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[发明专利]一种氮化硅陶瓷刀具及其制备方法和应用-CN202011625532.6在审
发明人：伍尚华;邹文劲;杨平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本申请属于陶瓷材料的技术领域，尤其涉及一种氮化硅陶瓷刀具及其制备方法和应用，本申请提供的氮化硅陶瓷刀具的制备方法，通过光固化含氮化硅粉体的陶瓷浆料，可制备带有高精度的圆弧刀刃、断屑槽、表面花纹等复杂形状的氮化硅陶瓷刀具，减小了切削阻力，提高了切削效率；通过在氮化硅粉体中掺杂烧结助剂，能有效提高氮化硅陶瓷的断裂韧性和强度，本申请提供的氮化硅陶瓷刀具及其制备方法和应用，能有效解决现有技术中无法制备带有用于提高切削效率的高精度的断屑槽、表面花纹结构的氮化硅陶瓷刀具以及氮化硅陶瓷刀具制备成本高、使用寿命短的技术问题。
一种氮化陶瓷刀具及其制备方法应用

[发明专利]一种高强度、耐高温、抗热冲击的氮化硅陶瓷热刀及其制备方法和应用-CN201811323488.6在审
发明人：曾宇平;梁汉琴;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B35/76 文献下载
摘要：本发明涉及一种高强度、耐高温、抗热冲击的氮化硅陶瓷热刀及其制备方法和应用，所述氮化硅陶瓷热刀包括氮化硅陶瓷基体、内嵌于所述氮化硅陶瓷基体中的电热丝、以及用于连接电热丝的导线，氮化硅陶瓷热刀通过导线与电源连接
氮化硅陶瓷热刀氮化硅陶瓷基体制备方法和应用抗热冲击电热丝耐高温电源连接内嵌

[发明专利]光固化氮化硅陶瓷浆料-CN201810394047.9在审
发明人：刘耀 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C04B35/587 文献下载
摘要：本发明提供了光固化氮化硅陶瓷浆料，属于氮化硅陶瓷技术领域。本发明提供的光固化氮化硅陶瓷浆料包括以下重量份数的组分：改性氮化硅粉末100份，预聚体60～68份，活性稀释剂30～35份，光引发剂1～6份；所述改性氮化硅粉末由氮化硅粉末、醇溶剂和偶联剂按照质量比30本发明在光固化氮化硅陶瓷浆料中加入了一定量的预聚体水性UV聚氨酯丙烯酸酯，降低了浆料的粘性，再结合改性氮化硅粉末等物质，得到均匀、分散性好的光固化氮化硅陶瓷浆料，分散性好的氮化硅浆料在光固化成型时，成型过程稳定，使得的氮化硅陶瓷具有稳定的性能。
氮化硅陶瓷浆料光固化氮化硅粉末预聚体聚氨酯丙烯酸酯氮化硅陶瓷分散性好改性氮化硅浆料光固化成型活性稀释剂成型过程光引发剂结合改性重量份数醇溶剂偶联剂质量比浆料

[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法-CN201910908744.6有效
发明人：叶枫;金义程;叶健;张标;刘强;高晔 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域，更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ，所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ；可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接，连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长，
一种多孔氮化陶瓷连接方法

[发明专利]一种氮化硅基陶瓷焊接密封元器件及其制备方法-CN202110746310.8有效
发明人：曹建平;曹建辉;刘平 -专利权人：湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅基陶瓷焊接密封元器件及其制备方法，涉及金属化陶瓷加工技术领域。本发明公开的氮化硅基陶瓷焊接密封元器件，包括氮化硅陶瓷基体和金属化层，其中氮化硅陶瓷基体用改性氮化硅、莫来石纤维、氮化铝、氧化钙、氧化钛、粘结剂和分散剂原料，经改性氮化硅制备、混料、造粒、一次烧结和二次烧结等步骤而制成；金属化层原料包括铜粉、钨粉、氧化铜、氧化钇、氧化锌和有机结合剂，并公开了用金属化层和氮化硅陶瓷基体组成的氮化硅基陶瓷焊接密封元器件的制备方法。本发明提供的氮化硅基陶瓷焊接密封元器件，提高了氮化硅陶瓷基体的致密度，具有优异的强度、硬度和断裂韧性，增大了密封件的抗拉强度，具有优异的耐高温性能。
一种氮化陶瓷焊接密封元器件及其制备方法

