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[发明专利]一种Si3-CN202310646180.X在审
发明人： 黄政仁;张慧慧;吴海波;袁明;姚秀敏;刘学建 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si3N4‑SiC‑Zr2CN复相陶瓷吸波材料及其制备方法。所述Si3N4‑SiC‑Zr2CN复相陶瓷吸波材料包括：Si3N4基体透波相与SiC‑Zr2CN吸波相；其中，所述Si3N4基体透波相的含量为40～70wt％，SiC‑Zr2CN吸波相的含量为30～60wt％，Zr2CN的含量为1～25wt％，优选为2～20wt％。
一种 si base sub

[发明专利]一种ACE2修饰的磁珠及制备方法和在SARS-CoV-2病毒检测中的应用-CN202110751057.5有效
发明人：杨勇;李妍妍;林成龙;彭宇思;黄政仁 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B01J20/281 文献下载
摘要：本发明涉及一种ACE2修饰的磁珠及制备方法和在SARS‑CoV‑2病毒检测中的应用。所述ACE2修饰的磁珠包括：氨基化Fe3O4磁性颗粒，分布在氨基化Fe3O4磁性颗粒表面的金纳米颗粒，以及修饰在氨基化Fe3O4磁性颗粒表面的ACE2。
一种 ace2 修饰制备方法 sars cov 病毒检测中的应用

[发明专利]一种粉末挤出3D打印成型反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法-CN202211260158.3有效
发明人：陈健;李凡凡;黄政仁;黄常聪;祝明 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明涉及一种粉末挤出3D打印成型反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：将碳化硅粉体、炭黑组成的无机粉体，以及表面活性剂进行混合，得到改性粉末；将改性粉末与有机粘结剂混炼均匀，破碎造粒，得到碳化硅混合料；所述碳化硅粉体的质量占无机粉体质量的50‑90wt％，炭黑的质量占无机粉体质量的10‑50wt％；将碳化硅混合料粉末挤出3D打印成型为碳化硅陶瓷生坯；热脱脂，得到碳化硅陶瓷脱脂坯；将碳化硅陶瓷脱脂坯与Si粒按照1：1‑2的质量比混合，进行反应烧结，得到所述粉末挤出3D打印成型反应烧结碳化硅陶瓷。
一种粉末挤出打印成型反应烧结碳化硅陶瓷制备方法

[发明专利]一种SiC/Ti-Si-C复合材料的制备方法-CN202310781151.4在审
发明人：刘岩;赵子燕;刘学建;黄政仁 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C22C1/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC/Ti‑Si‑C复合材料的制备方法。所述SiC/Ti‑Si‑C复合材料的制备方法包括：将Ti‑Si合金粉铺展到SiC/C多孔预制坯体上，经过原位反应熔渗烧结，制备得到所述SiC/Ti‑Si‑C复合材料。
一种 sic ti si 复合材料制备方法

[发明专利]一种含烧结助剂的氮化硅陶瓷先驱体及其制备方法和含烧结助剂的氮化硅陶瓷-CN202310733054.8在审
发明人：李天昊;宋育杰;张健宁;李寅生;何流;黄政仁;黄庆 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，涉及一种含烧结助剂的氮化硅陶瓷先驱体及其制备方法和含烧结助剂的氮化硅陶瓷。所述含烧结助剂的氮化硅陶瓷先驱体的制备方法，包括以下步骤：将金属单质和/或金属盐、卤硅烷单体加入溶剂中，溶解后，加入氨或胺，进行反应；经减压蒸馏提纯，再经交联固化得到含烧结助剂的氮化硅陶瓷先驱体。该方法可根据需要定制化原位生成目标烧结助剂，提高烧结助剂与氮化硅陶瓷的混合均匀度，大大降低了额外添加烧结助剂引发的氧含量提高的问题，为相关产业提供高纯度、高质量的含烧结助剂氮化硅陶瓷原料，具有较高的应用价值。
一种烧结助剂氮化陶瓷先驱及其制备方法

