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[发明专利]一种相变存储器、制作方法及存储器系统-CN202310863863.0在审
发明人：周凌珺;杨红心;匡睿;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种相变存储器、制作方法及存储器系统。其中，相变存储器包括第一导电线、第二导电线及第一导电线和第二导电线之间的第一相变存储单元；第一导电线和第二导电线平行于同一平面且相互垂直；第一相变存储单元与第一导电线和第二导电线均垂直并且第一相变存储单元包括：依次层叠的第一电极层、第一选通层、第二电极层、第一相变存储层、第三电极层；第一相变存储单元还包括以下至少之一：层叠在第一电极层前的第一漏电势垒层、层叠在第二电极层与第一相变存储层之间的第二漏电势垒层及层叠在第三电极层后的第三漏电势垒层；第一漏电势垒层、第二漏电势垒层及第三漏电势垒层用于降低第一选通层被开启时形成的瞬态涌入电流。
一种相变存储器制作方法系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法和三维存储结构-CN202310850670.1在审
发明人：周凌珺;杨红心;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法和三维存储结构，其中，半导体结构包括：存储结构、开关结构、第一电极、第二电极和钝化层；存储结构，通过第一电极连接至开关结构；开关结构，通过第二电极连接至对应的位线或字线；在开关结构导通时，开关结构将对应的位线或字线连接至存储结构；其中，第二电极、开关结构、第一电极和存储结构沿第一方向依次设置；第一电极和/或第二电极的侧壁被钝化层包围。这样，第一电极和第二电极的侧壁上形成了钝化层，从而，能够避免半导体结构的导通区域集中于第一电极和第二电极的侧壁，进一步提高半导体结构的耐久性。
半导体结构及其形成方法三维存储

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202310615743.9在审
发明人：王海玲;杨红心;周凌珺;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：第一导电线，第一导电线沿第一方向延伸，第二导电线，第二导电线沿第二方向延伸，其中，第一方向和第二方向平行于同一平面且相互交叉。位于第一导电线和第二导电线之间的相变存储单元，相变存储单元至少包括从下至上分布的选通层及存储层；其中，存储层包括相变层及缓冲层，缓冲层的材料包括硫属化物。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种三维存储器及散热管道的形成方法-CN202110266545.7有效
发明人： 杨红心;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种三维存储器及散热管道的形成方法，其中，所述三维存储器包括：衬底；多个堆栈结构，所述多个堆栈结构沿第一方向依次形成于所述衬底之上，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；至少一条散热管道，所述至少一条散热管道位于每一堆栈结构中每相邻的两个所述存储块之间，且每一条所述散热管道中填充有散热剂。
一种三维存储器散热管道形成方法

[发明专利]一种三维相变存储器的制备方法及三维相变存储器-CN202110390849.4有效
发明人：刘峻;杨红心;田宝毅;高王荣 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种三维相变存储器的制备方法，包括：提供半导体结构；采用一道刻蚀工艺，在所述半导体结构上形成第一接触件沟槽和第一对准标记沟槽；生长相变存储堆叠材料层，形成位于所述第一接触件沟槽中的第一接触件和位于所述第一对准标记沟槽上方的凹陷，所述凹陷为第一对准标记。
一种三维相变存储器制备方法

[发明专利]相变存储器及其制备方法-CN202110198358.X有效
发明人：杨艳娟;刘峻;杨红心 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括：多个并列排列的相变存储单元，位于衬底上；电绝缘的隔离结构，位于相邻的所述相变存储单元之间，用于电隔离相邻的所述相变存储单元；其中，所述隔离结构的组成材料包括陶瓷。
相变存储器及其制备方法

[发明专利]相变存储器-CN202210798628.5在审
发明人：周凌珺;杨红心;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种相变存储器，包括：相变存储阵列，包括分别沿第一方向和第二方向并列排布的多个相变存储单元，第一方向与第二方向相交；预设位置，位于相变存储阵列沿第一方向的第一边缘与相变存储阵列沿第二方向的第二边缘的交汇处；多条沿第一方向延伸的字线和多条沿第二方向延伸的位线；多个字线接触单元，与多条字线电连接，沿第二方向，相对远离预设位置的字线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的字线接触单元的尺寸；和/或，多个位线接触单元，与多条位线电连接，沿第一方向，相对远离预设位置的位线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的位线接触单元的尺寸。
相变存储器

[发明专利]一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器-CN202210503057.8在审
发明人： 杨红心;周凌珺;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器。所述超晶格结构包括层叠设置的多个重复单元，每个所述重复单元包括：第一相变层和第二相变层；所述第一相变层具有第一掺杂浓度，所述第二相变层具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于或等于0；至少一个掺杂层，位于所述第一相变层和所述第二相变层之间；所述掺杂层的材料包括所述第一相变层的材料和/或所述第二相变层的材料；其中，所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度，且所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
一种晶格结构及其制备方法相变存储器

