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[发明专利]一种应用于锂硫电池正极材料的氮化钨/氮掺杂石墨烯/氧化钨复合材料的制备方法-CN202010164820.X有效
发明人：王新;王加义 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于锂硫电池正极材料的氮化钨/氮掺杂石墨烯/氧化钨复合材料的制备方法，所述方法通过简单的一步水热法和氨气煅烧法，制备出了一种以石墨烯为载体的，负载有氧化钨/氮化钨异质结结构的复合材料。通过水热法在石墨烯表面生长氧化钨，使得氧化钨的粒径分布更加均匀，且分散性也会相对较好，避免了氧化钨颗粒的沉积，能够更有效地吸附多硫化物，而且能够有效地利用石墨烯导电性好的特点，增加整体材料的导电性，提高锂硫电池的循环性能
一种应用于电池正极材料氮化掺杂石墨氧化钨复合材料制备方法

[发明专利]一种氧化钨-石墨烯复合材料制备方法与应用-CN202210408011.8在审
发明人：薛松 -专利权人：薛松
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明涉及氧化钨‑石墨烯复合材料技术领域，更具体的说是一种氧化钨‑石墨烯复合材料制备方法与应用；氧化钨‑石墨烯复合材料制备方法，该方法包括以下步骤：步骤一：将氧化石墨烯加水制成氧化石墨烯水溶液；步骤二：将溶于乙醇的钨溶液加入到氧化石墨烯水溶液进行混合，得到混合液；步骤三：在混合液搅拌的同时加入丙酮并在微博条件下生成混合物；步骤四：将混合物进行洗涤并烘干；步骤五：将混合物进行加热，冷却后进行研磨得到氧化钨‑石墨烯复合材料；可以提高制备氧化钨‑石墨烯复合材料的效率。
一种氧化钨石墨复合材料制备方法应用

[发明专利]一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法-CN201711235920.1有效
发明人：李国华;吴世照;周浩 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备三氧化钨纳米片的电化学方法，以金属钨为基底，在含有离子液体的有机溶剂电解液中，采用电化学阳极氧化法制得了纳米尺度的片状结构三氧化钨粉末材料，通过控制电解液组分，反应温度，氧化电压和氧化时间得到不同尺寸结构的氧化钨纳米片；所制得的三氧化钨纳米片结构规整，尺寸均一，具有较大的比表面积；本发明制备工艺简单、操作简便，反应设备要求低，经济高效，制得的三氧化钨纳米片粉末产量高，性质稳定，对于金属钨基体的利用率高，经济效益高，在工业化应用方面具有广阔的应用前景
一种制备氧化钨纳米电化学方法

[发明专利]一种P型响应类型氧化钨纳米线气体传感器的制备方法-CN201711026184.9在审
发明人：赵博硕;胡明 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型响应类型氧化钨纳米线气体传感器的制备方法，包括二氧化硅基片的清洗、制备钨薄膜、制备WO2纳米线、制备WO3纳米线、氧化钨纳米线气体传感器的制备的步骤。本发明传感器主要结构是二氧化硅衬底上的氧化钨纳米线结构，利用氧化钨纳米线的高比表面积，增大与气体分子接触面，从而提高了对气体的响应灵敏度，利用氧化钨的P‑型导电类型降低氧化钨气体传感器的工作温度。
一种响应类型氧化钨纳米气体传感器制备方法

[发明专利]一种低能耗丝网印刷钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法-CN202010444686.9在审
发明人：王宏志;辜为民;刘学龙;张青红;李耀刚;侯成义;林改 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司;东华大学
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低能耗丝网印刷钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法，其技术方案要点是包括以下步骤：将钨酸溶于过氧化氢中，油浴加热搅拌至得澄清溶液，在所得澄清溶液中加入氧化钼、乙二醇和去离子水后，将油浴锅升温，冷凝回流后得到钼掺杂氧化钨纳米溶胶，离心、洗涤备用；在室温下，将乙基纤维素溶解在乙醇中，搅拌得到澄清透明的溶胶，在溶胶中加入松油醇和前述步骤中制备的钼掺杂氧化钨纳米溶胶，旋转蒸发有机溶剂后，得到钼掺杂氧化钨纳米浆料；采用丝网印刷或刮涂法将钼掺杂氧化钨纳米浆料均匀地附着在ITO或FTO导电玻璃基底上，然后用马弗炉煅烧，自然冷却得到低能耗丝网印刷钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜。
一种能耗丝网印刷掺杂氧化钨纳米结构变色薄膜制备方法

