“介孔三”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7276930个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]介孔模板剂及其制备方法、三维介孔石墨烯及其制备方法、储能材料和电池-CN201910205053.X在审
发明人：曹雅琴;高学森;刘芳芳;康守国;张建祥;李金来 -专利权人：新奥石墨烯技术有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开一种介孔模板剂及其制备方法、三维介孔石墨烯及其制备方法、储能材料和电池，涉及储能技术领域，以促进三维石墨烯的孔道有效性和离子存储能力，从而提高电解液的扩散和离子传输效率。所述介孔模板剂为金属氧化物颗粒，所述金属氧化物颗粒具有纳米介孔，所述金属氧化物颗粒的比表面积为50m²·g^‑1～200m²·g^{所述三维介孔石墨烯为三维介孔石墨烯颗粒，所述三维介孔石墨烯颗粒具有纳米介孔，所述三维介孔石墨烯颗粒的比表面积为100m²·g^‑1～2000m^{2介孔模板剂及其制备方法、三维介孔石墨烯及其制备方法、储能材料和电池用于储能中。}}
石墨烯三维介孔制备介孔模板剂金属氧化物颗粒储能材料纳米介孔电池储能离子传输效率离子存储电解液孔道三维扩散

[发明专利]介孔碳修饰电极检测三聚氰胺的方法-CN201410008733.X有效
发明人：郭卓;黄国庆;徐显峰;王泽宇 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G01N27/48 文献下载
摘要：介孔碳修饰电极检测三聚氰胺的方法，涉及一种检测三聚氰胺的方法，所述方法以介孔碳为修饰剂，将介孔碳涂覆在玻碳电极表面，制得介孔碳修饰电极，然后将修饰电极放入含有三聚氰胺的三氯乙酸溶液中检测；本发明以介孔碳为修饰剂，把介孔碳分散在乙醇中，将此介孔碳悬浮液与Nafion粘合剂混合，超声分散均匀后将其滴涂在玻碳电极表明制成介孔碳修饰电极，晾干后备用，然后将修饰电极放入含有三聚氰胺的三氯乙酸溶液中，对于三聚氰胺，介孔碳修饰电极具有比碳纳米管修饰电极和裸电极更强的电催化作用，其电化学灵敏性也更高，对三聚氰胺有明显的响应。
介孔碳修饰电极检测三聚方法

[发明专利]一种三价铁改性介孔碳及其制备方法和应用-CN201611048329.0有效
发明人：沈浩;杨浩;季方才;姚鹏;滕堃;张荣东 -专利权人：南通四建集团有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种三价铁改性介孔碳及其制备方法和应用，所述三价铁改性介孔碳是以有序介孔碳为载体，三价铁通过浸渍法负载在所述有序介孔碳的表面和孔道中得到所述的三价铁改性介孔碳，制备过程简单，操作简单，成本低廉；本发明所述三价铁改性介孔碳具有较好的亲水性，较大的比表面积和孔体积，分散性好不易团聚，不易堵塞孔道，骨架结构稳定性强，将所述三价铁改性介孔碳用于对水体中的硫化物进行吸附脱除处理时，脱除率高，吸附速率快
一种三价铁改性介孔碳及其制备方法应用

[发明专利]羧基化三维有序介孔碳-溶菌酶复合材料及其制备方法和应用-CN201510687008.4有效
发明人：汤琳;王敬敬;曾光明;周耀渝;汤晶;邓垚成 -专利权人：湖南大学
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C12N11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种羧基化三维有序介孔碳‑溶菌酶复合材料及其制备方法和应用，羧基化三维有序介孔碳‑溶菌酶复合材料以羧基化三维有序介孔碳为载体，溶菌酶通过共价交联在羧基化三维有序介孔碳上。其制备方法为：将羧基化三维有序介孔碳与交联剂反应，然后与溶菌酶振荡反应，得到羧基化三维有序介孔碳‑溶菌酶复合材料。本发明的羧基化三维有序介孔碳‑溶菌酶复合材料负载量大、固定酶活性更高、稳定性好，且可重复利用，可应用于去除水中病原体。
羧基三维有序介孔碳溶菌酶复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种实现芯片间直接互连的封装基板结构及其制作方法-CN202310240744.X在审
发明人：郑毛荣;丁才华 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现芯片间直接互连的封装基板结构，包括：基板；第一介质层；第一芯片，芯片的正面朝上埋入设置在第一介质层中，第一芯片具有第一焊盘和尺寸大于第一焊盘的第二焊盘；第二介质层；第一金属通孔，其贯穿第二介质层，并与第二焊盘电连接；第二金属通孔，其贯穿第二介质层和第一介质层，并与基板焊盘电连接；第三介质层；第三金属通孔，其贯穿第三介质层和第二介质层，并与第一焊盘电连接；第四金属通孔，其贯穿第三介质层，并与第二金属通孔电连接；其中第三金属通孔和第四金属通孔的顶面以及第三介质层的上表面均设置有焊盘；以及第二芯片，其通过凸点倒装焊接在第三金属通孔顶面的焊盘和第三介质层上表面的焊盘上。
一种实现芯片直接互连封装板结及其制作方法