[实用新型]氮化硅陶瓷浸入式加热管-CN201620557899.1有效
发明人：徐涛 -专利权人：辽宁伊菲科技股份有限公司;无锡龙山科技有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H05B3/44 文献下载
摘要：本实用新型提供的是氮化硅陶瓷浸入式加热管。在管状具有一端封口的氮化硅陶瓷管开口端固定有法兰密封填料，在氮化硅陶瓷管内装有法兰电阻丝，氮化硅陶瓷管内法兰电阻丝周围充填有氮化硅颗粒填充体，在氮化硅陶瓷开口端设有安装卡口，在氮化硅陶瓷管根部填充有锥形密封填料由于本实用新型采用氮化硅陶瓷作为铠装外层，所以绝缘性好，导热率高，抗热震性能好，发热均匀，加热效率好。适宜作为铝液铸造炉的加热管应用。
氮化陶瓷浸入热管

[发明专利]一种氮化硅陶瓷金属化材料及其制备方法与应用-CN201210303971.4有效
发明人：胡铁武 -专利权人：冷水江市明玉陶瓷工具有限责任公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：一种氮化硅陶瓷金属化材料及其制备方法与应用，该材料包括以下重量百分配比的组分：Cr:12～21％；Fe:8～15%；Ti:10～26％；Mo:3～10%；Co:13～20％；Al:0～3%；Ni:0.5～3%；Si:0.1～3%；B:0.1～2%；C:0.1～5%；氮化硅陶瓷粉:13～21％；所述各组分配比之和为100%。本发明还包括所述氮化硅陶瓷金属化材料的制备方法与应用。利用本发明之氮化硅陶瓷金属化材料制成的氮化硅陶瓷金属化层与氮化硅陶瓷润湿好，形成牢固的界面结合，能在700～750℃的环境下长期使用，有效解决了氮化硅陶瓷之间、氮化硅陶瓷与金属之间的封接问题。
一种氮化陶瓷金属化材料及其制备方法应用

[实用新型]一种氮化硅生产切割固定装置-CN202122116654.9有效
发明人：杨军 -专利权人：天津市瓦克新能源科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅生产切割固定装置，包括工作台，工作台上设有竖直向下的升降板，以及滑动设有用于放置氮化硅陶瓷基板且与升降板正面相接触的放置板，放置板的顶端设有竖直向上且与升降板相平行的固定板，固定板上设有多个用于顶紧氮化硅陶瓷基板的顶紧件，顶紧件包括螺纹连接在固定板上的螺纹杆，螺纹杆的一端经轴承设有用于将氮化硅陶瓷基板顶紧到升降板上的顶紧板；本实用新型便于对氮化硅陶瓷基板进行固定，只需要使得氮化硅陶瓷基板放置在放置板上并使氮化硅陶瓷基板的端部靠在定位挡板上，可以快速对氮化硅陶瓷基板进行定位，提高了氮化硅陶瓷基板的定位固定效率，也就提高了氮化硅陶瓷基板的切割效率。
一种氮化生产切割固定装置

[发明专利]一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法-CN201910763884.9有效
发明人：杨大胜;施纯锡 -专利权人：福建华清电子材料科技有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料制备技术领域，提供一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法，解决现有技术氮化硅陶瓷热导率不高的问题。所述氮化硅陶瓷包括：氮化硅60～90份、碳化硅8～12份、稀土氯化物3～5份、氟化镱0.2～1份、氮化锆0.5～2份、分散剂5～10份。本发明添加稀土氯化物在不额外引入氧的情况下，提高了氮化硅粉体的烧结活性，实现氮化硅陶瓷的致密化；氟化镱可以促进Si和N的扩散，且与氮化硅晶格内的氧杂质反应，从而有效地降低氮化硅晶格溶解氧含量，提高氮化硅热导率；氮化锆中的锆离子对氧具有很强的亲和力，可以吸收部分晶格内的氧杂质。稀土氯化物、氟化镱及氮化锆相互配合，还可以增加氮化硅晶粒的尺寸，排出氧杂质。
一种高热氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种可增强氮化硅陶瓷抑菌性能的方法及应用-CN202010108407.1在审
发明人：袁莉娟;左飞;罗锐鑫;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种可增强氮化硅陶瓷抑菌性能的方法及应用。该方法创造性的采用碱性的氢氧化钠对氮化硅陶瓷进行改性处理，可以显著增加氮化硅陶瓷表面的粗糙程度，改变氮化硅陶瓷表面的形貌特征，有利于抑制细菌黏附，显著减小样品表面生物被膜，达到增强氮化硅陶瓷抑菌性的效果
一种增强氮化陶瓷性能方法应用