[发明专利]一种高效变色丝网印刷钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法-CN202010444687.3在审
发明人：王宏志;辜为民;刘学龙;张青红;李耀刚;侯成义;林改 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司;东华大学
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效变色丝网印刷钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法，其技术方案要点是包括以下步骤：将钨酸溶于过氧化氢中，油浴加热搅拌至得到澄清溶液，在所得澄清溶液中加入氧化钼、乙二醇和去离子水后，将油浴锅升温，冷凝回流后得到钼掺杂氧化钨纳米溶胶，离心、洗涤备用；在室温下，将乙基纤维素溶解在乙醇中，搅拌得到澄清透明的溶胶，在溶胶中加入松油醇和前述步骤中制备的钼掺杂氧化钨纳米溶胶，旋转蒸发有机溶剂后，得到钼掺杂氧化钨纳米浆料；采用丝网印刷或刮涂法将钼掺杂氧化钨纳米浆料均匀地附着在ITO或FTO导电玻璃基底上，然后用马弗炉煅烧，自然冷却得到钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜。
一种高效变色丝网印刷掺杂氧化钨纳米结构薄膜制备方法

[发明专利]一种丝网印刷钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法-CN201710270879.5有效
发明人：王宏志;辜为民;刘学龙;张青红;李耀刚;侯成义;林改 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司;东华大学
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种丝网印刷钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法，其技术方案要点是包括以下步骤：将钨酸溶于过氧化氢中，油浴加热搅拌至得到澄清溶液，在所得澄清溶液中加入氧化钼、乙二醇和去离子水后，将油浴锅升温，冷凝回流后得到钼掺杂氧化钨纳米溶胶，离心、洗涤备用；在室温下，将乙基纤维素溶解在乙醇中，搅拌得到澄清透明的溶胶，在溶胶中加入松油醇和前述步骤中制备的钼掺杂氧化钨纳米溶胶，旋转蒸发有机溶剂后，得到钼掺杂氧化钨纳米浆料；采用丝网印刷或刮涂法将钼掺杂氧化钨纳米浆料均匀地附着在ITO或FTO导电玻璃基底上，然后用马弗炉煅烧，自然冷却得到钼掺杂氧化钨纳米结构电致变色薄膜。
一种丝网印刷掺杂氧化钨纳米结构变色薄膜制备方法

[发明专利]可用于制备光阳极的钨锰钙/介孔三氧化钨复合物及其制备方法-CN201710608650.8有效
发明人：杨平;李科珍;刘爱娟;杜玉扣 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： B01J23/34 文献下载
摘要：本发明公开了可用于制备光阳极的钨锰钙/介孔三氧化钨复合物及其制备方法，所述钨锰钙/介孔三氧化钨复合物中，包括介孔三氧化钨、锰钙氧化物。介孔三氧化钨具有较短电子迁移距离，岛状钨锰钙氧化物作为产氧活性中心位点，具有较低的氧析出电位，所以以该复合物制成的光阳极具有很高的光催化产氧活性。这种三元复合半导体催化剂与相应的单一组分催化剂相比，通过锰钙与氧化钨的复合克服了单一催化剂的缺陷，具有电荷分离效率高、析氧过电位小、催化活性和稳定性好等优点，是一种极具希望的制备光化学池光阳极的新型催化材料
用于制备阳极钨锰钙介孔三氧化钨复合物及其方法

[发明专利]一种二氧化钨纳米片制备及其电学器件中的应用-CN202211222958.6在审
发明人：马惠芳;朱超;蒋然;王琳 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：该发明包括二氧化钨纳米片的制备以及基于制得的二氧化钨纳米片制成的二氧化钨二维材料的电学器件。该发明将三氧化钨粉末和硒化钨粉末共同盛放在瓷舟中作为蒸发源，在80sccm的载气流量，生长温度为1150‑1190℃，沉积时间5‑35min内化学气相沉积在基底表面，制备出二氧化钨纳米片。本发明制备的二氧化钨纳米片结晶度高，形状为规整的四边形，大小在24‑133μm，厚度在19.7‑123nm，制备方法简单可行具有一定的可控性和重复性，环境友好，解决了二氧化钨纳米片制备的问题。
一种氧化钨纳米制备及其电学器件中的应用

