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[发明专利]用于室温的多孔硅基氧化钨复合结构气敏元件的制备方法-CN201510044250.X在审
发明人：胡明;魏玉龙;袁琳;张玮祎;王登峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明结合有序多孔硅可室温检测氮氧化物的优势，公开了一种结构新颖、制作工艺简单的用于室温的多孔硅基氧化钨复合结构气敏元件的制备方法，采用水热法将有序多孔硅与一维氧化钨纳米结构复合形成新的复合结构气敏材料，其具有巨大的比表面积和较大的表面活性，可提供大量的吸附位置和扩散通道，从而克服了基于一维氧化钨纳米结构气敏材料工作温度较高的缺陷，制备出一种可在室温条件下有效检测氮氧化物的多孔硅基氧化钨复合结构气敏传感器元件
用于室温多孔氧化钨复合结构元件制备方法

[发明专利]一种以石墨烯为衬底的钛沉积氧化钨吸附材料的制备方法-CN201910058843.X在审
发明人：张琴琴;蒲俊文;杨展;陈志兵;韩小帅 -专利权人：北京林业大学
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：一种以石墨烯为衬底的钛沉积氧化钨吸附材料及其制备方法,利用3‑氨基丙基三甲氧基硅烷制备得到氨功能化氧化石墨烯溶液；以钛酸四丁酯为钛源制备得到的钛沉积氧化钨的分散液；将分散好的氨功能化氧化石墨烯溶液加入到钛沉积氧化钨的分散液中，超声分散30min，并继续搅拌1h；静置24h后真空抽滤，并用乙醇和水洗涤数次；最后将产物放在烘箱中60℃的条件下，干燥20h，制得以石墨烯为衬底的钛沉积氧化钨吸附材料。
氧化钨钛沉积制备吸附材料石墨烯衬底功能化氧化石墨氨基丙基三甲氧基硅烷烘箱钛酸四丁酯超声分散分散液中真空抽滤分散液水洗涤乙醇钛源并用

[发明专利]一种用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法-CN201180034010.1无效
发明人：细木康弘 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，包括以下步骤：在溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理的步骤；和使得到的研磨颗粒的分散体和氧气或臭氧接触；和一种铜离子改性氧化钨光催化剂，其通过在溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理和然后使得到的研磨颗粒的分散体和氧化气体接触生产，其中通过干燥和氧化气体接触后的分散体得到的光催化剂粉末在700nm的波长下测量时具有75%或更高的漫反射率
一种用于生产离子改性氧化钨光催化剂散体方法

[发明专利]一种中颗粒钨粉的制备方法-CN201811250518.5在审
发明人：盛银梅;杜承功 -专利权人：株洲硬质合金集团有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种中颗粒钨粉的制备方法，属于硬质合金研究领域，包括以下步骤：1)向氧化钨粉末中加入碱性溶液，混合均匀，得到预处理后的氧化钨；2)将预处理后的氧化钨进行装舟，扒平，然后在物料表面喷洒碱性溶液，得到喷洒碱液的氧化钨；3)将喷洒碱液的氧化钨进行氢气还原，获得中颗粒钨粉。利用了还原过程中钨粉长大影响因素‑水蒸汽和氢气分压影响，通过掺入Na元素来改善水氢平衡，使上下层还原速度接近来保证粉末均匀性；本发明中颗粒钨粉的制备方法，加入碱性溶液过程操作简单，制备出钨粉Na元素完全挥发，无残留，可在传统碳化钨生产线上实现批量生产
中颗粒钨粉制备氧化钨碱性溶液喷洒预处理碱液钨粉硬质合金氧化钨粉末过程操作还原过程氢气分压氢气还原生产过程物料表面影响因素质量稳定均匀性上下层水蒸汽碳化钨无残留掺入挥发可控水氢还原合格率平衡保证生产研究

[发明专利]一种氮掺杂碳包覆氧化钨纳米线复合材料及其制备方法与应用-CN201910351056.4在审
发明人：吕存财;王淑芳;李亚光 -专利权人：河北大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮掺杂碳包覆氧化钨纳米线复合材料及其制备方法与应用，所述氮掺杂碳包覆氧化钨纳米线复合材料是首先采用水热合成法在基底上负载水合氧化钨纳米线前驱体，然后将水合氧化钨纳米线前驱体在焙烧炉中于惰性气氛下进行高温退火本发明制备工艺流程简单，操作容易，成本低，不使用易燃易爆的气体，且所得复合材料中的氮掺杂碳均匀包覆在氧化钨纳米线表面，碳层厚度可控，催化性能提高，稳定性强，对于工业电解水催化剂的发展具有大规模应用的潜力
氧化钨纳米线复合材料氮掺杂碳包覆制备纳米线前驱体水合氧化钨高温退火焙烧炉大规模应用水热合成法催化性能高温热解厚度可控均匀包覆稳定性强易燃易爆工艺流程电解水有机物基底碳层催化剂应用引入