[发明专利]铜/介孔三氧化钨复合催化剂及其制备方法和应用-CN202010210463.6有效
发明人：胡天军;岳志珠;贾建峰;王瀛;林星五 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜/介孔三氧化钨复合催化剂，所述铜/介孔三氧化钨复合催化剂包括介孔三氧化钨以及负载于所述介孔三氧化钨上的铜，所述铜/介孔三氧化钨复合催化剂中所述铜的重量百分数为0.1wt％～3.0wt％上述铜/介孔三氧化钨复合催化剂，具有丰富的介孔，铜均匀分布在三氧化钨的表面，颗粒粒径较小，用于催化时催化效果好，特别是在应用于催化苄胺自身偶联生成亚胺的催化过程中，能够使反应时间短、反应条件温和，且具有优良的转化率
介孔三氧化钨复合催化剂及其制备方法应用

[发明专利]接触孔的制作方法-CN201210451655.1有效
发明人：张瑜;黄君;盖晨光 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层、第二介质层、第三介质层；进行刻蚀工艺，在所述第一介质层、第二介质层和第三介质层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出半导体衬底；去除所述第三介质层；在所述第二介质层上形成第四介质层，所述第四介质层填充所述第一接触孔；形成贯穿所述第四介质层、第二介质层和第一介质层的第二接触孔，所述第二接触孔露出半导体衬底；去除所述第四介质层。本发明提高了接触孔的制作工艺的稳定性。
接触制作方法

[发明专利]一种利用硬模板制备高比表面积三维介孔活性氧化铝的方法-CN200810116503.X无效
发明人：戴洪兴;张磊;邓积光;何洪;訾学红 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：一种利用硬模板制备高比表面积三维介孔活性氧化铝的方法属于固体介孔材料制备技术领域。现有介孔活性氧化铝存在孔道结构不发达，比表面积小等问题。本发明所提供的方法是以正硅酸乙酯为原料，三嵌段共聚物EO₁₀₆PO₇₀EO₁₀₆和十六烷基三甲基溴化铵为软模板剂，通过水热反应合成出不同形貌的三维介孔SBA－16，再以三维介孔SBA－16为硬模板，蔗糖为碳源，制备三维介孔碳；最后以三维介孔碳为硬模板，硝酸铝为铝源，无水乙醇为溶剂，在超声波辐射下，通过多次浸渍、灼烧过程合成高比表面积三维介孔活性氧化铝本发明方法具有成本低，操作简便，所制备的三维介孔活性氧化铝孔径分布窄，比表面积大等优点。
一种利用模板制备表面积三维活性氧化铝方法

[发明专利]介孔三氧化二铟/还原氧化石墨烯复合光催化剂的制备-CN201310709326.7无效
发明人：吉宏 -专利权人：海安县吉程机械有限公司
申请日： 2013-12-21 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B01J23/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种介孔三氧化二铟/还原氧化石墨烯复合光催化剂的制备方法：1）介孔三氧化二铟的制备；2）氧化石墨烯的制备；3）介孔三氧化二铟/还原氧化石墨烯复合物的制备。本发明所制备的介孔三氧化二铟具有规则的介孔孔道结构、较大的比表面积和较好的晶型。介孔三氧化二铟与还原氧化石墨烯的复合能够有效抑制光生电子-空穴对的复合机率，提高三氧化二铟的光催化降解有机污染物的性能。
介孔三氧化还原石墨复合光催化剂制备

[发明专利]用于移动电信单元的多层螺旋天线-CN99125537.2无效
发明人：金种圭;朴寅植;徐哠硕 -专利权人：电子部品研究院
申请日： 1999-12-01 - 公布日： 2000-06-21 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：多层螺旋天线包括有中心孔的第一介质片;多个第二介质片,除一个仅有开始孔,其余还设结束孔,各有开口圆形金属物和中心孔,仅有开始孔的介质片的金属物从开始孔延至自由端,其余延至结束孔;多个第三介质片,设辅助孔和中心孔第一介质片在上,后是仅有开始孔的第二介质片,后是第三及第二介质片交替,第三介质片在下,辅助孔充导电物,通过开始和结束孔连接金属物,形成螺旋,鞭状天线沿其中心轴滑动,形成多层。
用于移动电信单元多层螺旋天线