[发明专利]一种硅酸盐橙色复相荧光陶瓷及其制备方法-CN202210240145.3在审
发明人：刘学建;彭星淋;黄政仁;姚秀敏;张延收 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/04 文献下载
摘要：本发明公开一种硅酸盐橙色复相荧光陶瓷及其制备方法。所述硅酸盐橙色复相荧光陶瓷包括氧化镁基质相以及分散在氧化镁基质相中的硅酸盐橙色荧光分散相，所述硅酸盐橙色荧光分散相的含量为20～50wt%；所述氧化镁基质相和硅酸盐橙色荧光分散相不发生化学反应或生成固溶体，并在硅酸盐橙色复相荧光陶瓷中保持各自的物相。和目前报道的荧光陶瓷相比，本发明所述硅酸盐橙色复相荧光陶瓷热导率较高，因此具有优异的热稳定性和高的发光饱和阈值，另外还弥补了市面上橙色荧光陶瓷的不足，可以和黄色或者绿色荧光材料一起封装为光谱补充橙光成分，从而提高显色指数，降低相关色温。
一种硅酸盐橙色荧光陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种基于激光打印与真空-压力辅助原位浸渗树脂预增密的SiC复合材料的制备方法-CN202310681980.5在审
发明人：殷杰;王力;陈晓;黄政仁;刘学建;陈忠明;姚秀敏;孙安乐 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C04B35/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于激光打印与真空‑压力辅助原位浸渗树脂预增密的SiC复合材料的制备方法基。该制备方法包括：(1)将激光3D打印所得多孔Cf/SiC素坯置于有机树脂溶液中，依次经过真空浸渍和压力辅助浸渍后，进行加热固化，得到热固化样品；(2)将所得热固化样品经过脱粘和渗硅处理，得到SiC复合材料。
一种基于激光打印真空压力辅助原位树脂预增密 sic 复合材料制备方法

[发明专利]一种碳化硅复合粉体及其制备方法与应用-CN202211293808.4有效
发明人： 黄政仁;黄龙之;殷杰;刘学建;陈忠明;姚秀敏;孙安乐;魏玉全 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅复合粉体及其制备方法与应用。所述制备方法包括：将碳化硅粉体与粘结剂、分散剂、润湿剂球磨混合均匀，得到碳化硅浆料；喷雾造粒，得到粘结剂均匀包覆的球形造粒粉体；将所述粘结剂均匀包覆的球形造粒粉体进行高温负压脱蜡，使裂解后的无定形碳均匀包覆在碳化硅表面，过筛并按照目标比例进行颗粒级配，得到所述碳化硅复合粉体；所述喷雾造粒的工艺参数为：进口温度135～160℃，出口温度为65～85℃；离心转子转速为1200～3600rpm，抽料速度为65～85rpm。
一种碳化硅复合及其制备方法应用

[发明专利]一种改善用于铺粉式3D打印的碳纤维粉体的流动性的方法-CN202211271927.X有效
发明人：殷杰;顾薛苏;黄政仁;刘学建;陈忠明;郑适宜;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善用于铺粉式3D打印的碳纤维粉体的流动性的方法，属于复合材料表面处理技术领域。所述的一种碳纤维粉体的改性方法为：将预先烘干的碳纤维粉体与气相二氧化硅进行球磨以得到具有二氧化硅包覆膜的改性碳纤维粉体；其中所述气相二氧化硅的比表面积在80～120m2/g，粒径在20～30nm，用量为0.4～2wt％；所述一种碳纤维粉体的改性方法，包括：将气相二氧化硅和聚乙烯吡咯烷酮分散于聚多巴胺溶液，常温水浴搅拌后将碳纤维粉体分散于所述改性液中并加入乙醇，常温水浴搅拌，过滤，清洗，干燥得到具有二氧化硅包覆膜的改性碳纤维粉体。
一种改善用于铺粉式打印碳纤维流动性方法

[发明专利]一种可自交联且硼含量可调的聚硅硼氮烷的制备方法-CN202310630916.4在审
发明人：宋育杰;党炎培;赵泱中;段连泰;李天昊;何流;黄庆;黄政仁 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料技术领域，涉及一种可自交联且硼含量可调的聚硅硼氮烷的制备方法。本发明公开了一种可自交联且硼含量可调的聚硅硼氮烷的制备方法，所述制备方法包括：S1、在装有碳硼烷的反应瓶中充入惰性气体，然后在冰浴环境下往反应瓶内加入反应溶剂并滴加正丁基锂，滴加完毕后进行第一反应；S2、‑40～‑100℃下，将氯硅烷滴入上述充满惰性气体的装有步骤S1的反应产物的反应瓶中，滴加完毕后进行第二反应；S3、去除锂盐，得聚硼硅氮烷的单体；S4、将聚硼硅氮烷的单体氯硅烷，胺类化合物混合，并加入反应溶剂进行三阶段升温反应，得聚硼硅氮烷；S5、将聚硼硅氮烷溶于溶剂中，与催化剂在60～300℃反应2～12小时。
一种交联含量可调聚硅硼氮烷制备方法

