
一种提高陶瓷基板邦定性能方法

[发明专利]一种双面焊接的功率模块及焊接工艺-CN202110160286.X在审
发明人：凌秋惠 -专利权人：上海道之科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面焊接的功率模块及焊接工艺，所述功率模块主要包括相对设置的第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板，所述第一覆铜陶瓷基板上通过焊料焊接有电阻及可双面焊接的半导体芯片，第一覆铜陶瓷基板的预焊位置上通过焊料焊接有引线框架，所述半导体芯片间、半导体芯片与电阻间及半导体芯片与第一覆铜陶瓷基板间均通过键合线连接；所述第二覆铜陶瓷基板上通过焊料焊接有与第一覆铜陶瓷基板上的半导体芯片位置和数量对应的第一垫高块，且所述第一垫高块的周围开设有全通定位孔以防止其在焊接过程中发生移位；所述半导体芯片背离第一覆铜陶瓷基板的一侧通过焊料与第二覆铜陶瓷基板对应位置上的第一垫高块进行焊接固定。
一种双面焊接功率模块工艺

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