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[发明专利]一种氧化钨-石墨烯光致变色复合薄膜、制备方法及应用-CN201910094486.2在审
发明人：王威;蒙爽;郝凌云;张小娟;王江图 -专利权人：金陵科技学院
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨‑石墨烯光致变色复合薄膜、制备方法及应用，根据羟基化或羧基化石墨烯的亲水性的优点，将其分散到氧化钨前驱体溶胶中，从而能够制备出比纯氧化钨薄膜光致变色性能更优异的氧化钨‑石墨烯复合薄膜本发明所提供的低成本的化学法制备氧化钨‑石墨烯复合薄膜不需要昂贵的设备与原材料，且工艺稳定性好，通过控制工艺可以制备出具有优异光致变色性能的氧化钨‑石墨烯复合薄膜。本发明可以实现在树脂镜片上氧化钨‑石墨烯复合薄膜的制备，可以将氧化钨‑石墨烯光致变色薄膜应用眼镜镜片。
氧化钨制备石墨烯复合薄膜石墨烯光致变色性能复合薄膜光致变色光致变色薄膜应用工艺稳定性前驱体溶胶氧化钨薄膜树脂镜片眼镜镜片低成本化学法亲水性羟基化羧基化

[发明专利]一种氧化钨电致变色薄膜材料及其制备方法-CN201910407031.1有效
发明人：张勇;史英迪;汤凯;宋艳斌;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化钨电致变色薄膜材料及其制备方法，属于电致变色薄膜领域。本发明中，所述氧化钨电致变色薄膜材料包括FTO导电玻璃基底层和氧化钨层，O原子比例从所述FTO导电玻璃基底层的表面到氧化钨层的表面呈逐渐增加趋势；所述氧化钨层中的O原子集中分布在氧化钨颗粒的表面，所述氧化钨颗粒内部集中存在大量氧缺陷，所述氧化钨颗粒具有斜方相结构。
一种氧化钨变色薄膜材料及其制备方法

[发明专利]氧化钨纳米材料及其制备方法、空穴功能薄膜及光电器件-CN202111160505.0在审
发明人：徐威 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种氧化钨纳米材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供钨酸；将钨酸与卤代酸和/或卤代醇混合，加热反应，得到氧化钨纳米材料。所述氧化钨纳米材料的制备方法制得的氧化钨纳米材料包括氧化钨纳米颗粒及连接在所述氧化钨纳米颗粒表面的卤代酸配体和/或卤代醇配体。所述卤代酸配体和/或卤代醇配体可以有效地钝化氧化钨纳米颗粒的缺陷态发光，提高氧化钨纳米颗粒在溶剂中的分散性和稳定性，提高包括所述氧化钨纳米材料的空穴功能层的空穴迁移率，提高光电器件的空穴注入及传输能力，
氧化钨纳米材料及其制备方法空穴功能薄膜光电器件

[发明专利]高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法-CN202210284369.4在审
发明人：杨晓刚;曹光明;汪欣伟;石运鹏;金佳淇;胡俊蝶;曲家福;李长明;吴其华;葛德培 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法，高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜，包括钨酸铋薄膜，所述钨酸铋薄膜下依次为三氧化钨层和氟掺杂二氧化锡FTO导电玻璃，所述钨酸铋薄膜厚度为50‑500纳米，所述三氧化钨层厚度为10‑100纳米；所述钨酸铋薄膜为吸光材料，所述三氧化钨层为电子传输层。本发明采用刮涂法制备三氧化钨层结合电化学沉积法沉积铋，经退火后得到的高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜，制备过程简单且有较高的光电转换性能。本发明方法简便环保，制备的高性能钨酸铋薄膜结构有效地促进了电荷分离与传输，并具有良好的可见光电转换性能。
性能氧化钨钨酸铋薄膜及其制备方法

[发明专利]铜负载的氧化钨纳米管及其制备工艺-CN201610340160.X在审
发明人：伦慧东 -专利权人：伦慧东
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜负载的氧化钨纳米管及其制备工艺，其以氧化钨纳米管为基体，在氧化钨纳米管的表面负载0.001~0.1wt.%的金属铜离子。所述制备工艺包括氧化钨纳米管的制备，将可溶性铜盐盐的水溶液缓慢加入至WO3纳米管分散液中，30~50℃反应1~3h，过滤或离心分离，得固相；将所得固相分散至pH为9.0~10的水溶液中，在室温下搅拌10~20小时，过滤或者离心分离，干燥，得铜负载氧化钨纳米管。铜离子的负载有效地提高了氧化钨的可见光降解效率；与普通的氧化钨粉体相比，氧化钨纳米管的合成大大提高了氧化钨的比表面积，进一步地提高铜与氧化钨的接触及铜负载氧化钨与有害气体的接触面积，提高了催化降解效率。
负载氧化钨纳米及其制备工艺