[发明专利]一种磷酸银/三氧化钨核壳纳米光催化复合材料的制备方法及应用-CN202010986521.4在审
发明人：李冬升;商显耀;袁月;葛恒茹;唐华 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B01J27/188 文献下载
摘要：本发明属于光催化技术领域，涉及一种磷酸银/三氧化钨核壳纳米光催化复合材料的制备方法及应用。制备方法为：三氧化钨溶液中加入硝酸银溶液，避光搅拌，得到溶液C；向溶液C中逐滴加入磷酸氢二钠溶液，继续避光搅拌，随后进行离心，并在真空状态下干燥，得到磷酸银/三氧化钨核壳纳米光催化复合材料，用于在可见光条件下降解罗丹明所述复合材料中三氧化钨完全包裹着圆球状的磷酸银颗粒，直径为150～300nm；三氧化钨和磷酸银紧密接触，提高了表面接触面积，有利于电子和空穴的分离。降解效果好，回收循环利用率高，样品稳定性好。
一种磷酸氧化钨纳米光催化复合材料制备方法应用

[发明专利]一种三氧化钨-二硫化钼型复合光催化剂及其制备方法和应用-CN201910899243.6在审
发明人：白慧;白斌;白冰;马蒙蒙;黄伟 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种三氧化钨‑二硫化钼型复合光催化剂及其制备方法和应用。本发明提供的三氧化钨‑二硫化钼型复合光催化剂，包括二硫化钼基体和负载在所述二硫化钼基体表面的三氧化钨量子点。在本发明中，二硫化钼和三氧化钨均为窄带隙半导体，使得光催化剂能在可见光激发下产生光生电子空穴对；三氧化钨量子点能够吸收可见光并产生光生电子，通过将其负载到二硫化钼基体表面，使其与二硫化钼形成异质结构，提高了载流子的分离效率
一种氧化钨二硫化钼复合光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种三氧化钨针状纳米棒检测三乙胺的方法-CN201911086753.8在审
发明人：冯亮;胡琪 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种针状纳米棒的三氧化钨检测三乙胺的方法。本方法以三氧化钨为传感器，该传感器的传感原理是利用三氧化钨与三乙胺之间的电子传递引起的电阻变化与三乙胺的浓度在一定范围内成正比例关系。三氧化钨具有均一稳定的针状纳米棒形貌，较大的比表面积，促进了气体的吸附与脱附。本发明的基于三氧化钨针状纳米棒的三乙胺传感器具有高灵敏度、高选择性，重复性强、稳定性好的优点，大大降低了传感器使用过程中的功耗，提高了传感器使用的便携性，对于本技术领域具有重要的实践和研究价值。
一种氧化钨针状纳米检测乙胺方法

[发明专利]一种纳米三氧化钨的制备方法及得到的纳米三氧化钨-CN202211556771.X在审
发明人：孙旭冬;熊良斌;张绍安;谢锐浩 -专利权人：广州宏武材料科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米三氧化钨的制备方法，包括以下步骤，将钨矿配置成溶液，加入到酸溶液中，反应沉淀过滤后，将固体烘干焙烧，粉碎，得到纳米三氧化钨。并且通过将接触器皿的内壁进行涂层和内衬，避免铁元素的引入，可以进一步优化三氧化钨的纯度，减少结垢现象，提高粉体质量。制备得到的三氧化钨杂质含量低，尤其对于铁杂质的含量非常低；制备的三氧化钨为淡黄色颗粒，颜色均匀，无黑色夹杂粉末，手感测试无颗粒状，不结块，纯度和产品状态良好。
一种纳米氧化钨制备方法得到

[发明专利]一种二次煅烧氧化钨及其制备方法和应用-CN202211333586.4在审
发明人：钟毓斌;阳立庚;姜立国;颜练武;蔡海燕 -专利权人：南昌硬质合金有限责任公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B01J6/00 文献下载
摘要：本发明属于无机材料制备技术领域，具体涉及一种二次煅烧氧化钨及其制备方法和应用，该制备方法包括：一次煅烧：将APT原料以100‑500g/min的给料速度加入到倾斜角度为5‑6°的工业回转窑中煅烧，得到一次煅烧氧化钨；二次煅烧；将一次煅烧氧化钨以800‑1000g/min的给料速度加入到倾斜角度为2‑3°的工业回转窑中煅烧，得到二次煅烧氧化钨。本发明制备方法使用的设备简单，原料易得，易于工业化生产，通过控制进料速率、回转窑倾斜角度、转速以及煅烧温度，得到的氧化钨粒度细、松装比窄、筛分性能稳定，可应用于超细晶棒材、石油催化剂、光催化剂材料中。
一种二次煅烧氧化钨及其制备方法应用