[发明专利]一种相变存储器及其制备方法-CN202210638962.4在审
发明人： 杨红心;周凌珺;李沙沙;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请提供一种相变存储器及其制备方法，所述方法包括：形成选通层以及与所述选通层串联的相变存储层；所述选通层包括第一子层和第二子层；其中，所述第一子层的元素选自第一类元素集中至少一种选通层元素，所述第二子层的元素选自第二类元素集中至少一种选通层元素；所述第一类元素集中各个选通层元素的迁移率小于所述第二类元素集中各个选通层元素的迁移率。本申请提供的方法中，形成包括第一子层和第二子层的选通层，使得第一子层中各个元素的迁移率小于第二子层中各个元素的迁移率，利用第一子层和第二子层之间的界面效应，缓解由于材料扩散引发的局部分相甚至结晶，以提高选通层的高温稳定性，从而提高相变存储器的高温稳定性。
一种相变存储器及其制备方法

[发明专利]相变材料层结构及其制备方法和相变存储器-CN202210355441.8在审
发明人：刘峻;杨红心;周凌珺 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变材料层结构及其制备方法和相变存储器。所述相变材料层结构应用于相变存储器；所述相变材料层结构包括：第一材料层，所述第一材料层的材料为GeTe；第二材料层，所述第二材料层的材料至少包括Ga元素和Sb元素；所述第一材料层与所述第二材料层交替堆叠。
相变材料结构及其制备方法存储器

[发明专利]相变存储材料、相变存储器及其制备方法-CN202210590318.4在审
发明人：周凌珺;杨红心;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种相变存储材料、相变存储器及其制备方法，所述相变存储材料包括Ga、Sb和Te元素，其中，Ga的含量为x mol％，且0＜x≤50，Sb的含量为y mol％，且20≤y≤90，Te的含量为(100‑x‑y)mol％。
相变存储材料存储器及其制备方法

[发明专利]相变存储器及其制备方法-CN202210590403.0在审
发明人：周凌珺;杨红心;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括：沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线、相变存储单元和第二导电线，所述第一导电线沿第二方向延伸，所述第二导电线沿第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直；所述相变存储单元包括相变存储层，所述相变存储层的组成材质包括A‑Ga‑Sb‑Te材料，其中，A的含量为a mol％，且0＜a≤20，Ga的含量为b mol％，且0＜b≤50，Sb的含量为c mol％，且20≤c≤90，Te的含量为(100‑a‑b‑c)mol％；所述A元素用于调控所述相变存储单元的循环能力。
相变存储器及其制备方法

[发明专利]相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法-CN202210554553.6在审
发明人： 杨红心;周凌珺;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法，其中，所述相变材料包括：第一掺杂元素、第二掺杂元素以及相变本体材料；其中，所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素均能够与所述相变本体材料中的元素形成化学键；所述形成的化学键的键能大于所述相变本体材料中元素间的化学键的键能；所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素属于元素周期表中不同族的元素。本发明实施例能够提高相变材料的非晶态热稳定性和数据保持力，从而提升相变存储器的电学性能。
相变材料及其制造方法存储器

[发明专利]相变材料、相变存储器、及制备方法-CN202210558687.5在审
发明人： 杨红心;周凌珺;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变材料、相变存储器、及制备方法。所述相变材料应用于相变存储器；所述相变材料包括：第一元素和第二元素；其中，所述相变材料应用于制造相变存储器的过程中所述第一元素的损耗大于所述第二元素；所述相变材料中的第一元素的组分大于预设组分；其中，所述第一元素大于所述预设组分的部分用于补充损耗的所述第一元素。
相变材料存储器制备方法

[发明专利]半导体器件及形成方法-CN202210317157.1在审
发明人： 杨红心;周凌珺;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件及形成方法，其中，半导体器件包括：沿第一方向延伸的位线驱动和沿第二方向延伸的字线驱动；第一方向与第二方向互相垂直；多条位线，位于字线驱动两侧，且与字线驱动平行；其中，多条位线在第一方向上间隔排布，且在第一方向上，靠近字线驱动的位线的尺寸参数小于远离字线驱动的位线的尺寸参数；多条字线，位于位线驱动两侧，且与位线驱动平行；其中，多条字线在第二方向上间隔排布，且在第二方向上，靠近位线驱动的字线的尺寸参数小于远离位线驱动的字线的尺寸参数；多个存储单元叠层，分别位于所述字线与相应的所述位线的交叉处，分别与所述字线和相应的所述位线连接。
半导体器件形成方法

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