[发明专利]钨酸中三氧化钨的测定方法-CN201710829983.3在审
发明人：王长基;吕平;钟敏;蔡朝娟;胡夏贇;危玲 -专利权人：赣州华兴钨制品有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种三氧化钨的测定方法，具体是一种钨酸中三氧化钨的测定方法。本发明包括(A)钨酸原样的处理，(B)钨酸分析样品的分解，(C)三氧化钨含量的测定，(D)计算钨酸原样中三氧化钨的含量步骤。完全能够满足钨酸中三氧化钨含量的测定要求，方法经济、简便、快速、稳定，容易操作。
钨酸中三氧化钨测定方法

[发明专利]一种氧化钨量子点材料及其制备方法-CN201410025908.8有效
发明人：赵志刚;丛杉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化钨量子点材料及其制备方法。所述氧化钨量子点材料包括粒径为几纳米至十几纳米的氧化钨纳米粒子，所述氧化钨纳米粒子的粒径均一，表面存在有机物包覆层，在非极性有机溶剂中高度分散，具有量子尺寸效应。优选的，所述氧化钨量子点粒径可小于2纳米；所述氧化钨量子点材料可采用液相法制备，包括以易得的商品无机钨化合物为原料，经有机钨前驱体，共两步制备氧化钨量子点材料。本发明工艺流程简单、原料易得、重现性好、可控性高，所得氧化钨纳米粒子粒径均一，尺寸可调，高度分散，且具备明显的量子尺寸效应，具有广泛应用前景。
一种氧化钨量子材料及其制备方法

[发明专利]一种同质异相三氧化钨纳米带光催化剂及其制备方法-CN202110365049.7在审
发明人：张萍;陈卫;李晓晨;孙甲玉;王琦;李妮;齐彬 -专利权人：山东农业大学
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明属于催化剂制备技术领域，公开了一种同质异相三氧化钨纳米带光催化剂及其制备方法，所述同质异相三氧化钨纳米带光催化剂按照质量份数由钨酸盐9～12份、浓硝酸6～7份、氢氧化钠3～4份、石墨2～4份、双氧水本发明通过钨酸盐与硝酸的反应进行三氧化钨的获取，并将三氧化钨进行纯化，得到的三氧化钨纯度更高，制备的同质异相三氧化钨纳米带光催化剂性能更好；进行同质异相三氧化钨纳米带光催化剂的制备中加入石墨粉，能够实现光催化性能的提升本发明的同质异相三氧化钨纳米带光催化剂的制备方法简单，获取的同质异相三氧化钨纳米带光催化剂的结构均一、形貌较好，性能更优。
一种同质异相三氧化钨纳米光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种氧化钨多电阻态调控方法-CN202310599969.4在审
发明人：于浦;张帆 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种氧化钨多电阻态调控方法，所述方法包括：将氧化钨置于包括氢气的气体环境中，所述氢气的含量为3vol.％至100vol.％；向针尖状电极施加不同的电压与所述氧化钨形成不同的偏压；所述氧化钨与所述针尖状电极接触，在氧化钨中引入氢离子或者将氧化钨中的氢离子移出。三氧化钨是一种绝缘的氧化物，由于电子掺杂作用，随着注入氢离子的浓度或计量提高，其电阻降低。本申请通过控制针尖状电极上电压正负、大小和反应时间，可以调节三氧化钨中的氢离子浓度，进而精准控制三氧化钨的电阻，实现多阻态的调控。
一种氧化钨电阻调控方法

[发明专利]一种以凹凸棒土为模板的三氧化钨/聚吡咯/石墨烯复合材料的制备方法-CN201710280710.8有效
发明人：孔泳;王丙虎 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C08K3/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种以凹凸棒土为模板的三氧化钨/聚吡咯/石墨烯复合材料的制备方法。包括以下步骤：凹凸棒土/三氧化钨的制备，凹凸棒土/三氧化钨/聚吡咯的制备，凹凸棒土/三氧化钨/聚吡咯/石墨烯的制备，三氧化钨/聚吡咯/石墨烯的制备。本发明的有益效果是凹凸棒土为模板的三氧化钨/聚吡咯/石墨烯复合材料的制备方法新颖独特。
一种凹凸模板氧化钨吡咯石墨复合材料制备方法