[发明专利]介孔-α-三氧化二铁/掺氮还原石墨烯高效复合光催化剂的制备方法-CN201610225843.0有效
发明人：黄徽;周君;周杰;何晓春;田野 -专利权人：南通职业大学
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种介孔α‑三氧化二铁/氮掺杂还原石墨烯高效复合光催化剂的制备方法：1)介孔α‑三氧化二铁的制备；2)介孔α‑三氧化二铁/氮掺杂还原石墨烯高效可见光光催化剂的制备。本发明通过对石墨烯的改性(氮掺杂石墨烯)与介孔α‑三氧化二铁的高效复合，既能有效地提高介孔α‑三氧化二铁光催化剂在可见光条件下的电子快速跃迁，又能进一步提高介孔α‑三氧化二铁/氮掺杂还原石墨烯复合物的光降解效率介孔α‑三氧化二铁/氮掺杂还原石墨烯光催化剂可以有效地降解对硝基苯酚，是一种绿色环保型的光催化剂。
介孔氧化还原石墨高效复合光催化剂制备方法

[发明专利]一种三维集成电路结构的制作方法和三维集成电路结构-CN201210261929.0有效
发明人：凌龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维集成电路结构的制作方法和三维集成电路结构。该方法包括：提供基底；在基底上形成第一芯片介电层，在第一芯片介电层中形成第一芯片凹槽，在第一芯片凹槽中嵌入第一芯片；在第一芯片介电层上形成第一通孔介电层，在第一通孔介电层内形成第一导电通孔和第一导电沟槽；在第一通孔介电层上形成第二芯片介电层，在第二芯片介电层中形成第二芯片凹槽，在第二芯片凹槽中嵌入第二芯片；在第二芯片介电层上形成第二通孔介电层，在第二通孔介电层内形成第二导电通孔、在第二芯片介电层和第二通孔介电层内形成第三导电通孔，在第二通孔介电层内形成第二导电沟槽。该制作方法能够降低三维集成电路结构的制作成本。
一种三维集成电路结构制作方法

[发明专利]一种超顺磁四氧化三铁复合磁性介孔材料的制备方法-CN201410794471.4有效
发明人：张仁超 -专利权人：张仁超
申请日： 2014-12-20 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C01G49/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种超顺磁四氧化三铁复合磁性介孔材料的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）制备四氧化三铁纳米颗粒，（2）制备氧化钛包覆的四氧化三铁纳米颗粒，（3）将上述氧化钛包覆的四氧化三铁纳米颗粒包埋于介孔硅中本发明制备的磁性介孔材料，采用氧化钛包覆四氧化三铁作为磁性颗粒材料，来提高介孔材料超顺磁性能，并采用特定的工艺将磁性颗粒材料包埋于二氧化硅介孔材料中，形成具有高磁性纳米颗粒材料密度的介孔材料。因而使得本发明的介孔材料具有较高的比饱和磁化强度和较好的超顺磁性能。
一种超顺磁四氧化复合磁性材料制备方法

[发明专利]一种包含氧化锌包覆四氧化三铁磁性介孔材料的制备方法-CN201410795114.X有效
发明人：徐文萍 -专利权人：徐文萍
申请日： 2014-12-20 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含氧化锌包覆四氧化三铁磁性介孔材料的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）制备四氧化三铁纳米颗粒，（2）制备氧化锌包覆的四氧化三铁磁性纳米颗粒，（3）将上述氧化锌包覆四氧化三铁磁性纳米颗粒包埋于介孔硅中本发明制备的磁性介孔材料，采用氧化锌包覆四氧化三铁作为磁性颗粒材料，来提高介孔材料抗磁饱和性能，并采用特定的工艺将磁性颗粒材料包埋于二氧化硅介孔材料中，形成具有高磁性纳米颗粒材料密度的介孔材料。因而使得本发明的介孔材料具有较高的比饱和磁化强度。
一种包含氧化锌包覆四氧化铁磁性材料制备方法

[发明专利]一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺-CN202310098165.6在审
发明人：滕晓东;郑博宇;刘振 -专利权人：长沙安牧泉智能科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，涉及电子封装领域，在转接板本体上设置中部盲孔及侧部盲孔，各盲孔内填充导电材料，在转接板本体的上表面设置有第一介电层，蚀刻第一介电层，并在各盲孔的周围形成第一介电支撑；在第一介电支撑的间隙内设置第一导电层，并在中部盲孔处形成中部焊盘；在第一介电层和第一导电层的上方设置有第二介电层，蚀刻第二介电层形成第二介电支撑和第三介电支撑，第二介电支撑覆盖于中部焊盘；在第二介电支撑和/或第三介电支撑的间隙内设置第二导电层；在第二介电层和第二导电层上方设置有第三介电层，对第三介电层进行蚀刻，使得第二导电层裸露，在第二导电层裸露处设置第三导电层形成侧部焊盘。
一种用于尺寸互连凹槽转接制备工艺

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条