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[发明专利]一种稳定制备针米状纳米氧化钨的方法-CN202310653397.3有效
发明人：徐国钻;张欣;张龙辉 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明属于钨冶炼技术领域，具体涉及一种稳定制备针米状纳米氧化钨的方法，取钨酸盐溶液、盐酸、硝酸备用，将备用的钨酸盐溶液通过滴加方式加入备用的盐酸中，在产生钨酸后立即滴加硝酸，滴加过程中进行搅拌，滴加完成后过滤洗涤，过滤洗涤后的钨酸焙烧过筛后得纳米氧化钨，通过在制备过程的滴加步骤中加入控制物质，并对加入量进行精确控制，不仅所得产品的纯度可以达到高纯标准（纳米氧化钨的纯度≥99.99%），也可以形貌可控的制备针米状纳米氧化钨（针米状纳米氧化钨在纳米氧化钨中的占比≥80%），产业化前景广阔。
一种稳定制备针米状纳米氧化钨方法

[发明专利]一种层状三氧化钨光电极材料及其制备方法-CN201910462266.0在审
发明人：冯苗;彭湃;陈小宇 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状三氧化钨光电极材料及其制备方法，属于无机光电材料领域的技术。该方法采用溶剂热法在导电玻璃FTO上生长三氧化钨薄膜，得到基片，再将基片进行退火处理制得层状三氧化钨光电极。具体做法是以钨源为原料，水与乙醇的混合溶液作为溶剂，在搅拌的条件下向其中加入双氧水、盐酸和草酸。以FTO基底为载体，通过溶剂热法在FTO基底上生长三氧化钨晶体，再经煅烧得到层状三氧化钨薄膜。此制备方法简单易行，重复性好，三氧化钨能均匀的生长在FTO表面。所制备的层状三氧化钨具有多层结构，使得光电极与电解液有足够大的接触面积，有效提高了电荷传输效率，促进光生电荷的分离，从而提高了三氧化钨的光电化学性能。
三氧化钨制备三氧化钨薄膜光电极材料溶剂热法光电极基底生长双氧水电荷传输效率光电材料领域光电化学性能草酸导电玻璃多层结构光生电荷混合溶液退火处理电解液溶剂乙醇钨源盐酸煅烧

[实用新型]高钼钨矿石中三氧化钼和/或三氧化钨含量的测定系统-CN201320346127.X有效
发明人：梁玉兰;彭玲;赵志坚;阙威红;曾文琼 -专利权人：江西稀有金属钨业控股集团有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：一种高钼钨矿石中三氧化钼和/或三氧化钨含量的测定系统，其三氧化钼和/或三氧化钨合量产生装置设有钨酸与钼酸溶解装置和滤液蒸干灼烧装置，钨酸与钼酸溶解装置与钨酸与钼酸容纳空间连通，滤液蒸干灼烧装置与滤液容纳空间连通；三氧化钨测定装置包括残渣灰化熔融反馈器、滤液反馈器、过氧化钠输入器、和三氧化钨输出器，钨酸与钼酸容纳空间通过残渣灰化熔融反馈器与高钼钨矿石的溶解装置连通，过氧化钠输入器与残渣灰化熔融反馈器连通，滤液容纳空间通过滤液反馈器与高钼钨矿石的溶解装置连通，高钼钨矿石的溶解装置通过三氧化钨产出装置与三氧化钨输出器连通。本实用新型简便、准确、稳定地测定高钼钨矿石中三氧化钼和/或三氧化钨的含量。
高钼钨矿石氧化钼氧化钨含量测定系统

[发明专利]一种镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极及其制备方法-CN202310229763.2在审
发明人：刘冀锴;周谷雨;代娜;胡勇 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开一种镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极及其制备方法。以掺氟氧化锡导电玻璃为基底，通过水热法在导电玻璃上生长三氧化钨种子层，将种子层进一步水热生长镍掺杂的三氧化钨纳米片，将镍掺杂的三氧化钨浸渍到氟化铵溶液中，制得镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极。所述镍掺杂和表面氟化共改性于三氧化钨纳米片的内部及表面，显著提升了三氧化钨光阳极的光电化学性能。可应用于光电催化分解水、光电催化降解污染物以及构建光电化学传感器等领域。
一种掺杂表面氟化改性氧化钨阳极及其制备方法

[发明专利]一种亚化学计量氧化钨的制备方法-CN201711143881.2在审
发明人：许群;陈军;张崇民 -专利权人：郑州大学
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明属于亚化学计量的氧化钨制备技术领域，具体公开一种亚化学计量氧化钨的制备方法。以质量比计，将本体三氧化钨∶硼氢化钠≤1∶0.5混合均匀，之后在惰性气氛下300~400℃煅烧60~90 min；将煅烧产物加水离心洗涤；将洗涤后的沉淀分散于乙醇中，烘干，即得亚化学计量氧化钨。本发明制备亚化学计量氧化钨的方法比利用氢气还原法制备亚化学计量氧化钨的成本更为低廉，简单易行，原料易得，安全系数高，有很好的应用前景。
一种化学计量氧化钨制备方法