[发明专利]光致变色聚酯、聚酯纤维及制备方法-CN202110719038.4在审
发明人：史利梅;王栋;周琼;王雯雯;刘传生;赵青华;陈海燕 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石化仪征化纤有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：该光致变色聚酯由改性三氧化钨通过双官能团化合物接枝于聚酯分子上，其中，所述改性三氧化钨由三氧化钨经酸活化再改性得到。以上述光致变色聚酯作为皮层，以普通聚酯作为芯层，进一步制备得到聚酯纤维。通过三氧化钨表面活化，提高了其表面改性基团的接枝密度，进而提升了改性三氧化钨基团在聚酯分子上的接枝密度，使得制备所得的光致变色聚酯变色灵敏度高，变色色彩均匀，循环变色性能优越；并且通过共价键将变色基团键合于聚酯分子上
变色聚酯聚酯纤维制备方法

[发明专利]一种氧化钨纳米线缠绕复合材料、制备方法和应用-CN201510747329.9有效
发明人：张文惠;岳鹿;徐宁;罗改霞;关荣锋 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨纳米线缠绕复合材料、制备方法和在锂离子电池中的应用。通过在改性的活性物质表面缠绕氧化钨纳米线作为外部的抑制膨胀材料，然后再在外表面包覆碳层作为导电层，制备得到高性能的氧化钨纳米线缠绕复合材料。方法制备的氧化钨纳米线缠绕复合材料可作为锂离子电池负极材料使用。本发明工艺步骤简单，重复性好，收率高，且成本低廉，具有较好的规模化应用潜力；该复合材料活性物质表面包覆缠绕氧化钨纳米线和该纳米线外包覆碳层的结构可有效抑制纳米材料的体积效应，对活性物质的电化学性能改善明显
一种氧化钨纳米缠绕复合材料制备方法应用

[发明专利]一种聚3,4-乙烯二氧噻吩包覆氧化钨纳米棒、制备方法及其应用-CN201810020970.6有效
发明人：冯莱;刘萍;周东营;王琛 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚3,4‑乙烯二氧噻吩包覆氧化钨纳米棒、制备方法及其应用，将水热反应制得的氧化钨纳米线分散在溶剂中，加入EDOT反应得蓝色溶液，再经沉降去除PEDOT和氧化钨纳米线后干燥即可。工艺步骤简单且条件温和，能够获得均匀且呈中性的聚3,4‑乙烯二氧噻吩包覆的氧化钨纳米棒；该氧化钨纳米棒具有更高的费米能级或功函，能有效降低PSS对阳极衬底的腐蚀，从而提高钙钛矿太阳能电池的效率及寿命；而且它的能级与钙钛矿材料的能级更接近
一种乙烯二氧噻吩氧化钨纳米制备方法及其应用

[发明专利]一种多孔碳纤维/氧化钨自支撑锂硫电池正极材料制备方法及其应用-CN202111226555.4有效
发明人：吴玉程;王忠杰;闫健;郭庆;崔接武;刘家琴 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔碳纤维/氧化钨自支撑锂硫电池正极材料的制备方法及其应用，本发明自支撑锂硫电池正极材料是由活性硫和多孔碳纤维/氧化钨组成，其中多孔碳纤维/氧化钨是通过简单的一步水热法结合低温煅烧处理制备出一种以多孔碳纤维布为基底，随后生长氧化钨纳米棒的自支撑导电硫载体，最后通过热熔法负载硫得到硫正极。本发明自支撑锂硫电池正极材料有机结合了多孔碳纤维的良好的机械强度、优异导电性以及氧化钨纳米棒对可溶性多硫化物的吸附‑催化作用，不仅实现了硫的高负载，增加整体材料的导电性，而且能够有效抑制“穿梭效应”和缓解电极体积变化
一种多孔碳纤维氧化钨支撑电池正极材料制备方法及其应用

[发明专利]一种有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜的制备方法-CN202111210389.9有效
发明人：李垚;赵英明;张翔;赵九蓬;李文杰;张虎林 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，它涉及一种电致变色薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有氧化钨电致变色材料无法同时兼备大的透过率调制，快的响应速度和高的循环稳定性的技术问题。本发明电致变色薄膜是以透明导电基材为基底，采用磁控溅射技术，通过精确控制溅射功率：即功率连续可调,功率逐渐降低来制备有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜；方法：一、超声清洗透明导电基底，烘干；二、采用磁控溅射的方法在透明导电基底上采用控制溅射功率的工艺制备有序结构可控的氧化钨薄膜本发明用于制备有序结构可控的高透过率调制幅度、快速响应，高循环稳定性的氧化钨电致变色薄膜。
一种有序结构可控氧化钨变色薄膜制备方法