[发明专利]一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法-CN200810116299.1无效
发明人：唐子龙;徐宇兴;张中太 -专利权人：清华大学
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：一种氧化钨纳米线氨敏传感器及其制备方法，属于气敏传感器技术领域。将钨酸钠溶于去离子水形成钨酸钠溶液；缓慢滴加盐酸和草酸，搅拌；将淡黄色胶束溶液转入反应釜中加入25～30克硫酸钾搅拌均匀，180℃温度下水热处理12～144小时；水热产物洗涤，在65℃空气气氛下充分干燥即制得所述氧化钨纳米线根据制备得到的氧化钨纳米线，添加粘合剂以及玻璃料配制成气敏材料浆料；元件烧结；老化制得氧化钨纳米线氨敏传感器。本发明步骤简单，参数容易控制，整个制备过程能源消耗少，制备的氧化钨纳米线具有大的比表面积；制备的氧化钨氨敏传感器对低浓度氨气(1～100ppm)具有很高的灵敏度、良好的重复性和很高的稳定性。
一种氧化钨纳米线氨敏传感器制备方法

[实用新型]一种氧化钨修饰正极片-CN201420672660.X有效
发明人：赵宇光;汪清 -专利权人：南京中储新能源有限公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氧化钨修饰正极片，该正极片由导电基底、氧化钨、导电聚合物和硫组成，不含有外加的导电剂和粘结剂。该氧化钨修饰正极片导电性好、能量密度高，价廉环保。
一种氧化钨修饰正极

[发明专利]一种氧化钨通孔的制作方法-CN201110349717.3无效
发明人：郁新举 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨通孔的制作方法，包括步骤：1)按现有工艺形成钨通孔，并填充钨以及进行钨平坦化；2)通过氧化作用形成氧化钨；3)采用化学气相沉积的方法在步骤2)形成的表面沉积一层氧化膜或能实现相同效果的介电质层；4)采用研磨的方式或者干法回刻的方法，将该氧化膜或能实现相同效果的介电质层，磨至氧化钨露出，从而形成氧化钨的通孔。本发明解决了顶层金属层与钨通孔钛氮化合物阻挡层之间形成的漏电通路问题，并能提高阻变存储器擦写操作窗口及可靠度。
一种氧化钨制作方法

[发明专利]基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件的制备方法-CN201010517073.X有效
发明人：秦玉香;沈万江;胡明;包智颖;李晓 -专利权人：天津大学
申请日： 2010-10-24 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件的制备方法，步骤为：(1)模板的清洗；(2)多孔氧化钨薄膜的制备；(3)以多孔氧化钨薄膜结构作为阴极，电泳沉积碳纳米管薄膜，制备碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构薄膜；(4)沉积铂点电极，形成气敏传感器元件。本发明的基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件结构新颖、制备过程简单、尤其对于低浓度气体的室温探测灵敏度高。
基于纳米阵列氧化钨复合结构传感器元件制备方法

[发明专利]一种银-铜-氧化钨的光致变色复合纳米材料及制备方法-CN202111329167.9在审
发明人：鲁逸人;魏亚丹;董旭;刘宪华;童银栋;常玺德;刘翔 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种银‑铜‑氧化钨的光致变色复合纳米材料及制备方法，通过简单的水热法制备出铜均匀插入晶格的有序氧化钨(WO3)，然后水浴加热搅拌浸渍方法将银负载到铜‑氧化钨纳米材料上，制备出许多纳米棒簇团聚形成的微球形貌的银‑铜‑氧化钨复合材料。由于金属铜表现的界面电荷转移和贵金属银的表面等离子体共振效应，银‑铜共掺杂的氧化钨表现出更加优异的可见光吸收和更强的光致变色性能。相对于现有技术，本发明铜银‑铜‑氧化钨的高效光致变色复合纳米材料，氧化钨与银、铜的共掺杂使得材料具有表现出优异的可见光吸收以及高效光致变色性能外的同时，也为光催化太阳能转换提供了新型可见光驱动的WO
一种氧化钨变色复合纳米材料制备方法

[发明专利]一种花状形貌的三氧化钨材料及其制备方法-CN202210301307.X有效
发明人：赵武;职明丰;张鹏;赵薪雅;王泽正;王建鑫 -专利权人：西北大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种花状形貌的三氧化钨材料及其制备方法，以Na2WO4·2H2O为原料并以柠檬酸作为助剂，制得三氧化钨前驱体溶液；将该三氧化钨前驱体溶液依次经过微波反应和煅烧处理，最终制得花状形貌的三氧化钨材料。4·2H2O与柠檬酸的质量比和微波反应的条件，能够制得对NO2气体具有优良气敏性的花状形貌的三氧化钨材料该花状形貌的三氧化钨材料具有相互交叠的片状结构，呈现出花状形貌，由于该花状形貌的三氧化钨材料与NO2气体的接触面积大，因此对NO2
种花形貌氧化钨材料及其制备方法

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