[发明专利]氧化钨阻变存储器的制备方法-CN201110344324.3有效
发明人：唐立文;郁新举;陈昊瑜;陈广龙;陈华伦;袁苑 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨阻变存储器的制备方法，在形成氧化钨阻变存储单元后，包括步骤：在氧化钨阻变存储单元的顶部表面和侧面形成氮硅化合物牺牲层；进行回蚀刻处理，在氧化钨阻变存储单元的侧面形成侧壁阻挡层；形成顶层金属层本发明能消除顶层金属层和氧化钨阻变存储单元的底部的金属层间的漏电通路，从而能提高氧化钨阻变存储器的擦写操作窗口及可靠度。
氧化钨存储器制备方法

[发明专利]一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法-CN201410158153.9有效
发明人：李洁;陈启元;侯武娇;杨亚辉;李文章 -专利权人：中南大学
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法，该方法是将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液，再依次在所得钨酸盐溶液中加入盐酸和固体杂多酸，搅拌至无沉淀产生，形成前驱体混合液；在所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂，以FTO基底为载体，通过水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体后，将沉积了三氧化钨的FTO基底进行煅烧，在FTO基底上制得三氧化钨薄膜；制备方法过程简单、操作便捷，制备的三氧化钨薄膜形貌良好、由单斜相三氧化钨纳米片构成
一种光电性能氧化钨薄膜制备方法

[发明专利]掺杂氧化钨靶材及其制备方法-CN201910683562.3有效
发明人：孟政;余刚;代强;汪洪 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明是关于一种掺杂氧化钨靶材及其制备方法，其制备方法包括：将氧化钨活化并粉磨,得到活化氧化钨；将掺杂氧化物活化并粉磨，得到活化掺杂氧化物，其中，所述掺杂氧化物为钛、镍、钽、铼、铱、钼、铌、硅、锡、锌、锆和锗中一种或多种组成的氧化物；将所述的活化氧化钨和活化掺杂氧化物混合均匀，压制，得到坯体；将所述的坯体烧结，得到掺杂氧化钨靶材；其中，所述的活化氧化钨与活化掺杂氧化物的粒度比与摩尔比的关系式如下：本发明通过建立粒度与摩尔比之间的关系，得到成分均匀、致密度高的电致变色用掺杂氧化钨靶材；掺杂氧化钨靶材具有一定的导电性，可使用直流或中频电源。
掺杂氧化钨及其制备方法

[发明专利]一种负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨/硫正极材料及其制备方法-CN202110836426.0有效
发明人：晏南富;游胜勇;崔红敏;石劲松;翁雅青;柳跃伟 -专利权人：江西省科学院应用化学研究所
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨/硫正极材料，由负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨/硫复合材料、导电剂和粘结剂，按照质量比(6～8):(1～3):1混合而成，所述负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨/硫复合材料为由负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨与硫混合熔融而成。所述负载多稀土氧化物的核壳结构的球型碳包覆氧化钨由负载多稀土盐的核壳结构的球型碳包覆氧化钨煅烧而成。所述核壳结构的球型碳包覆氧化钨由球型聚合物包覆的磷钨酸铵高温煅烧得到。本发明利用多种稀土氧化物、氧化钨与碳的协同作用为硫正极材料的充放电循环过程提供稳定的结构特性。
一种负载稀土氧化物结构球型碳包覆氧化钨正极材料及其制备方法

[发明专利]掺杂氧化钨纳米材料及其制备方法和无机空穴传输材料-CN201910763111.0有效
发明人：何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于平板显示技术领域，具体涉及掺杂氧化钨纳米材料及其制备方法和无机空穴传输材料。本发明所提供的掺杂氧化钨纳米材料，为镁、铝共掺杂的p型氧化钨晶体。上述掺杂氧化钨纳米材料的制备方法，包括以下步骤：提供钨盐、镁盐、铝盐和醇，将钨盐、镁盐和铝盐溶解在醇中，制备盐溶液；提供碱液，将碱液与盐溶液进行加热处理，制备前驱体溶液；将前驱体溶液进行固液分离处理，获得掺杂氧化钨纳米材料经实验检测，本发明提供的掺杂氧化钨纳米材料在费米能级处形成了杂质能级，同时具备金属性和半导体性，显示出p型掺杂的性质，在作为空穴传输材料时其导电性能优于氧化钨。
掺杂氧化钨纳米材料及其制备方法无机空穴传输

