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[发明专利]基于过渡金属离子掺杂氧化钨的二氧化碳热催化剂及其制备方法和应用-CN202010965997.X在审
发明人：潘荣雄;唐群委 -专利权人：青岛亿恩方能源环保科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明提供了基于过渡金属离子掺杂氧化钨的二氧化碳热催化剂及其制备方法和应用，具体是将过渡金属离子混入氧化钨前驱体乙醇溶液中，通过高温高压反应一步制备过渡金属离子掺杂氧化钨的二氧化碳热催化剂。本发明充分利用氧化钨独特的空穴传输特性，通过高温高压反应，实现过渡金属离子掺杂氧化钨催化剂的制备。本发明通过掺杂过渡金属离子增加氧空穴浓度和催化剂表面的活性位点浓度，提高了催化剂对二氧化碳热还原反应的催化活性，同时具有制备方法简单、成本低廉、过渡金属离子组合空间大等特点，是一种提高热催化剂催化活性的通用方式
基于过渡金属离子掺杂氧化钨二氧化碳催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种基于氧化钨的柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201610343743.8在审
发明人：马廷丽;王开;史彦涛;翁韬 -专利权人：大连理工大学;营口奥匹维特新能源科技有限公司
申请日： 2016-05-21 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氧化钨的柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。包括：具有预设电路布置的柔性衬底、设置在所述柔性衬底上的氧化钨电子提取层、设置在所述氧化钨电子提取层上的有机‑无机钙钛矿层、设置在所述有机‑无机钙钛矿层上的空穴传输层以及设置在所述空穴传输层之上的金属背电极层本发明采用氧化钨作为电子提取层，不仅导电性能好、电池性能优、整体稳定性强，而且采用所述基于氧化钨的柔性钙钛矿太阳能电池之制备方法操作简单，减少了电池的制备时间和能源消耗，更加突显出这一绿色能源的独特优势
一种基于氧化钨柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]具有高光催化活性的纳米银负载三氧化钨的制备方法-CN201010613908.1无效
发明人：向群;马文杰;孟桂芳;张源;钱群;李辉;徐甲强 -专利权人：上海大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： B01J23/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高光催化活性的纳米银负载三氧化钨的制备方法，属无机光催化剂制备工艺技术领域。本发明的特点是以一种新方法制备得到三氧化钨纳米片为基体，通过紫外光还原法，将纳米银均匀负载于三氧化钨纳米片上，然后在湿润状态下加以一定温度下的焙烧，得到新型光催化剂纳米银负载三氧化钨，从而达到提高氧化钨光催化活性的目的
具有光催化活性纳米负载氧化钨制备方法

[发明专利]一种氧化钨半导体电池及其制备方法-CN201010616885.X无效
发明人：付敏恭;杜国平;朱为英 -专利权人：南昌大学
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种氧化钨半导体电池及其制备方法，以氧化钨为原料，加入导电剂、活化剂、添加剂和有机聚合物成膜剂制成氧化钨半导体电池浆料，并以不同功函数的两种金属箔为正负电极，正负电极粘贴在塑料底片的同一水平面上，然后将氧化钨半导体电池浆料注入电极表面本发明的氧化钨半导体电池具有：（1）半导体化学效应。即在不同功函数金属两个电极间产生电子输运；（2）光电效应。电池在太阳光照下，电池的电流有比较明显的增加；（3）热电效应。
一种氧化钨半导体电池及其制备方法

[发明专利]一种片状银镍钨电触头材料的制备方法-CN201410840582.4无效
发明人：张天锦;黄锡文;王振宇;李波 -专利权人：桂林电器科学研究院有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种片状银镍钨电触头材料的制备方法，具体为：按照所需要制备的银镍钨电触头的材料配比计算所需的三氧化钨粉、镍粉和硝酸银的用量，并计算氢氧化钠的用量，称取备用；取硝酸银配成20～40w/w％的硝酸银溶液，将三氧化钨粉和硝酸银溶液混合均匀，得到悬浮液；取氢氧化钠配成10～30w/w％的氢氧化钠溶液，加入到上述悬浮液中搅拌反应，有沉淀生成，过滤，得到氧化银和三氧化钨的复合粉末；该复合粉末水洗至中性，干燥、焙烧，所得银氧化钨复合粉与镍粉混粉，得到的银镍氧化钨混合粉经油压成型、还原，得到的银镍钨坯块再进行复压、复烧，即得到片状银镍钨电触头材料。
一种片状银镍钨电触头材料制备方法