[发明专利]一种联用选区激光3D打印/前驱体浸渍热解/液相烧结制备SiC陶瓷的方法-CN202310627039.5在审
发明人：殷杰;王康龙;刘学建;黄政仁;陈忠明;姚秀敏;黄健;孙安乐 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种联用选区激光3D打印/前驱体浸渍热解/液相烧结制备SiC陶瓷的方法，包括：(1)将SiC粉体、液相烧结助剂和粘结剂混合，得到混合粉体；(2)将混合粉体经激光3D打印机成型得到陶瓷素坯，并进行排胶处理；(3)将排胶处理后的陶瓷件浸渍在有机前驱体溶液并取出，再经热固化处理、热解处理，得到陶瓷坯体；(4)在步骤(3)重复1～2次之后，将陶瓷坯体在埋粉中液相烧结，得到所述SiC陶瓷。
一种联用选区激光打印前驱浸渍烧结制备 sic 陶瓷方法

[发明专利]一种高性能碳化硅/炭黑陶瓷素坯的凝胶注模成型方法-CN202310434763.6在审
发明人： 黄政仁;王承宇;陈忠明;刘学建;杨金晶;孙安乐;姚秀敏;刘桂玲;刘雷敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B28C3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高性能碳化硅/炭黑陶瓷素坯的凝胶注模成型方法，包括将海因环氧树脂、分散剂溶解在去离子水中得到预混液；将预混液和炭黑、碳化硅粉体、固化剂、消泡剂混合均匀得到陶瓷浆料；真空除气泡，注模固化，干燥等过程。本发明的技术方案解决了目前碳化硅/炭黑浆料体系粘度大、素坯强度低的问题，制备的碳化硅陶瓷素坯强度大，致密度高并具有足够强度承受机加工，适用于反应烧结制备碳化硅空间反射镜和光刻机用碳化硅方镜等大尺寸复杂结构碳化硅陶瓷结构件。
一种性能碳化硅炭黑陶瓷凝胶成型方法

[发明专利]一种磁电耦合陶瓷吸波材料及其制备方法-CN202310654301.5在审
发明人： 黄政仁;张慧慧;吴海波;袁明;姚秀敏;刘学建 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁电耦合陶瓷吸波材料及其制备方法。所述磁电耦合陶瓷吸波材料包含透波相Si3N4、介电损耗相SiC和磁损耗相FeSix组成；其中1/3≤x≤2。
一种磁电耦合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种凝胶注模成型和干燥方法-CN202310435217.4在审
发明人：陈忠明;王承宇;黄政仁;刘学建;杨金晶;孙安乐;姚秀敏;刘桂玲;刘雷敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B28B13/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种凝胶注模成型和干燥方法，通过制备模具及湿坯、准备液体干燥环境后，将带有模具的湿坯置于液体干燥环境中，使模具溶解于干燥溶剂中实现消失模并且湿坯中的水被干燥剂吸收实现液体干燥。本发明的技术方案将液体干燥过程与3D打印模具的消失过程同步进行，解决了目前凝胶注模成型复杂结构碳化硅陶瓷过程中的模具设计复杂、模具制备周期长、脱模困难和干燥过程易开裂变形的问题。
一种凝胶成型干燥方法

[发明专利]一种氮化硅先驱体的制备方法-CN202210144138.3有效
发明人：李天昊;宋育杰;何流;黄庆;黄政仁 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料领域，具体涉及一种氮化硅先驱体的制备方法。该氮化硅先驱体的制备方法包括如下步骤：将三甲基硅基取代的有机胺化合物、卤硅烷在真空、惰性气体条件下先初反应，然后减压蒸馏分离得到三甲基硅基取代胺卤硅烷；在惰性气体条件下将溶剂加入反应器中，依次加入三甲基硅基取代胺卤硅烷、有机胺，搅拌混合、升温反应、蒸馏得聚合物；将聚合物在惰性气体条件下加热进行交联固化得氮化硅先驱体。本发明采用三甲基硅基取代的胺卤硅烷为反应单体制备先驱体聚硅氮烷，保证先驱体的化学稳定性，热解过程中又容易脱落，降低氮化硅产品的硅元素占比和碳元素含量，使产品为低碳氧含量的高纯度近化学计量比的氮化硅陶瓷。
一种氮化先驱制备方法

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