[发明专利]一种致密化氮化硅陶瓷材料的制备方法-CN201310471305.6有效
发明人：张辉;吕毅;王涛;余娟丽;余悠然;张天翔;赵英民;裴雨辰 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提出一种致密化氮化硅陶瓷材料的制备方法，通过对氮化硅陶瓷粉体进行表面修饰、制备陶瓷料浆、注浆、固化脱模、干燥和烧结得到致密化氮化硅陶瓷材料。本发明对氮化硅陶瓷粉体进行表面修饰，可制得高固含量的浆料，通过注浆工艺，实现氮化硅颗粒的密堆积，再通过烧结制备得到高致密的氮化硅陶瓷材料，整个生产过程及设备简单、无须加压，且生产成本低、效率高。
一种致密氮化陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种氮化硅材料的表面改性方法和生物陶瓷材料-CN202010165813.1有效
发明人：袁莉娟;左飞;罗锐鑫;何福坡;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅陶瓷技术领域，尤其涉及一种氮化硅材料的表面改性方法和生物陶瓷材料。本发明公开了一种氮化硅材料的表面改性方法，包括以下步骤：将氮化硅陶瓷置于碱性溶液中反应。本发明通过使用碱性溶剂对氮化硅陶瓷的表面进行腐蚀，除去氮化硅表面的氧化层和晶界，使其表面具有微纳结构，且未破坏氮化硅的稳定性。该表面改性方法提高了氮化硅陶瓷材料表面的生物活性，从而无需使用涂层对其表面进行处理。该氮化硅材料可以作为生物材料，用于细胞的培养，可以优化和改善细胞的黏附、增殖和分化的能力。
一种氮化材料表面改性方法生物陶瓷材料

[发明专利]一种氮化硅导电陶瓷及其制备方法-CN202010817985.2在审
发明人：于利学;李正闯;李平齐 -专利权人：威海圆环先进陶瓷股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅导电陶瓷及其制备方法，该氮化硅导电陶瓷由以下质量百分比的原料制备而成，包括氮化硅陶瓷粉体65‑90%、氧化镁2‑6%、氧化钇1‑5%、碳化钛0.5‑3%、氮化钛5‑10%、高纯碳1该氮化硅导电陶瓷以氮化硅陶瓷粉体为基体原料，再与其它助剂进行复配，通过脱脂脱胶、烧结的步骤制备成具有良好导电性能的氮化硅陶瓷材料，该材料在保持了陶瓷固有的优良性能的基础上，便于对其采用放电方法进行加工，本发明所述制备方法简单，原料易得，赋予氮化硅陶瓷优良的导电性能，扩大了氮化硅陶瓷的使用范围，因此，本发明所述制备方法具有重要的意义。
一种氮化导电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷表面NaA分子筛膜及其制备方法-CN202111600702.X在审
发明人：曾宇平;胡译丹;左开慧;夏咏锋;尹金伟;姚冬旭;梁汉琴 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔氮化硅陶瓷表面NaA分子筛膜及其制备方法。所述多孔氮化硅陶瓷表面NaA分子筛膜的制备方法包括：（1）对多孔氮化硅陶瓷进行预烧结处理，得到多孔氮化硅陶瓷支撑体；（2）将多孔氮化硅陶瓷支撑体进行热处理，然后浸渍到分散均匀的NaA分子筛晶种悬浮液中，再经烘干，得到表面涂有NaA分子筛晶种的多孔氮化硅陶瓷支撑体；（3）将表面涂有NaA分子筛晶种的多孔氮化硅陶瓷支撑体竖直放置于含有铝源、硅源、碱源和水的NaA分子筛膜合成液中，进行水热处理，再经清洗和干燥，在多孔氮化硅表面制备得到NaA分子筛膜。
一种多孔氮化陶瓷表面 naa 分子筛及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷浆料和多孔氮化硅陶瓷的制备方法-CN201710882516.7有效
发明人：伍尚华;黄容基;蒋强国;伍海东;吴子薇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本申请属于3D打印技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷浆料和多孔氮化硅陶瓷的制备方法。本发明所提供的氮化硅陶瓷浆料包括：聚氮硅烷液体30份、氮化硅粉体14.5～83份、烧结助剂2.5～9份、光固化树脂7～40份、光引发剂0.2～0.6份和分散剂0～0.9份。本发明还提供了一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法，包括：将上述氮化硅陶瓷浆料依次进行光固化成型、脱脂、烧结。采用本发明方案得到的多孔氮化硅陶瓷气孔率和气孔大小可控，气孔均匀排布，尺寸精度高，成型效率高，制备工艺简单优化，可促进多孔氮化硅陶瓷在医疗、化工、电子等领域的应用。
一种氮化陶瓷浆料多孔制备方法