[发明专利]一种片状或铆钉型银钨电触头材料的制备方法-CN201410840368.9无效
发明人：张天锦;黄锡文;肖光;章杰;冯朋飞;黄兴隆 -专利权人：桂林电器科学研究院有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种片状或铆钉型银钨电触头材料的制备方法，具体为：按照所需要制备的银钨电触头的材料配比分别计算所需的三氧化钨粉和硝酸银的用量，并计算氢氧化钠的用量，称取备用；取硝酸银配成20～40w/w％的硝酸银溶液，将三氧化钨粉和硝酸银溶液混合均匀，得到含硝酸银和三氧化钨的悬浮液；取氢氧化钠配成10～30w/w％的氢氧化钠溶液，加入到上述悬浮液中搅拌反应，有沉淀生成，过滤，得到氧化银和三氧化钨的复合粉末；所得复合粉末水洗至中性，干燥、焙烧，所得银氧化钨复合粉等静压成型、然后进行还原，所得银钨坯锭在还原气氛保护下经热挤压加工成带材或线材、再经机加工，即得片状或铆钉型银钨电触头材料。
一种片状铆钉型银钨电触头材料制备方法

[发明专利]用于去除含钨膜的系统和方法-CN202180033873.0在审
发明人：崔振江;R·P·雷迪;王安川 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：基板可限定氧化钨的暴露区域。接触可产生氟氧化钨材料。方法可包括：使蚀刻剂前驱物流动至处理区域中。方法可包括：使氟氧化钨材料接触蚀刻剂前驱物。方法可包括：去除氟氧化钨材料。
用于去除含钨膜系统方法

[发明专利]以氧化钨粒子作为核的光催化体和使用了该光催化体的光催化构件-CN201980002634.1有效
发明人：佐野昌隆;草刈重树 -专利权人：株式会社赛勒芙特
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B01J35/02 文献下载
摘要：本发明提供可采用室内照度进行充分的光催化反应的以氧化钨粒子作为核的光催化体和使用了该光催化体的光催化构件。以氧化钨粒子作为核的光催化体，其特征在于，在氧化钨粒子的表面负载有金属粒子和纳米碳粒子。另外，光催化构件使用了上述任一个的以氧化钨粒子作为核的光催化体。
氧化钨粒子作为光催化使用构件

[发明专利]一种单层水合三氧化钨纳米片及其制备方法-CN201710702469.3有效
发明人：方岩雄;刘金成;肖业鹏 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单层水合三氧化钨纳米片，所提供水合三氧化钨纳米片厚度大大降低，为单层纳米片，且结晶度好，形貌均匀。本发明还提供了该单层水合三氧化钨纳米片的制备方法，其制备过程简单易行，对设备要求低，便于规模化生产。
三氧化钨纳米片水合单层制备形貌单层纳米片规模化生产制备过程对设备结晶度

[发明专利]一种氧化钨基电阻型存储器的制备方法-CN201110221553.6有效
发明人：林殷茵;刘易 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于电阻型存储器技术领域，涉及一种与标准逻辑工艺兼容的氧化钨基电阻型存储器的制备方法，其包括步骤：构图刻蚀所述上电极材料层以在存储阵列部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质层之上形成上电极；其中，设置所述上电极材料层的刻蚀工艺条件以使逻辑部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质在所述刻蚀步骤的过刻蚀过程中去除该方法无需增加额外掩膜版即可形成氧化钨基存储介质层，可省去一次光刻步骤，简化工艺流程，节省制造成本。
一种氧化钨电阻存储器制备方法