[发明专利]一种用于混合价态氧化钨反射式电致变色性能检测的实验仪-CN201610920177.2在审
发明人：韩炜;赵雪;张世达;付成伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于混合价态氧化钨反射式电致变色性能检测的实验仪，属于仪器仪表技术领域，包括氧化钨镀层玻璃、照明系统、激励源、分光系统、成像系统及控制系统；其中，激励源的正负极与氧化钨镀层玻璃导电侧两平行边沿相连，用于向氧化钨镀层玻璃通电，使氧化钨镀层玻璃表面的氧化钨微粒发生电致变色，二者使用带有弹性夹具的导线连接；照明系统斜照射向氧化钨镀层玻璃，光线在氧化钨镀层玻璃表面发生吸收和反射；分光系统接收镀层玻璃的反射光得到色散光该实验仪针对氧化钨特性设计，测量结果准确。
一种用于混合氧化钨反射式电致变色性能检测实验

[发明专利]长寿命宽波段氧化钨电致变色薄膜及其制备方法和应用-CN202310438284.1在审
发明人：刘涌;程子强;赵方园;孙梦涛;周昼;曾宇;韩高荣 -专利权人：浙江大学;山西浙大新材料与化工研究院
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有无定形复合六方相晶体的结构的长寿命宽波段氧化钨电致变色薄膜及其制备方法和在智能显示或智能窗领域中的应用。制备方法包括：在导电基底上制备出含有层间水的氧化钨薄膜，得到具有层间水支撑空隙的无定形水合氧化钨电极；将无定形水合氧化钨电极浸入含有金属离子的电解质中，采用电化学方法使无定形水合氧化钨电极表面发生阴极还原反应，以电化学反应为驱动力将金属离子注入氧化钨薄膜的层间空隙，获得金属离子化的氧化钨电极；金属离子的离子半径在70～140pm；将金属离子化的氧化钨电极进行热处理，得到长寿命宽波段氧化钨电致变色薄膜。
寿命波段氧化钨变色薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法-CN201410619764.9在审
发明人：秦玉香;柳杨;谢威威;刘成;胡明 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法，由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10-20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20-30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构，采用对靶磁控溅射和原位生长的方法在基底上进行沉积、生长和热处理。本发明方法制备出形貌良好的氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列结构材料，显著的提高了材料的比表面积，有效的利用了异质结在性能方面的优异性。
一种氧化钨氧化钒异质结纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种超细三氧化钨的制备方法及系统-CN202310515547.4在审
发明人：张威;徐双;余春荣;胡祖辉;陈亿 -专利权人：江钨世泰科钨品有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超细三氧化钨的制备方法及系统，涉及三氧化钨的制备技术领域，包括以下步骤：步骤S1：将仲钨酸铵晶体进行煅烧，得到三氧化钨粉末；其中，所述煅烧包含至少3个逐渐升高的温度段；步骤S2，将步骤S1中得到的三氧化钨粉末进行物理破碎，得到超细三氧化钨粉末。本发明在现有设备基础上，通过调整煅烧过程加热温度以及炉管转速，生产出原始粒径小的三氧化钨，经过物理粉碎后可生产出平均粒径为0.5‑1.0μm的三氧化钨，为钨行业提供了一种高品质的超细三氧化钨材料。
一种超细三氧化钨制备方法系统

[发明专利]一种处理废旧氧化钨制取钨酸铵的方法-CN201210442550.X无效
发明人：孙世凡 -专利权人：孙世凡
申请日： 2012-10-28 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理废旧氧化钨制取钨酸铵的方法。该方法是采用氨水压煮溶解废旧三氧化钨、蓝色氧化钨等氧化钨，制成钨酸氨溶液、仲钨酸铵、偏钨酸铵等钨酸铵。该方法与现有技术先用烧碱或纯碱煮解或融熔-水煮溶解氧化钨制成钨酸钠溶液，再通过溶剂萃取或离子交换工艺制成钨酸铵溶液等方法相比，具有简化工艺流程、节约辅助原料、节能减排、减轻环境污染、降低生产成本的优点和特点
一种处理废旧氧化钨制取钨酸铵方法