[发明专利]氧化镍钨靶材及其制备方法-CN201910683264.4有效
发明人：孟政;余刚;代强;汪洪 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明是关于一种氧化镍钨靶材及其制备方法，其制备方法包括：将氧化镍粉磨,得到氧化镍颗粒；将氧化钨活化后粉磨，得到活化氧化钨颗粒；将所述的氧化镍颗粒和活化氧化钨颗粒混合均匀，压制，得到坯体；将所述的坯体烧结，得到氧化镍钨靶材；其中，所述的氧化镍颗粒与活化氧化钨颗粒的粒度比大于所述的氧化镍颗粒与活化氧化钨颗粒的摩尔比的1/3次方再乘以0.7。本发明通过建立粒度与摩尔比之间的关系，得到成分均匀、致密度高的电致变色用氧化镍钨靶材；氧化镍钨靶材具有一定的导电性，可使用直流或中频电源。
氧化镍钨靶材及其制备方法

[发明专利]一种氧化钨量子点电致变色电极的制备方法-CN201910625433.9有效
发明人：高彦峰;姚勇吉;赵起 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化钨量子点电致变色电极的制备方法，包括：将氧化钨量子点的多元醇溶液置于透析袋中，随后放入水中进行透析2～10小时获得氧化钨量子点的透析液；以及将透明导电基底预热至80～120℃，将氧化钨量子点的透析液涂覆在所述透明导电基底上获得所述氧化钨量子点电致变色电极本发明制备方法不需要任何的后续处理过程，无需后续进行高温退火处理，获得的氧化钨量子点电致变色电极保留了氧化钨量子点的形貌和尺寸，保留了量子点的表面效应和小尺寸效应，增强了电致变色电极电化学反应活性，具有优异的电致变色性能
一种氧化钨量子点电致变色电极制备方法

[发明专利]铜/介孔三氧化钨复合催化剂及其制备方法和应用-CN202010210463.6有效
发明人：胡天军;岳志珠;贾建峰;王瀛;林星五 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜/介孔三氧化钨复合催化剂，所述铜/介孔三氧化钨复合催化剂包括介孔三氧化钨以及负载于所述介孔三氧化钨上的铜，所述铜/介孔三氧化钨复合催化剂中所述铜的重量百分数为0.1wt％～3.0wt％上述铜/介孔三氧化钨复合催化剂，具有丰富的介孔，铜均匀分布在三氧化钨的表面，颗粒粒径较小，用于催化时催化效果好，特别是在应用于催化苄胺自身偶联生成亚胺的催化过程中，能够使反应时间短、反应条件温和，且具有优良的转化率
介孔三氧化钨复合催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种可作锂离子电池负极的三氧化钨/二氧化钨复合材料及其制备方法-CN201710272073.X在审
发明人：曹丽云;李妍;黄剑锋;冯亮亮;李嘉胤;吴建鹏;赵肖肖 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种可作锂离子电池负极的三氧化钨/二氧化钨复合材料及其制备方法，先将柠檬酸溶液和钨源溶液混合均匀，得到混合溶液A，混合溶液A中柠檬酸和钨源的摩尔比为(1～4)1；调节混合溶液A的pH值在1～3，在160～200℃进行均相水热反应；均相水热反应结束后冷却至室温，分离出产物并洗涤干燥，得到可作锂离子电池负极的三氧化钨/二氧化钨复合材料。本发明将具有较高的理论容量但循环性能差的三氧化钨和理论容量较低的二氧化钨复合，利用二氧化钨的金属导电性，解决三氧化钨在循环过程中存在较大的体积变化的问题；提高比容量，减小循环过程中的体积变化，提高WO3
一种锂离子电池负极氧化钨复合材料及其制备方法

[发明专利]一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法-CN201110162483.1有效
发明人：刘岗;谢英鹏;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及三氧化钨晶体领域，具体为一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，通过湿化学过程以硼化钨为前驱体水热生长晶面暴露比例不同三氧化钨晶体，能够解决针对不同的反应体系提供具有不同的氧化还原能力的三氧化钨光催化剂的问题将前驱体装入有硝酸水溶液的反应釜中，经加热处理，可得到{002}晶面占优的三氧化钨晶体。将前驱体装入有氢氟酸水溶液或氢氟酸乙醇溶液或氢氟酸水、乙醇混合溶液的反应釜中，经加热处理，可得到氢钨青铜立方晶体，氢钨青铜晶体经空气中热处理，可得到{002}、{200}、{020}晶面比例相等的三氧化钨晶体从而，制备出具有规则形貌的、晶面比例不同的、具有很好光解水产氧能力的三氧化钨晶体。
一种氧化钨晶体可控生长制备方法