[发明专利]合成氧化钨纳米颗粒的方法-CN201980082915.2在审
发明人： S·利马热;C·韦尔西尼;L-D·考夫曼;V·埃尔卡策米 -专利权人：吉尼斯油墨股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明涉及氧化钨纳米颗粒的合成方法，并且涉及根据所要求保护的合成方法可获得的氧化钨纳米颗粒。
合成氧化钨纳米颗粒方法

[发明专利]一种金属钨量子点的制备方法-CN201710914387.5有效
发明人：罗坚义;唐秀凤;黄景诚;廖慧珍;胡晓燕;郑国祥 -专利权人：五邑大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属钨量子点的制备方法，该制备方法包括以下步骤：将氧化钨纳米结构置于有惰性气体保护的缺氧环境中或者还原气氛中进行高温退火处理，通过调节高温退火处理的时间，使氧化钨纳米结构表面生长出金属钨量子点，然后分离氧化钨纳米结构与金属钨量子点，得到金属钨量子点。本发明所述的制备方法具有工艺步骤简易，原料单一，制备条件易于实现，制得的金属钨量子点的粒径可控等优点。
一种金属量子制备方法

[发明专利]负载金属的三氧化钨基纳米异质结材料的原位合成方法-CN202110337833.7有效
发明人：赵勤;倪雪薇;熊秋阁;吴雨薇;郭虞敏;王婧虹;杨文娟;吴淑澄 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B01J23/652 文献下载
摘要：本发明提供一种负载金属的三氧化钨基纳米异质结材料的原位合成方法，包括如下步骤：步骤1：制备表层含有还原性的氧空位和五价钨的蓝色氧化钨；步骤2：利用蓝色氧化钨自身的还原性在其表面原位生长金属纳米粒子，得到负载金属的三氧化钨基纳米异质结复合材料本发明原位生长合成出的复合材料有紧密结合的异质结界面，电子传递效率高，可调控能带，促进电荷分离和转移，解决三氧化钨光生电子与空穴复合率高及自身导带电势低的问题，大大提高材料的光催化活性和稳定性，可广泛应用于光催化制太阳能燃料和光催化降解污染物等领域
负载金属氧化钨纳米异质结材料原位合成方法

[发明专利]用于室温工作的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法-CN201510718189.2在审
发明人：胡明;王自帅;王毅斐;刘相承;袁琳 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于室温工作的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法，包括清洗陶瓷片基底，在陶瓷片基底上制备铂的叉指电极，制备溶剂热反应溶液，溶剂热法制备氧化钨纳米棒结构气敏传感器，清洗溶剂热反应后氧化铝基底，氧化钨纳米棒结构气敏传感器元件的热处理的步骤。本发明提供了一种可低成本制备氧化钨纳米片结构气敏传感器的方法。溶剂热法操作较为简单，所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。提供了一种可室温探测极低浓度(可达0.1ppm)氮氧化物气体，具有高灵敏度、快速响应/恢复的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法，具有重要的实践和研究意义。
用于室温工作氧化钨纳米结构传感器制备方法

[发明专利]一种碱金属钨青铜薄膜的制备方法-CN201611257611.X在审
发明人：金平实;辛云川;包山虎;李荣;曹逊 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种碱金属钨青铜薄膜的制备方法，在含碱金属玻璃表面沉积亚化学计量比的氧化钨薄膜后，于非氧化性气氛或真空环境中在350‑750℃退火，得到所述碱金属钨青铜薄膜；所述含碱金属玻璃为包含有Na或/和本发明通过在普通碱金属玻璃表面直接沉积亚化学计量比的氧化钨薄膜，后在大气或真空环境下高温退火。利用热扩散效应，玻璃中的钠（钾）元素进入氧化钨层，形成钠（钾）钨青铜。
钨青铜碱金属碱金属玻璃薄膜亚化学计量比氧化钨薄膜真空环境制备退火非氧化性气氛热扩散效应玻璃表面沉积高温退火氧化钨层直接沉积